【課題】結晶の品質を向上させることができる窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】育成炉と、育成炉内に配置された結晶成長容器と、結晶成長容器を加熱するヒーターと、結晶成長容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、結晶成長容器内に設けた坩堝２と、この坩堝２内に設けた種基板１とを備え、坩堝２内には、炭素粒１８を種基板１とは非接触状態で配置する凹部１７を設けた。また、種基板１の外周より外側に網状壁を設けて炭素粒１８を収容してもよい。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに酸化熱処理を施すことにより、ウェーハの径方向及び厚さ方向の全域にわたってＣＯＰを消滅させる。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２３を浸漬して回転させながらシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１に中性子を照射することによりシリコン単結晶１１にリンをドープする。るつぼ１３から、内部の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン単結晶１１であって、サイズが１００ｎｍ以下でありかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１への中性子の照射によりシリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキを５％以下にする。 （もっと読む）

【課題】高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。
【解決手段】成長室３の内部に設置したＡｌＮ多結晶原料１１を加熱して昇華させ、成長室３の内部の種結晶１２の表面上にＡｌＮ単結晶を成長させるＡｌＮ単結晶の成長方法において、成長室３の内部のＡｌＮ多結晶原料１１の温度におけるＡｌＮの化学量論組成の窒素分圧よりも成長室の外部の窒素分圧を高くし、成長室３の内部と外部のガスの交換を可能とする開口部４を成長室３に設けるとともに、遷移金属および炭素からなる群から選択された少なくとも１種を含むガスを生成するガス生成室を成長室３とは別に設けてガス生成室を成長室３に連結させ、ガス生成室からのガスを成長室３に導入しながらＡｌＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】｛0001｝ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの｛0001｝ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる｛0001｝ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の｛0001｝ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】溶融状態においてリアルタイムでの不純物濃度の検出を可能とするシリコン溶融装置および該装置を用いたシリコン精製装置、精製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコン溶融装置は、溶融シリコンを保持する坩堝を備えた第１チャンバと、開閉可能な部材を介して第１チャンバと連結された第２チャンバと、第１チャンバ内部および第２チャンバ内部を移動可能な回転冷却体とを具備し、上記第２チャンバ内部に、回転冷却体の少なくとも一部を溶融シリコンに浸漬することにより形成された凝固シリコンに含まれる不純物濃度を検知する機構を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶や育成中のシリコン単結晶に転位が導入された場合であっても、新しい種結晶を使用せずに、無ネッキング法によりシリコン単結晶を育成する方法等を提供する。
【解決手段】特定の濃度のドーパントを含有する種結晶７を使用し、シリコン単結晶６の製造中に、種結晶７もしくは育成中のシリコン単結晶６に転位が導入された場合には、種結晶７を新たな種結晶７に交換することなく、種結晶７を融液５に前回着液させたときよりも深く融液５に浸漬させ、又は、種結晶７が別のシリコン単結晶６の製造で使用されたことのある再生品であり、かつ種結晶７が転位を含む場合には、種結晶７の端部のうち転位を含む端部を融液５に着液させてから、種結晶７のうち転位を含む部分を融液５に浸漬させ、種結晶７のうち融液５に浸漬させた浸漬部分を溶融させた後、種結晶７からネッキング部を設けずにシリコン単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の悪化を抑制するとともに、ＰＬ特性の悪化を抑制することができるＩｎＰ基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩｎＰ基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板の製造方法は、以下の工程（ステップ）を備えている。ＩｎＰインゴットを準備するＳ１。このインゴットは、ＩｎＰからなっていてもよく、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。次に、準備したインゴットからＩｎＰ基板をスライス加工した後Ｓ２、ＩｎＰ基板を、研磨剤、化学研磨液などを用いて研磨しＳ３、ＩｎＰ基板を準備する。次に、研磨したＩｎＰ基板を前処理するＳ４。前処理により、研磨剤、化学研磨液などを除去する。続いてＩｎＰ基板を硫酸過水で洗浄しＳ５、この後、ＩｎＰ基板をリン酸で洗浄するＳ６。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層（失透）を発生させると同時に単結晶中のＬｉ濃度を制御することにより、単結晶育成時の有転位化を防止し、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理で酸化膜厚のばらつきを抑制でき、長時間に亘る単結晶引き上げの操業に際しても単結晶歩留まりと生産性を向上させることを、低コストの定電圧電源装置を用いて行う方法を提供する。
【解決手段】原料融液３から単結晶４を引き上げた後、ヒーター２の電源１０を落とさずに残りの原料融液３に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶４を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶４の引き上げを行う方法において、最初の単結晶４の引き上げを行い、その後最初の原料溶融開始から所定時間が経過してから、石英坩堝１ａの外壁と単結晶４を引き上げる引上ワイヤー又は引上シャフト５に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】温度係数が劣化することなく、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数を向上させ、かつ結晶育成が容易な、高品質の表面弾性波素子用基板、及びその製造方法の提供。
【解決手段】鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の１．１倍以上である表面弾性波素子用基板の形成。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮの製造において、Ｇｅを効率的に添加する方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板１９を、その一端が保持用台座１８上となるように配置する。これにより、坩堝１１底面に対して種結晶基板１９が傾斜した状態で保持されるようにし、種結晶基板１９と坩堝１１底面との隙間に固体ガリウム１６、固体ゲルマニウム１７を配置し、種結晶基板１９上に固体ナトリウム２０を配置する。以上のように材料を配置してＮａフラックス法により種結晶基板１９にＧａＮ結晶を育成すると、ナトリウムとゲルマニウムの合金が生じる前に、ガリウム融液にゲルマニウムが融解するので、ＧａＮ結晶にＧｅを効率的にドープすることができる。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能なシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗値が０．０２Ωｃｍ〜１ｋΩｃｍとなるようにボロンがドープされ、初期酸素濃度Ｏｉが、１４．０×１０^１７〜２２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３(Ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）とされたシリコン単結晶基板に対して、その表面にエピタキシャル層を成長するエピタキシャル工程Ｓ２と、該エピタキシャル工程Ｓ２の前後において、処理温度１１５０℃〜１３００℃の範囲、保持時間５ｓｅｃ〜１ｍｉｎの範囲、降温速度１０℃／ｓｅｃ〜０．１℃／ｓｅｃの範囲とされる析出溶解熱処理工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】多種のオプトエレクトロニクスデバイスの製造工程におけるエピタキシャル成長用基板として使用される低転位の窒化物バルク単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの六方格子のｃ軸に垂直な面の断面積が１００ｍｍ^２以上、結晶の厚さが１．０μｍ以上、Ｃ面の表面転位密度は１０^６／ｃｍ^２以下であり、またさらに加工可能な表面積が好ましくは１００ｍｍ^２以上である非極性のＡ面あるいはＭ面プレートを少なくとも１つ作るのに十分な大きさがある窒化物バルク単結晶であって、その製法は、第一基板３を銀からなるマスク層４により部分的に覆うことにより横成長にさせやすい表面６を形成したあと、XIII族元素含有フィードストックをアンモニア含有超臨界溶媒に溶解させ、前記表面６上から横方向に成長が進行し、横方向成長の結果として、前記マスク層４上にガリウム含有窒化物のバルク単結晶７が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、例えば、電子感知器、高出力電子機器等の分野や装飾用途（例えば、磨製ジェムストーン）等に使用することができる、ホウ素濃度が均一に分布しているダイヤモンドを提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＶＤにより製造され、ホウ素濃度が均一になっている単結晶ホウ素ドーピングされたダイヤモンド層で、この層は、単一の成長部分から形成されているか；又は、１００μｍを超える厚さを有しているか；又は、１ｍｍ^３を超える体積を有しているか；又は、そのような特徴の組み合せを有するものである。 （もっと読む）

