【課題】目的とする炭化珪素単結晶とは異なる異種多形の少ない良質な単結晶インゴットが生成される炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素を含む種結晶６０と昇華用原料とを離間させて配置すると共に、これらの種結晶６０と昇華用原料を加熱して、昇華用原料から生成した昇華ガスを種結晶６０に供給し、種結晶６０から単結晶７０、１００を成長させる炭化珪素単結晶７０、１００の製造方法であって、単結晶７０の結晶成長面７０ａに異種多形が生成したときに、この結晶成長面７０ａを炭化させて炭化層９０を形成したのち、炭化層９０から単結晶１００を再度成長させる。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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【課題】低酸素濃度で、かつ直径方向の欠陥分布が均一な無欠陥の単結晶を引き上げることができる単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】周囲に配置されたカーボンヒータ１８によりルツボ１４内の原料融液２３を溶融し、該原料融液２３から単結晶Ｓを引き上げる単結晶製造方法において、前記単結晶Ｓを引き上げる際、該単結晶Ｓの直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、結晶中心部の固液界面近傍の結晶温度勾配をＧｃ（℃／ｍｍ）、結晶周辺部の固液界面近傍の結晶温度勾配をＧｅ（℃／ｍｍ）で表したとき、下部より上部の方が薄肉なカーボンヒータ１８を使用し、前記結晶中心部の温度勾配Ｇｃと前記結晶周辺部の温度勾配Ｇｅとの差ΔＧ＝｜（Ｇｃ−Ｇｅ）｜が０．３℃／ｍｍ以下となるように前記原料融液２３および前記単結晶Ｓを加熱するとともに、引上げ速度Ｖを所望の欠陥領域を有する前記単結晶Ｓが引き上げ可能なように制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層（失透）を発生させると同時に単結晶中のＬｉ濃度を制御することにより、単結晶育成時の有転位化を防止し、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理で酸化膜厚のばらつきを抑制でき、長時間に亘る単結晶引き上げの操業に際しても単結晶歩留まりと生産性を向上させることを、低コストの定電圧電源装置を用いて行う方法を提供する。
【解決手段】原料融液３から単結晶４を引き上げた後、ヒーター２の電源１０を落とさずに残りの原料融液３に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶４を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶４の引き上げを行う方法において、最初の単結晶４の引き上げを行い、その後最初の原料溶融開始から所定時間が経過してから、石英坩堝１ａの外壁と単結晶４を引き上げる引上ワイヤー又は引上シャフト５に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】種結晶や育成中のシリコン単結晶に転位が導入された場合であっても、新しい種結晶を使用せずに、無ネッキング法によりシリコン単結晶を育成する方法等を提供する。
【解決手段】特定の濃度のドーパントを含有する種結晶７を使用し、シリコン単結晶６の製造中に、種結晶７もしくは育成中のシリコン単結晶６に転位が導入された場合には、種結晶７を新たな種結晶７に交換することなく、種結晶７を融液５に前回着液させたときよりも深く融液５に浸漬させ、又は、種結晶７が別のシリコン単結晶６の製造で使用されたことのある再生品であり、かつ種結晶７が転位を含む場合には、種結晶７の端部のうち転位を含む端部を融液５に着液させてから、種結晶７のうち転位を含む部分を融液５に浸漬させ、種結晶７のうち融液５に浸漬させた浸漬部分を溶融させた後、種結晶７からネッキング部を設けずにシリコン単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】坩堝に対して濡れ性に劣る原材料融液より中空状単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】底部が閉塞された閉塞部となる円筒形状を有し、閉塞部を円筒形状の内部から外部に貫通する貫通孔１１ｂを有する坩堝１１の内部に保持された原材料７の融液８を貫通孔１１ｂから漏出させ、貫通孔１１ｂ内形状よりも小さな外形状を有する形状制御棒１２を挿通した状態で引下げ操作を行い、シードタッチのために、形状制御棒１２を動作させて融液８をシードタッチ面に向けて送り込ませる。 （もっと読む）

