【課題】品質の低下を抑制できる、ＳｉＣ結晶およびＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶１０は、Ｆｅの濃度が０．１ｐｐｍ以下であり、かつＡｌの濃度が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。第１の原料として研磨用ＳｉＣ粉末を準備する。第１の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第１のＳｉＣ結晶を成長する。第１のＳｉＣ結晶を粉砕して、第２の原料を形成する。第２の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第２のＳｉＣ結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】室温（３００Ｋ）以上において正孔濃度が１．０×１０^１５ｃｍ^‐3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が１．０×１０^２１ｃｍ^‐3以下である実用的なｐ型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板１−１の上に形成された単結晶ダイヤモンド薄膜１−２の中には、二次元の正孔または電子チャンネル１−３が形成される。基板１−１の面方位と基板１−１の結晶軸「００１」方向との成す角度をαｓ、ダイヤモンド薄膜１−２の面方位と単結晶ダイヤモンド薄膜１−２の結晶軸「００１」方向との成す角度をαｄ、チャンネル１−３の面方位とダイヤモンド薄膜１−２の結晶軸「００１」方向との成す角度をαｃとする。単結晶ダイヤモンド薄膜１−２の表面上には、ソース電極１−４、ゲート電極１−５、ドレイン電極１−６が形成される。 （もっと読む）

【課題】板状酸素析出物を含むシリコンウェーハであってデバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、ＬＳＡ処理を含むデバイスプロセスに供せられるシリコンウェーハであって、ＬＳＡ処理時においてシリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物の対角線長をＳ（ｎｍ）、前記ＬＳＡ処理における最高到達温度をＴ（℃）とした場合、Ｔ×Ｓ^２≦９×１０^６を満たす。本発明によれば、上記の条件でＬＳＡ処理を行うことにより、シリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】欠陥のほとんどないシリコンエピタキシャル層を形成できるエピタキシャルウェーハの製造方法、当該方法により製造されたエピタキシャルウェーハ及び撮像用デバイスの製造方法を提供することを目的とする
【解決手段】前記シリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の表面から０．５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程と、前記ＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させたシリコン基板の表面上に前記シリコンエピタキシャル層を形成する工程とを具備するエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望の比抵抗を有する導電性III族窒化物単結晶基板を低コストで製造することができる導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法は、ＧａＣｌガス、ＮＨ_３ガス、及びＮ_２又はＡｒにより所定の濃度に希釈されたＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスをＧａＮ単結晶基板に供給し、４５０μｍ／ｈｏｕｒより大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度でＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ単結晶を成長させると共に、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスが所定の濃度に希釈されたことによるＮＨ_３ガスとの反応の抑制により、ＧａＮ単結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−２Ωｃｍ以下となるようにＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスに含まれるＳｉがＧａＮ単結晶にドーピングされることを含む。 （もっと読む）

【課題】約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。
【解決手段】下式（１）あるいは下式（２）で表されることを特徴とするＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体により課題を解決できる。
Ｍｎ11Ｓｉ19-xＧａx 式（１）
［式（１）において、ｘは０を超え０．１以下である。］
Ｍｎ4 Ｓｉ7-y Ｓｎy 式（２）
［式（２）において、ｙは０を超え０．１以下である。］
2 Ｓｉ多結晶体により課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる金属フッ化物結晶及び真空紫外発光素子を提供する。
【解決手段】化学式ＢａＣａＭ_２Ｆ_１０で表され、ＭがＹ、Ｌｕ又はＬａである金属フッ化物結晶であって、Ｎｄ，Ｅｒ，Ｔｍ及びＹｂからなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含有する金属フッ化物結晶、及び当該金属フッ化物結晶からなる真空紫外発光素子。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のＳｉキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を製造する際に装置内に導入する材料またはこれらの材料の混合物の少なくとも一方が接触する面の、一部または全部が合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする窒化物半導体製造装置であって、たとえば、前記材料のうち、窒化物半導体の原料となる材料や、反応することによって窒化物半導体の原料を生成しうる反応性物質と接触する面の一部または全部に合成石英ガラスを使用することが好ましく、ＧａＣｌなどのIII族ハロゲン化物やＨＣｌと接触する面に合成石英ガラスを使用することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧化とカレントコラプス現象の低減ないしは解消との両立を可能とした窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 基板１と、前記基板１の上に形成された第１の窒化物半導体層３と、前記第１の窒化物半導体層３の上に形成された、前記第１の窒化物半導体層３よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層５とを有し、前記第１の窒化物半導体層３には、その表面から深さ方向に、近似式；ＮＦｅ＝Ａ×ｅｘｐ（Ｂ×Ｃ）、（ＮＦｅ：第１の窒化物半導体層における鉄濃度、Ａ：１Ｅ１４〜１Ｅ１７［ｃｍ^−３］、Ｂ：３〜８［μｍ^−１］、Ｃ：第１の窒化物半導体層における表面からの深さ）によって表わされる深さ方向プロファイルで鉄がドーピングされており、かつ前記第１の窒化物半導体層の表面側には、前記鉄の濃度よりも高い濃度でシリコンをドーピングしてなるシリコンドーピング領域４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶毎のドーパント含有量の再現性向上を図ることが可能な酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ＥＦＧ（Ｅｄｇｅ Ｄｅｆｉｎｅｄ Ｆｉｌｍ Ｆｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ）法による酸化ガリウム単結晶の製造において、酸化ガリウムを含む原料の融点と、原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差が±３００℃内に設定されるドーパント酸化物を原料に添加した後、坩堝３内で溶融し、融液２に種結晶１０を接触させて融液２から酸化ガリウム単結晶１３を結晶成長させる。