【課題】育成する単結晶が大口径であっても、単結晶中のカーボン濃度を低減し、有転移化を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方に設けられ、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６と、輻射シールド６の上方からルツボ３内に不活性ガスＧを供給するガス供給手段１３、１４、１７と、ルツボ３内を通過した不活性ガスＧを炉体２外に排気する排気手段１８、１９とを備え、輻射シールド６は、輻射シールド６の外周面とルツボ３の内周面との最近接部での隙間面積が溶融液Ｍの液面面積の１０％以上３５％未満であって、且つ、輻射シールド６下端と溶融液面との隙間寸法が輻射シールド６の下端面の径方向の幅寸法よりも短くなるよう配置され、ガス供給手段１３、１４、１７によりルツボ３内に供給された不活性ガスＧは、輻射シールド６の配置によって形成される隙間を経由して排気手段１８、１９により排気される。 （もっと読む）

【課題】透明石英管の内壁に析出物が生ずることを抑止でき、透明石英管を長期間安定して使用し、安定した単結晶育成の継続を容易にすることのできる極めて利便性の高い浮遊帯域溶融装置を提供する。
【解決手段】透明石英管から成る試料室１２内に試料棒１４を配置させるとともに、試料室１２内に雰囲気ガス３２を流入させ、この状態で試料棒１４に複数の赤外線照射手段１８から照射された赤外線を集光させて加熱溶融することで試料棒１４の融液２２を得て、この融液２２を種子結晶上に固化させて単結晶２４を育成する赤外線集中加熱式の浮遊帯域溶融装置１０であって、試料室１２の内壁と試料棒１４との間に、試料棒１４の加熱溶融時に発生する蒸発物を雰囲気ガス３２とともに効率良く試料室１２外へ排出するための透明石英から成る導ガス管２６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光照射によりパターン化シード層を形成するとともに、パターン化シード層上に形成されたＺｎＯウィスカーパターン、それらの作製方法及び用途を提供する。
【解決手段】ＺｎＯウィスカーパターンを作製する方法であって、基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域と無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層の領域を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をＺｎＯナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該ＺｎＯ結晶層の上にＺｎＯウィスカーを結晶成長させることによりＺｎＯウィスカーパターンを作製することからなるＺｎＯウィスカーパターンの作製方法、ＺｎＯウィスカーパターン及びその高伝導性部材。
【効果】デバイス作製に有用なＺｎＯウィスカーパターンを提供できる。 （もっと読む）

【課題】熱歪みを緩和してクラックを抑制することができる化合物半導体単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器２内にルツボ４とヒータ６を配置し、ルツボ４内の化合物原料融液３に種結晶８を接触させた後、ヒータ６の出力を調整しつつ種結晶８を上昇させることにより、種結晶８の下に結晶９を成長させる化合物半導体単結晶製造方法において、成長された結晶９の成長方向の温度勾配が−１５℃／ｃｍより緩やかとなるようにして結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、種結晶となる単結晶SiC基板5上に、C原子を供給するためのC原子供給基板17を重ね、前記単結晶SiC基板5と前記C原子を供給基板17との間に極薄金属Si融液層18を介在させ、1400℃以上2100℃未満の所定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって前記種結晶となる単結晶SiC基板5上に単結晶SiCを液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の成長方法に関する。前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】酸化物等の介在物や不純物元素が鋳塊内に混入することなく高品質な鋳塊が得られるとともに、引き抜き速度を上昇させて生産効率を大幅に向上させることが可能な連続鋳造方法、連続鋳造装置及びこれにより得られる鋳塊を提供する。
【解決手段】溶湯１を一方向凝固させて得られた鋳塊２を連続的に製出する連続鋳造装置１０であって、溶湯１を保持する溶湯保持部２０と、水平方向一方側端部が溶湯保持部２０の下方に位置させられた鋳型３０と、を備え、鋳型３０は、水平方向他方側に向かうにしたがい漸次下方に向かうように水平面に対して傾斜して延在する底面部３１を有し、底面部３１に冷却手段３５が設けられており、溶湯保持部２０から供給された溶湯１を冷却手段３５によって一方向凝固させ、得られた鋳塊２を鋳型３０の底面部３１に沿って連続的に引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶の製造時間が長くなり石英ルツボが劣化し易くなっても、シリコン単結晶のテール部における有転位化を防ぎ安定した操業を可能にする。
【解決手段】 シリコン単結晶の引上げ育成の終了となるテール部形成において、シリコン融液の残湯量Ｙは、石英ルツボの使用時間が所定時間ｐまでは、使用時間に関係せず一定量以上にする。ここで、石英ルツボの使用時間はシリコン融液形成からの積算時間である。そして、所定時間ｐを越えてくると、必要な残湯量Ｙは、石英ルツボの使用時間と共に増加させ、Ｙ≧ａＸ＋ｂ−ａｐの式を満たすようにする。このようにすることで、シリコン単結晶のテール部形成における有転位化は安定して防止できる。 （もっと読む）

【課題】薄板の製造量を落とすことなく、下地板の融液への浸漬深さを精度よく制御することで、高品質薄板の作製を実現できる薄板製造方法を提供する。
【解決手段】この薄板製造方法は、シリコン融液１００２中に、下地板１０の平面状の表層部を浸漬し、表層部にシリコンを凝固させて薄板を製造する薄板製造方法である。この薄板製造方法では、シリコン融液１００２と下地板１０とは電気回路に含まれており、シリコン融液１００２と下地板１０とが接触する際、下地板１０とシリコン融液１００２との間の電気信号変化が生じる。この電気信号変化を検出することで、下地板１０がシリコン融液１００２の液面に接触したときの下地板１０の位置を検出する。 （もっと読む）

