【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。
【解決手段】シリコンから成る単結晶９をるつぼ４に含まれた融液１１から引き上げる方法において、引上げの間単結晶９は熱シールド２によって包囲されており、熱シールドの下端部３は融液の表面から所定の距離ｈに位置しており、ガス流１０が、単結晶９と熱シールド２との間の領域を下方へ、熱シールド２の下端部３と融液１１との間を外方へ、次いで熱シールド２の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部３における熱シールド２の内径Ｄ_HSが単結晶９の直径Ｄ_SCよりも少なくとも５５ｍｍだけ大きく、下端部３における熱シールド２の半径方向幅Ｂ_HSUが単結晶９の直径Ｄ_SCの２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶のインゴットにおいて、結晶成長軸方向の抵抗率分布の傾きを小さくすることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決方法】チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。また、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により、形成されたインゴット１の引き上げの終端Ａ２から引き上げの初端Ａ１に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット２を生成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の育成において、直胴部の品質低下を防止しつつ、テール部の育成時における析出の発生を安定的に防止する。
【解決手段】シリコン融液２１を加熱するヒータ１５と、シリコン単結晶２０とヒータ１５との間に設けられた熱遮蔽体２２とを有する引き上げ装置１０を用い、直胴部及びテール部の育成時における熱遮蔽体２２と湯面２１ａとの距離をそれぞれＡ，Ｂとし、直胴部及びテール部の育成時における引き上げ速度をそれぞれＣ，Ｄとした場合、Ａ／Ｂを１以上１．６以下とし、Ｃ／Ｄを０．６以上とし、（Ａ／Ｂ）×（Ｃ／Ｄ）で与えられる値Ｆを０．８以上１．３以下とする。これにより、大口径のるつぼ、例えば内径が８５０ｍｍ以上のるつぼを用いた場合であっても、テール部の育成時において析出の発生や直胴部の品質低下を安定的に防止することが可能となる。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】育成すべき素材の融点、直径などが異なる場合であっても、単結晶の安定成長の条件を得ることができ、これにより、望まれる直径の高品質単結晶の育成を図ることができ、しかも加熱強度分布の変動を少なくし、結晶育成が容易な単結晶育成装置および単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】上結晶駆動軸８に支持された原料棒１４と、下結晶駆動軸１２に支持された種結晶棒１６と、加熱手段とを有し、原料棒１４と種結晶棒１６との接触部分を加熱手段で加熱して溶融帯域１８を形成して単結晶を育成する単結晶育成装置において、加熱手段が同等の照射強度のレーザ光を放射する複数の矩形レーザ２ａ、…２ｅと光学手段とから構成されるとともに、溶融帯域１８の円周方向に配設されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で対象物を直接に温度制御でき、熱効率が高く、かつ小型で簡易的な温度制御装置、およびこの温度制御装置を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】この温度制御装置は、真空チャンバ１１内に設置されかつ対象物を配置する伝熱ステージ１２の温度を制御するための温度制御装置であって、ピストン機構部１３Ａと冷凍機冷却部１３Ｂを有し、冷凍機冷却部を伝熱ステージに直接に接触させるように当該冷凍機冷却部が真空チャンバの内部に配置されるようにされた冷凍機１３と、冷凍機の冷却運転動作を制御する制御部１７とを備えるように構成される。また真空処理装置１０はこの温度制御装置を備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の結晶表面の温度分布を直接測定することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】壁部１６ａの内部に水が循環することで水冷される中空筒状の水冷管１６と、水冷管１６の中空部１６ｂに配置され、一定の視野角を持った先端部１７ａが容器９のうち台座１０よりも容器９の底部９ｄ側に配置されると共に台座１０側から容器９の底部９ｄ側に放出される光を先端部１７ａから取り込んで、中間部１７ｂを介して他端部１７ｃに伝達するファイバースコープ１７と、ファイバースコープ１７の他端部１７ｃに伝達された光の強度を検出することにより、視野角に応じた範囲の温度分布を直接測定する可視光用のサーモビューア１８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶上以外の部分に窒化物結晶が析出するのを抑制し、種結晶上へ成長する窒化ガリウム単結晶の生産効率を向上させることのできる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉱化剤を含有する溶液を入れた容器１内でアモノサーマル法により窒化物結晶を製造する際に、容器１および容器１内に設置される部材５、６の表面のうち溶液に接触する部分の少なくとも一部が、タンタル(Ｔａ）、タングステン(Ｗ)およびチタン(Ｔｉ)からなる群より選択される１種以上の原子を含む金属または合金で構成され、且つ、表面粗さ（Ｒａ）が１．８０μｍ未満となるようにする。 （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を、イオン性溶媒６に溶解した溶液または融液中で第１３族金属窒化物結晶１の成長を行う。溶液または融液は下記式（１）で表される窒素濃度Ｘ_Nを有する。式（１）Ｘ_N＝Ｋ・Ｐ^１／２［上式において、Ｘ_Nは溶液または融液中の窒素濃度（ｍｏｌ％）、Ｋは下記式（２）で表される比例定数、Ｐは溶液または融液を含む結晶成長装置内の圧力（ＭＰａ）である。］式（２）Ｋ≧０．００１Ｔ−０．８５［上式において、Ｔは溶液または融液の温度（Ｋ）である。］ （もっと読む）