【課題】 装置構成の複雑化を回避するとともに、適切な単結晶生成を可能とする半導体単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】 半導体単結晶の成長速度で移動する低速モードと、半導体単結晶の成長速度を超える速度で移動する高速モードと、を有する種結晶ホルダ５を備えた半導体単結晶製造装置Ａ１であって、種結晶ホルダ５およびルツボ１に対して単一の駆動経路で連結されたサーボモータ７１Ａ，７１Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂの回転量を検出するロータリーエンコーダ７２Ａ，７２Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂを制御するサーボアンプ７５Ａ，７５Ｂと、サーボアンプ７５Ａ，７５Ｂに対して、少なくとも上記低速モードにおいて位置制御指令を送るシーケンサ８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
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【課題】急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能とするシリコンウェーハとその製造方法とを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法により育成する引き上げ工程と、スライスされたウェーハを鏡面加工する鏡面処理工程とを有し、前記引き上げ工程において、シリコン単結晶直胴部をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥領域として育成するとともに、このシリコン単結晶からスライスされたウェーハ外周部において同心円状に分布する空孔優勢な無欠陥領域であるＰｖ領域がウェーハ外周部から径方向２０ｍｍ以内の領域に存在せず、それ以外の領域が、格子間シリコン優勢な無欠陥領域であるＰｉ領域からなるように引き上げる。 （もっと読む）

ケーブルの第１の端部に連結された対象物の重量を、対象物を引っ張って測定するシステムおよび方法が開示される。ケーブルはロードセルから吊り下げられたプーリーに亘って送られる。プーリー上のケーブルによって与えられた力は対象物の重量を計算するように用いられる。ケーブルの第２の端部は、ドラムの周りにケーブルを巻き取ることによって、回転した時に対象物を引くドラムに連結される。アームは一方の端部にてプーリーに連結され、もう一方の端部にてフレームに連結される。プーリーとドラムとの間のケーブルが通る通路はアームの長軸に実質的に平行である。水平な力の要素はアームによってフレームに伝達され、ロードセルによって測定された力に影響を及ぼさず、従って対象物の計算された重量の正確さを向上させる。
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【課題】水平方向に磁場を印加するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げにおいても、シリコン単結晶の結晶欠陥の分布を容易に解析することが可能なシリコン単結晶の欠陥解析方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内対流算出工程Ｓ２では、調整されたシリコン融液の物性値を用いて、層流モデルによりシリコン融液の対流を算出する。この時、シリコン単結晶の回転軸に対して対称な２次元軸対称の平面でのシリコン融液の対流を算出する。これによって、従来のような、３次元対流モデルによる計算と比較して、飛躍的にメッシュ数が減少する。このため、例えば、直径が３１０ｍｍ程度のシリコン単結晶であっても、１日程度でシリコン融液の対流を算出する事が可能になる。 （もっと読む）

【課題】特に大直径の単結晶を引き上げて製造する際に、有転位化を効果的に抑制することができ、高品質の単結晶を歩留まり良く製造することができる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶原料をルツボ１６内でヒーター１４により加熱溶融して溶融液１５を生成する工程と、溶融液１５を放置して熟成させる工程と、熟成後の溶融液１５に種結晶を浸漬して単結晶を育成する工程とを含む、チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、熟成工程において、ヒーター１４とルツボ１６を相対的に上下動させる。このとき、ヒーターのヒータースリット下端の移動下限位置が、前記ルツボ内の溶融液の最下端から５ｃｍ上より下の位置となるようにすることが好ましい。