単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマＣＶＤ法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。
【解決手段】合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモン
ドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の触媒膜が気中放置されても酸化されない基板ユニットを提供する。
【解決手段】本基板ユニット１は、基板３と、この基板３上に成膜されていて熱アニール温度で微粒子化する触媒膜５と、この触媒膜５の表面を覆って上記触媒膜５を保護するもので熱分解温度が熱アニール温度未満の触媒保護膜７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン製造装置及びアモルファスカーボン製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。これにより、プラズマＰの到達速度に対応させてカーボンの結晶化及び選択的エッチング効果を生じさせることができる。このため、カーボンのｓｐ２／ｓｐ３結合比を調整することができ、所望のバンドギャップを有するアモルファスカーボンＣを容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】通常、ホモエピタキシャル成長させたダイヤモンド膜表面上に異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以上形成される。これらは表面の平坦性を劣化させるだけではなく、その基板上に作製したデバイス特性を劣化させる。そのため、異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以下の平坦面を有するダイヤモンド膜が成長可能な基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤダイヤモンド層を提供すること。
【解決手段】研磨工具へのインサートとして用いるためのＣＶＤダイヤモンド層であって、
（ｉ）層が少なくとも０．０５原子％の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること；及び
（ii）長さ１８ｍｍ、幅２ｍｍ及び厚さ１．４ｍｍ以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも６００ＭＰａの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも３００ＭＰａの平均引張り破断強度を特徴とするＣＶＤダイヤモンド層。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド生成工程の際の放熱ホルダ上におけるダイヤモンド膜の剥離等による不良発生や、異常成長等を防ぐことを目的とする。
【解決手段】表面にダイヤモンドが蒸着しないホルダを準備し、もしくはダイヤモンドが蒸着した場合でも前記ホルダ温度１３００℃〜室温では蒸着したダイヤモンドが剥離せず、またダイヤモンド及び＼炭化物が異常成長しないホルダを準備した後、ダイヤモンドを成膜する基板を該ホルダ上に設置した後、該基板上にダイヤモンドの成膜を行うことを特徴とするダイヤモンド製造方法及び製造装置である。前記ホルダの基板近傍が表面粗さＲａ０．０１μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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【課題】高温下の還元性ガス（特に、アンモニア、水素、炭化水素ガスなど）に対して、優れた耐食性および耐熱衝撃性を有する炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素基材１と、前記炭素基材１上に形成されかつ（２２０）面に配向した炭化タンタルの結晶から実質的になる被覆膜２とを有する、炭化タンタル被覆炭素材料１０。被覆膜２のＸ線回折パターンにおいて、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度が最大の強度を示しかつ２番目に大きな強度の回折強度の４倍以上の強度を示し、また、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度の半価幅が０．２°以下である。
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【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶の連続成長中に生じるガス通路の閉塞を防ぎつつ、連続的に高速成長が可能な方法にて高品質な炭化珪素単結晶を製造する。
【解決手段】反応容器１２の内部に種結晶１６を配置し、反応容器１２内に原料ガスを導入することにより、種結晶１６から炭化珪素単結晶１７を成長させる際に、原料ガスを反応容器１２に導入するためのガス導入管として、内側導入管３１の外側に同軸状に配置された外側導入管３２を有するガス導入管３０を用い、内側導入管３１からシランとＣを有するガスを反応容器１２内に導入するとともに、外側導入管３２からクロロシランを反応容器１２内に導入する。 （もっと読む）

【課題】特殊な表面加工設備を用いることなく、優れた密着性を得ることができるダイヤモンド薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１にダイヤモンド薄膜２が被覆されたダイヤモンド薄膜素子である。前記基材１は、線膨張係数が１２×１０^-6／Ｋ以下の低熱膨張材で形成され、長さ方向に沿って任意の垂直な横断面の外周が凸状の曲線となる側面（円錐面）部を有し、前記側面部の横断面の周長ｐが９００μm 以下とされる。前記側面部に被覆されたダイヤモンド薄膜の膜厚をｔとするとき、ｔ／ｐが１．０×１０^-4以上、７．０×１０^-3以下とされる。 （もっと読む）