ｒ平面単結晶サファイアを生産するための方法および装置が開示される。この方法および装置はリネージの不在を示す単結晶材料の生産のための縁端限定膜供給成長技術を使用し得る。
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【課題】シリコンインゴット成長方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼにシリコンを装入Ｓ２１０した後、石英るつぼを加熱Ｓ２３０し、石英るつぼの内部に５００ガウス以上の磁場を印加Ｓ２４０して、装入されたシリコンを融解Ｓ２５０させる。そして、石英るつぼの内部に５００ガウス未満の磁場を印加Ｓ２６０し、融解されたシリコンから単結晶シリコンインゴットを成長Ｓ２７０させる。また、石英るつぼにシリコンを装入Ｓ２１０した後、石英るつぼの圧力を５０乃至４００Ｔｏｒｒの範囲で第１圧力に保持Ｓ２２０し、石英るつぼを加熱して装入されたシリコンを融解Ｓ２３０させる。そして、石英るつぼの圧力を５０乃至４００Ｔｏｒｒの範囲で第２圧力に保持Ｓ２２０し、融解されたシリコンから単結晶シリコンインゴットを成長Ｓ２７０させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の長さに応じて単結晶の冷却効率を制御して工程の全区間に亘って均一に無欠陷マージンを維持または増加させ、引上げ速度を向上させることができる極低欠陥半導体単結晶製造方法及びその製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、石英るつぼに収容された半導体メルト（Ｍｅｌｔ）にシード（Ｓｅｅｄ）を浸した後、前記シードを回転させながら上部に徐々に引き上げ固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶製造方法において、単結晶の成長による単結晶の長さ変化に対応して半導体メルト表面上部の熱空間を増加あるいは減少させ無欠陷マージンを制御することを特徴とする極低欠陥半導体単結晶製造方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】融液表面形状が変化しても、融液の表面位置を正確に測定するとともに、融液の表面位置を常に一定に保持できる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】坩堝１２に貯留された融液１３から引上げられる単結晶２４の直径が直径検出手段２６により検出され、融液１３の表面位置を融液表面位置検出手段２９が一次的に検出する。コントローラは直径検出手段２６の検出した単結晶２４の直径変動に基づいて融液表面形状の影響量を算出するとともに、上記融液表面形状の影響量を加味して融液表面検出手段２９の検出した一次的な融液表面位置を補正することにより二次的な融液表面位置を得る。 （もっと読む）

【課題】例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】高い抵抗率の炭化ケイ素の単結晶を製造する方法であって、ケイ素原子を含むガスの流れを囲いに導入し、炭素原子を含むガスの流れを前記囲いに導入し、炭化ケイ素の種結晶を含む前記囲いを１９００℃よりも高温に加熱するに際し、前記種結晶の温度が、加熱された前記囲いに導入された前記ケイ素および炭素原子を含むガスの分圧下において前記種結晶が分解する温度よりも低くなるようにし、前記ケイ素および炭素原子を含むガスの流れおよび前記１９００℃よりも高い温度を、バルク結晶を成長するに十分な時間維持し、前記バルク結晶の成長の間に、少なくとも一つの深い不純物を前記結晶に導入して少なくとも一つの深い内因性欠陥の形成を促し、これにより高い抵抗率の前記結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成において、ネック径の変動率を所定の範囲内に抑制し、ネックにおける転位を早期に排除することができるシリコン単結晶の引上方法を提供する。
【解決手段】種結晶を原料シリコン融液に着液して引き上げていき、ネックを育成した後、増径して所定の結晶径の単結晶を育成するシリコン単結晶引上げにおいて、前記ネック径を増減させてネック育成を行い、その際、増減する前記ネック径の隣接する変曲点Ｐ₁，Ｐ₂間のネック径差（Ａ−Ｂ）を前記変曲点間のネック長さＬで割った値をネック径変動率とした場合、前記ネック径変動率を０．０５以上０．５未満とする。 （もっと読む）

【課題】高品質なＳｉＣ単結晶を長尺で得られるようにする。
【解決手段】回転装置５や加熱装置６の中心軸Ｒ１に対して黒鉛製るつぼ１の中心軸Ｒ２が一定距離Ｌずらされるように黒鉛るつぼ１を配置すると共に、ＳｉＣ単結晶基板３における螺旋転位発生可能領域４ｂが回転装置５および加熱装置６の中心軸Ｒ１と一致させる。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３にＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、ＳｉＣ単結晶４のうちの螺旋転位発生可能領域４ｂがその周囲の領域と比べて高温になることを防止できる。したがって、ＳｉＣ単結晶４の長尺の成長が可能となり、大口径の高品質結晶を多数枚得ることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】種結晶の炭化現象を抑制でき、ＳｉＣ単結晶が所望の結晶形以外の異種多形になることを防止できるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶４の成長初期の段階には小径原料２ａの昇華ガスにより結晶成長が行われるようにし、成長初期以降には大径原料２ｂの昇華ガスにより結晶成長が行われるようする。このようにすることで、小径原料２ａと大径原料２ｂとを併用してもＳｉＣ単結晶４の成長初期に所望の結晶形以外の異種多形になることを防止できる。そして、本実施形態の製造方法によれば、小径原料２ａのみによってＳｉＣ単結晶４を成長させる場合と比べて原料コストを削減することが可能となるため、大量生産にも適したＳｉＣ単結晶４の製造方法とすることができる。 （もっと読む）