酸化ガリウムを含む原料の融点と、前記原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差を±３００℃内に設定することにより、前記原料に対する前記ドーパントの蒸発量制御が容易となる。従って、結晶成長させる酸化ガリウム単結晶に含有されるドーパント含有量の制御が容易化される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率が高い発光中心添加ＣｓＩ柱状膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】柱状のＣｓＩ結晶から構成されるＣｓＩ柱状膜２を蒸着法により作製する工程と、ＣｓＩ柱状膜２と発光中心原料１とを非接触な状態で閉空間３に配置し、ＣｓＩ柱状膜２を、発光中心原料１の昇華温度以上、柱状の形態を維持可能な温度以下の範囲で加熱し、かつ発光中心原料１を昇華温度以上に加熱し、ＣｓＩ柱状膜２に発光中心を添加する工程からなることを特徴とするシンチレータの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 真空紫外領域で高輝度発光するフッ化物を提供する。また、該フッ化物からなり、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新規な真空紫外発光素子、及び低バックグラウンドノイズのダイヤモンド受光素子やＡｌＧａＮ受光素子を、従来の光電子増倍管の代替として組み込んだ小型の放射線検出器に好適に使用できる真空紫外発光シンチレーターを提供する。
【解決手段】 Ｎｄを添加したＫＣａＦ_３からなるフッ化物結晶及び、該結晶を用いることを特徴とする真空紫外発光素子、及び真空紫外発光シンチレーターである。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの抵抗率及び成長させるエピタキシャル層の厚さと、ミスフィット転位の発生有無との関係を特定し、所望する抵抗率及びエピタキシャル層の厚さの指定を受け付け（ステップＳ１）、ミスフィット転位が発生するか否かを判定し（ステップＳ２）、発生すると判定した場合に、ゲルマニウムと赤燐をドープすることにより所望の抵抗率となるウェーハのためのシリコンインゴットを生成し（ステップＳ４）、ウェーハを切り出し（ステップＳ７）、受け付けたエピタキシャル層の厚さ以下のエピタキシャル層を形成する（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】良好なサーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】サーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子の製造方法であって、バナジウム（Ｖ）を含む物質Ａと、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）またはその水和物（Ｎ_２Ｈ_４・ｎＨ_２Ｏ）と、水とを含み、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粒子を実質的に含まない溶液を水熱反応させることにより単結晶微粒子を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基板の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基板の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させる。このように、バッファ層の堆積レートＲｔとバッファ層の平均の厚さＴを適切に管理することにより、バッファ層の上に形成された窒化物半導体結晶の表面モフォロジーの良好な平坦性が実現できるとともに、結晶欠陥であるピット発生数Ｎｐをきわめて小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】単結晶の抵抗値を再現性よく制御でき、歩留まりが向上する化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一酸化炭素を含む不活性ガス雰囲気中で、ルツボ内に収容した化合物半導体結晶の原料および封止材を、原料の融点以上に加熱して融解させると共に原料融液の温度を最高到達温度に保って原料融液上に融解した封止材の層を形成し、しかるのち、その封止材の層と原料融液の界面の温度を融点以下に下げ、かつ原料融液に種結晶を接触させると共にこれを引き上げて単結晶を得る化合物半導体結晶の製造方法において、最高到達温度及び／又は封止材の含有水分量を制御して、原料融液に含ませる炭素濃度を調整し、これにより、単結晶の炭素濃度を調整して単結晶の抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶性を良好に維持するとともに、成長させる結晶の面積を大きくする結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】結晶成長方法によれば、複数の種基板１０を、種基板１０の成長する面が{００１}面となるように種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶２０を成長させる成長工程とを備えている。そして、成長工程では、複数の種基板１０の各々の表面１２上に成長した結晶２０の各々が一体化するように１１００℃を超えて１３００℃以下の温度で成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体膜へのＶ族元素のドーピング効率を向上させて、電子素子への実用に供することが可能なダイヤモンドのｎ型半導体膜を提供する。
【解決手段】気体におけるＡｓと炭素Ｃとの比率（Ａｓ／（Ａｓ＋Ｃ））が２ｐｐｍ〜５０００００ｐｐｍの範囲になるように炭素を含む原料ガスとＡｓドーパントガスを用い、マイクロ波パワーが３５０Ｗから７５０Ｗの範囲にあり、基板表面温度が７００℃から９００℃の範囲にあり、Ａｓ流量が１マイクロモル毎分から７５０マイクロモル毎分までの範囲にあるマイクロ波プラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）法によりｎ型ダイヤモンドが得られる。マイクロ波パワーが３５０Ｗから７５０Ｗの範囲で、移動度は２００ｃｍ2／（Ｖｓ）程度になり、ｎ型伝導が実現さる。ドーパントとしてＡｓの代わりにＳｂを用いても同様の効果が得られる。 （もっと読む）