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

物理的気相輸送成長システムは、ＳｉＣ原料及びＳｉＣ種結晶を間隔を隔てて収容する成長チャンバと、該成長チャンバ内に配置された少なくとも一部がガス透過性の覆いとを備えている。該覆いは、該ＳｉＣ原料を含む原料区画と該ＳｉＣ種結晶を含む結晶化区画とに該成長チャンバを分離する。該覆いは、該結晶化区画において該ＳｉＣ種結晶上へのＳｉＣ単結晶の昇華成長中に発生する気化ガスと反応可能な材料で形成され、該ＳｉＣ種結晶上への該ＳｉＣ単結晶の成長中に追加のＣ源として振舞うＣを有する気化ガスを生成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化がおこらない高品質な太陽電池用のＳｉ結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ドープ元素としてＧａとＧｅとを含有し、チョクラルスキー法またはキャスト法で製造される。ドープ元素として、Ｂを含有していてもよい。Ｇａの濃度は２×１０^１４atoms/cm^３以上、３×１０^１８atoms/cm^３以下の範囲であり、Ｇｅの濃度は１×１０^１５atoms/cm^３以上、２×１０^２０atoms/cm^３以下の範囲であることが好ましい。Ｇａを単独で添加したときの結晶（ａ）に比較してＧａとＧｅとを添加した結晶（ｂ）は、Ｖ字模様で表されるＦＰＤ（Flow Pattern Defect）の密度が低下する。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とする。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、窒素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）