【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。 （もっと読む）

単結晶CVDダイヤモンド材料にNV中心を導入する方法を開示する。方法の一工程は、単置換型窒素を含むダイヤモンド材料を照射してダイヤモンド材料中に少なくとも0.05ppm、多くても1ppmの濃度で孤立空孔を導入することを含む。方法の別の工程は、照射されたダイヤモンドをアニールして、単置換型窒素欠陥及び導入された孤立空孔の少なくともいくつかからNV中心を形成することを含む。ピンクCVDダイヤモンド材料及びスピントロニクス特性を有するCVDダイヤモンド材料についても記述する。 （もっと読む）

ファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色のCVDダイヤモンド材料の製造方法を開示する。本方法は、CVDプロセスで成長した単結晶ダイヤモンド材料に電子を照射して、ダイヤモンド材料中に孤立空孔を導入する工程を含み、照射されたダイヤモンド材料は(又はさらなる照射後処理後に)、全空孔濃度[V_T]×経路長Lが少なくとも0.072ppm・cm、多くても0.36ppm・cmになるような全空孔濃度[V_T]及び経路長Lを有し、かつダイヤモンド材料はファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色になる。ファンシーな淡い青色のダイヤモンドをも開示する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面が平坦な単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板及びその表面上に平坦な堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板を得ることを課題とする。
【解決手段】表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、成長基板における温度分布の不均一性を改善する技術を提供する。
【解決手段】流体を流すための多孔質流路層１５と、多孔質流路層１５を狭持し、水素を選択的に透過する第１と第２の電極層１１，１２とを備える成長用基板１０を準備する。成長用基板１０の第１の電極層１１側の外表面に、カーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒金属２０を担持させる。第１の電極層１１には、原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、多孔質流路層１５にプロトン伝導性を有するイオン性液体を流しつつ、第１と第２の電極層１１，１２の間に、第１の電極層１１側を陽極として電圧を印加する。これによって、第１の電極層１１側における副産物である水素を第２の電極層１２側へと移動させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドおよび単結晶基板が破損することなく、かつ大面積で結晶性の高い高品質の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板とその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板と、該単結晶基板上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記単結晶基板が、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶であることを特徴とする積層基板。また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンドコーティングを基板上に堆積させる方法に関し、該方法は、サブミクロン粒子を含有するピラミッド型の新規な形態のダイヤモンドを特徴とする、コーティングの作製をもたらす。該方法は、印加する電界を制御することによる化学気相成長法によって行う。 （もっと読む）

【課題】成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一方の主表面上にたとえばＳｉＣやＳｉのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置１００の本体部３０は、ガス供給部９から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域２１と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域２２とを備えている。 （もっと読む）

水素、炭素源及び酸素源を含む雰囲気中で、基板上でのダイヤモンドの堆積を起こすために十分な圧力及び温度において基板を提供し、マイクロ波プラズマ球を設定することを含む、マイクロ波プラズマ支援化学気相堆積によりダイヤモンドを製造する方法であって、ダイヤモンドを４００ｔｏｒｒ超の圧力下で少なくとも２００μｍ／時間の成長速度において実質的に窒素を含まない、又は少量の窒素を含む雰囲気から堆積させる方法。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）から構成される熱伝導体アレイが、ハウジング（１０）内に提供され、前記熱伝導体が、第１の電極（１）と第２の電極（８）との間に延在し、熱伝導体（２）が、その一端に取り付けられた緊張装置によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、緊張装置が緊張ウェイト（Ｇ）を有する傾斜アーム（５）を備え、熱伝導体（２）が前記傾斜アームの第１の端部（Ｅ１）に取り付けられ、その第２の端部がほぼ水平軸（Ｈ）周りに枢動可能に装着されることを提案する。
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本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
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【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド微粉末を成膜前処理に用いても、凝集なく、高密度にかつ均一に基材表面に分散する方法を示し、ダイヤモンド成長後の表面が十分平滑で異常成長なく、かつ基材との密着性の高いダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。ダイヤモンド膜２は、立方晶ダイヤモンドと六方晶ダイヤモンドとを含むダイヤモンド粉末を用意する工程と、ダイヤモンド粉末を液体溶媒中で撹拌する工程と、ダイヤモンド粉末を撹拌したダイヤモンド分散液中で基材１表面にダイヤモンドを種付け処理する工程とを備え、しかる後に基材１上に化学的気相合成法により製造される。 （もっと読む）

【課題】効率良く量産可能であり、走査プローブ顕微鏡において高分解能観察や高精度微細加工が可能な先端半径と、高アスペクト比構造観察に十分な長さの針をもち、且つ、先端の耐摩耗性に優れたダイヤモンド探針と、これを備えた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマＣＶＤ成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド５を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド５のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。 （もっと読む）

【課題】半導体用途に利用できる高品質な単結晶ダイヤモンドを提供し、かかるダイヤモンド単結晶基板を、従来よりも短時間で作製しかつコストを低廉化させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。好ましくは前記第一層における窒素含有量が２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、前記第二層の窒素含有量が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ未満であるダイヤモンド単結晶基板である。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

化学気相蒸着による単結晶ダイヤモンドの形成方法であって、（ａ）少なくとも一つのダイヤモンドのシードを提供すること、（ｂ）ダイヤモンドを成長させるための炭素含有ガスおよび水素と、窒素含有ガスとを含む反応ガスを供給することを含む、化学気相蒸着によりダイヤモンドを成長させるための条件にシードを曝露すること、（ｃ）ダイヤモンドが、内包物なしに欠陥のないステップを有するように、ステップ成長できるように、反応ガス中の他のガスに対する窒素含有ガスの量を制御することを含む、方法。窒素は、０．０００１〜０．０２体積％の範囲に存在する。ジボランは、０．００００２〜０．００２体積％の範囲に存在することもできる。炭素含有ガスは、メタンであり得る。
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【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供する。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくは／および単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させる。また、ボロン添加による導電性付与により電気加工を可能にする。 （もっと読む）

【課題】非配向結晶粒の成長を抑制し、配向度を高めることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の凹凸を有する下地ダイヤモンド層を基板上に形成し、下地ダイヤモンド層上に金属膜３（又はセラミックス膜）を形成し、下地ダイヤモンド層及び中間層を加熱して、下地ダイヤモンド層の凹部２ｂを金属膜４で覆い、下地ダイヤモンド層の凸部２ａの一部を金属膜４から露出させる。そして、金属膜４の表面から下地ダイヤモンド層の凸部２ａの一部が露出した状態で、その上に高配向ダイヤモンド層５を成長させる。 （もっと読む）