万遍無くルツボ内の融液全体を加熱できるので、溶融液中のドーパント等の溶け残りを溶かしたり、ルツボ表面のヒーター熱による局所的な変質を均一にする等の効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いたシリコンシートの製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際に、形成途中のシリコンシートが液面から受ける影響を小さくし、シリコンシートを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液４に下地板１を浸漬させた後に下地板１をシリコン融液４から脱出させて、シリコン融液４の凝固により下地板１上にシリコンシート２を形成するシリコンシート２の製造装置であって、下地板１の表面に形成されたシリコンシート２がシリコン融液４から脱出し終えるときの下地板１の移動速度が、下地板１がシリコン融液４に没入し始めるときの下地板１の移動速度に比べて大きくなるように、下地板１の速度を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引き上げ過程において、トップ側からボトム側までの酸素濃度を均一に保ったまま、部位によるＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）密度の不均一を改善するシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、ルツボ内の溶融液から単結晶を引き上げる工程と、引き上げた単結晶にアフターヒートを行う工程と、アフターヒートを行った単結晶をプルチャンバー内に引き上げる工程とを有する単結晶の引き上げ方法であって、予め、引き上げ炉内の温度測定、又は、シミュレーションにより酸素析出核形成温度領域を求め、アフターヒート工程において、単結晶のボトム側の酸素析出核形成温度領域での滞在時間を、単結晶のトップ側の酸素析出核形成温度領域での滞在時間の１／８〜１／４倍の範囲内になるように、単結晶の引き上げ速度を調節してアフターヒートを行うシリコン単結晶の引き上げ方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良質な炭化珪素単結晶インゴットを高い歩留まりで安定的に成長させることができる炭化珪素単結晶製造用坩堝、並びに炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料を収容する坩堝容器３と種結晶が取り付けられる坩堝蓋４とを有し、坩堝容器３内の炭化珪素原料を昇華させて種結晶上に炭化珪素の昇華ガスを供給し、種結晶上で炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、坩堝容器３と坩堝蓋４には互いにネジ嵌合されるネジ部３ａ、４ａが設けられていると共に、これらネジ部３ａ、４ａの相対的回転により流量調整可能な昇華ガス排出溝１５が設けられている炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、また、このような坩堝Ａを備えた炭化珪素単結晶の製造装置及びこの装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。
【解決手段】パイロメータによって検出される測定スポットの一部は前記半導体ウェハ上であり、該測定スポットの一部は該半導体ウェハの外側であって前記回転サセプタ上であるように前記パイロメータを方向決めし、前記半導体ウェハの不適正な位置とは、前記回転サセプタのポケット内の偏心位置である方法。 （もっと読む）

【課題】冷却部が破損して液体が漏れ出しても、装置内の急激な圧力上昇を抑制することのできる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、種結晶が配置されるルツボ３０と、ルツボ３０の内部空間３１に下方から混合ガスを供給するためのガス導入管５０と、混合ガスの供給経路を妨げない位置にルツボ３０とは離れて配置された冷却部７０を備える。ルツボ３０の底部には貫通孔３０ａが設けられ、貫通孔３０ａを介して混合ガスが供給される。ガス導入管５０は反応容器３０とは離れて配置される。冷却部７０は、ガス導入管５０の側面における反応容器３０側の端部に配置されるとともに、少なくとも一部が反応容器３０より下方に配置されている。そして、冷却部７０の壁部の機械的強度は、反応容器３０の内部領域と対向する部位よりも対向部位を除く部位のほうが低くされている。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
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【課題】ドーパントが多量に添加された低い抵抗率のシリコン単結晶を成長させる場合であっても、シリコン単結晶のテール部分が有転位化することを防止できるシリコン単結晶の製造方法、及びそのような製造方法によって製造されるシリコン単結晶を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコン単結晶６の製造方法は、熱遮蔽部材８が融液５の上方に設けられた引き上げ炉２の内部で、ドーパントを含む融液５からシリコン単結晶６を引き上げ、引き上げ炉２の内部には、引き上げ炉２の外部から供給され、熱遮蔽部材８の下端と融液５との間隙ｄを通過した後に引き上げ炉２の外部に排出されるパージガス１７が流通し、シリコン単結晶６の成長中に、パージガス１７が間隙ｄを通過する速度であるガス流速を増加させることにより、融液５に含まれるドーパントの蒸発を促進させ、融液５に含まれるドーパントの濃度を小さくすることを特徴とする。 （もっと読む）