【課題】表面積が大きく、表面における導電性が高く、電気化学特性が経時変化しにくいダイヤモンド電極、触媒担持電極、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基材の少なくとも表面近傍を含むドーパント領域に、ホウ素、窒素、アルミニウム、ケイ素、リン、硫黄、銅、ヒ素、モリブデン、白金、及び金のうち1種類以上のドーパントが３×１０²⁰〜８×１０²¹個／ｃｍ³の濃度でドープされたダイヤモンド基材に対し、酸素ガスによるドライエッチングによってダイヤモンド基材の表面を処理することによりダイヤモンド基材の表面に針状突起３配列構造を形成する。 （もっと読む）

ダイヤモンド成長表面の温度が９００〜１，４００℃の範囲であり、かつこのダイヤモンドがヒートシンクに取り付けられた方法により製造された単結晶ＣＶＤダイヤモンド。ダイヤモンドの成長は、単位Ｈ₂当たりＣＨ₄が８％超の、１５０トル超の雰囲気の成膜チャンバー内でマイクロ波プラズマＣＶＤ法により行われる。このダイヤモンドは、レーザー用ヒートシンクとして使用できる。周波数変換器として、単結晶ダイヤモンドを含むラマンレーザー変換器用χ⁽³⁾非線形結晶質としての別の用途がある。
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【課題】ガラス基板上の任意の場所にダイヤモンドの薄膜を合成する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板４にダイヤモンドを合成する方法であって、（Ａ）所望の形状にマスキングする工程、（Ｂ）ダイヤモンドパウダーによりガラス基板４表面を傷つける工程、（Ｃ）内部に加熱手段を有する密閉されたチャンバ内にガラス基板４を設置し、チャンバ内に水素及びダイヤモンドの炭素源としての液体炭素源を導入する工程、（Ｄ）加熱手段２にて加熱し、液体炭素源から炭素を蒸発させてガラス基板４上にダイヤモンドとして析出させる工程を有するダイヤモンドの合成方法である。 （もっと読む）

【課題】電極として使用が可能で、電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電解効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。
【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該ダイヤモンド層を構成するダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が１μｍ^２以上１００ｍｍ^２以下であるダイヤモンド被覆基板である。特にダイヤモンド層厚は３〜１００μｍが好ましく、基板表面の粗さはＲａ０．１μｍ以上であることが好ましい。特に前記導電性ダイヤモンド層によって被覆される基板の材質は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗのいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】点欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が２°以上１０°以下である炭化珪素単結晶基板１０を用意する工程と、化学気相堆積法により、１４００℃以上１６５０℃以下の温度で、炭化珪素からなるエピタキシャル層１１を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、前記エピタキシャル層を１３００℃以上１８００℃以下の温度で熱処理する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】作業時間とコストの増大を抑えた簡便な方法で、結晶欠陥密度の低いエピタキシャル膜を有する単結晶ウェハを製造すること。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１上にｐ型エピタキシャル層２と第１のｎ型エピタキシャル層３を順次、成膜する。溶融ＫＯＨエッチング処理において、ｐ型層とｎ型層でエッチング速度が違うことを利用して、エピタキシャル層２，３中に括れ部６を有するエッチピット５を形成する。さらにエピタキシャル成長を行い、エッチピット５の底部をｐ型エピタキシャル層２中に空隙８として残したまま、エッチピット５を第２のｎ型エピタキシャル層７で埋めることによって、ＳｉＣ基板１から伸びる転位４を空隙８で止め、転位４がエピタキシャル層３，７中に伝播するのを防ぐ。 （もっと読む）

電解槽（１２５）は電解液（１２３）を保持するための容器を備える。導電的にドーピングした単結晶ダイヤモンド陽極電極（１１０）は電解液（１２３）内に位置するように配置されている。導電性陰極電極（１２０）も同様に配置されている。電源（１３０）に接続するために、導体は電極に連結されている。電解液（１２３）が電極を通過して流れるように、容器に電解液入口（１５０）と電解液出口（１５５）が取り付けられている。一実施形態では、陽極電極（１１０）を陰極（１２０）電極の下流に配置し、酸素および／またはオゾンの生成によって水を含む電解液（１２３）が精製されるようになっている。
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