【課題】反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。
【解決手段】反応容器９の中空部９ｃの外周に、反応容器９の中心軸に沿って延びる第１導入通路９ｄを設け、反応容器９の側部９ｅに、第１導入通路９ｄと反応容器９の中空部９ｃとを接続する第１出口通路９ｉを設ける。そして、第１導入通路９ｄを介して第１出口通路９ｉから反応容器９の中空部９ｃに不活性ガス１５を流すことにより、反応容器９の内壁９ｍと台座１０との間を通過する原料ガス３を希釈する。 （もっと読む）

【課題】上下方向や横断面半径方向におけるドーパント濃度差の発生を防止できる半導体単結晶（インゴット）の引上げ方法及び装置を提供する。
【解決手段】インゴット４の成長に用いる第１るつぼ１に加えて、第１るつぼに補充する融液６を貯留する第２るつぼ２と、第２るつぼを昇降する第２るつぼ支持体５を設ける。第２るつぼ支持体を上昇させて第２るつぼの融液を、引き上げにより固化する量のみを第１るつぼへ逐次供給する固化量融液逐次供給と、インゴットの引き上げ固化とを繰り返しながらインゴットを成長させ、インゴット下方向でドーパント濃度が高くなることを防ぐ。第１るつぼ底面中央部分に突部１ｂを設けて固化の遅いインゴット中央部分の融液量を少なくし、インゴット横断面内の中央部分でのドーパント濃度が高くなることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下となる。 （もっと読む）

【課題】単結晶を、コスト効率よく、簡単な形式で操作することができる結晶引上げプロセスを用いて、高い歩止まりで製造し、該単結晶を、欠陥の少ない半導体ウェハを形成するために適当な表面処理により処理することができ、該半導体ウェハが、不純物濃度の変動により制限されない特に高い最終フラットネスを有している方法を提供する。
【解決手段】半導体材料から成る単結晶（３）を引き上げ、該単結晶（３）から半導体ウェハ（９）を切断し、該半導体ウェハ（９）を研磨し、この場合、使用される研磨パッドが、研磨作用を有する固定的に結合された固体材料を含有しており、研磨作用を有する固体材料を含有しない、９．５〜１２．５のｐＨ値を有する研磨剤を、研磨されるべき半導体ウェハの表面と、研磨パッドとの間に形成される作業ギャップに供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の高品質の単結晶を生成する。
【解決手段】シード結晶とシード・ホルダとの距離を、シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移が、シード・ホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させる。特に、シード結晶及びシード・ホルダが直接接触するときに良好な結果が得られ、接触面は常に１０μｍ以下、好ましくは１μｍ未満である。このような関係を得るために、シード・ホルダ２５に固定されているエッジ・リング・シード・キャップ２７にシード結晶２４を支持している。成長する結晶２６もキャップに支持される。 （もっと読む）

【課題】円錐形の管の管端部のこのような凝固を確実に防止する。
【解決手段】この課題は、粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法において、シリコン製の回転プレートの下位に配置された誘導加熱コイルにより、単結晶の円錐形に拡張された区分を結晶化させ、誘導溶融されたシリコンを、前記プレートの中央開口を取り囲んでおり且つ前記プレートの下方に延びる前記プレートの円錐形の管を通して、単結晶の円錐形に拡張された区分上に位置し且つ円錐形の管の管端部に接触している溶融物に供給し、しかも、単結晶の円錐形に拡張された区分が１５〜３０ｍｍの直径を有して結晶化される限りは、前記管端部の外径が１５ｍｍを下回らないように、前記プレートの下位に配置された誘導加熱コイルによって十分なエネルギを供給することによって解決される。 （もっと読む）

【課題】水素添加した場合のシリコンサブストレートウェハのボイドから発生するエピタキシャル層欠陥を抑制・防止する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、水素、および窒素をシリコン融液に添加し、窒素濃度が３×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン結晶を引き上げる工程と、シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製し、シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法において、単結晶の成長軸方向において所望の範囲内の抵抗率を有する単結晶を得る事ができ、特に、低抵抗率単結晶製造時には偏析現象によって抵抗率が低くなり過ぎないように単結晶を製造するための抵抗率計算プログラムや単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 炉内に配置された石英るつぼに収容された原料融液にドーパントが添加されたドーパント添加融液から、単結晶を引き上げて製造するチョクラルスキー法において用いる前記単結晶の抵抗率を計算する抵抗率計算プログラムであって、前記原料融液のチャージ量、前記ドーパントの添加量、前記炉内の圧力、及び前記単結晶の引き上げ速度をパラメータとして用いて、前記単結晶の軸方向の抵抗率プロファイルを算出するものであることを特徴とする抵抗率計算プログラム。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によりシリコン単結晶を引上げる際に、ギャップの制御とともにシリコン単結晶の育成速度をより高精度に制御し得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボの内径データＲ₁と熱遮蔽板２３の下端とシリコン融液１３の液面との間のギャップの所定値を入力する。単位時間当りで引上げた単結晶１５の体積を算出し、石英ルツボの内径データＲ₁と単位時間当りで引上げた単結晶１５の体積に相当するシリコン融液１３の減少量ΔＭｗから石英ルツボの上昇量ΔＣを算出する。石英ルツボ１２を上昇させた後のギャップを測定しギャップの所定値と比較し、ギャップの所定値と一致しないとき石英ルツボ１２の上昇量を補正する。この補正量から石英ルツボの内径データＲ₂を算出する。石英ルツボの内径データＲ₁を算出した内径データＲ₂を考慮して補正し、補正した石英ルツボの内径データに基づいて単結晶１５を引上げる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）