【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。
【解決手段】 結晶成長を開始させるための種結晶体１１６の原料溶融液１０４への接触に先立ち、種結晶体を降下させてその下端部を原料溶融液中へ浸漬させ、浸漬した種結晶体の少なくとも一部を溶融させた後、種結晶体と原料溶融液を非接触状態にさせる操作を少なくとも１回行う。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶育成の際に少量の原料融液が漏れた場合でも、迅速に湯漏れ（融液漏れ）を検出できる単結晶製造装置、及び湯漏れ検出方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりルツボ５内に収容された原料融液４から単結晶を引き上げる際に使用する単結晶製造装置１であって、少なくとも、前記ルツボ５を支持する支持軸７に、該支持軸７の歪み量を測定する歪み量測定器１１を取り付け、前記歪み量測定器１１により支持軸７の歪み量を測定する。測定された支持軸７の歪み量からルツボ５内の原料融液量を算出し、原料融液量の減少量を求める。この原料融液量の減少量が、結晶成長による融液減少量よりも多い場合、この多い分の原料融液量が湯漏れとして検出される。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を安定してより正確に測定することのできる遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりルツボ内の原料融液２に磁場を印加しながらシリコン単結晶を引き上げる際に、原料融液面上方に位置する遮熱部材４に基準反射体５を備え、遮熱部材４下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法であって、基準反射体５を、遮熱部材下端面４ａに設けられた凹部４ｂの内側に備え、遮熱部材４下端面４ａと原料融液面との間の距離Ａを実測し、基準反射体５の原料融液面に反射した鏡像の位置を定点観測機６で観測した後、シリコン単結晶引き上げ中に、鏡像の移動距離を定点観測機６で測定し、実測値と鏡像の移動距離から遮熱部材下端面４ａと原料融液面との間の距離Ａを算出する。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法による半導体単結晶棒の製造方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶棒等のパラメータの値を検出する段階と、該検出値から誘導加熱コイルへの電力や原料結晶棒の移動速度の制御値を計算する段階と、上記電力や移動速度を制御する段階を、周期的に自動実施してフィードバック制御して半導体単結晶棒を成長させるときに、成長中に、検出段階、制御値計算段階および制御段階の少なくとも１つの段階の周期を変更し、フィードバック制御しつつ、半導体単結晶棒を製造する半導体単結晶棒の製造方法。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】熱輻射シールドの内側にパージチューブが設置されている場合であっても液面レベルを正確に測定する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置１０は、チャンバ１１内においてシリコン融液を支持するルツボ１２と、ルツボ１２内のシリコン融液を加熱するヒータと、ルツボの上方に配置された熱輻射シールド１６と、熱輻射シールド１６の内側に設けられた不活性ガスの整流する略円筒状のパージチューブ１７と、シリコン融液１の液面に映る熱輻射シールド１６の鏡像をパージチューブ越しに撮影するＣＣＤカメラ１８と、熱輻射シールド１６の鏡像の位置からシリコン融液の液面レベルを算出する液面レベル算出部３１と、シリコン融液の液面レベルと鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成する換算テーブル作成部３２とを備え、液面レベル算出部３１は、換算テーブルに基づいて液面レベルを算出する。 （もっと読む）

【課題】操業条件を変更しても、安定したヒーター温度検出を行うことができ、これによってヒーター温度およびヒーター出力を安定して制御でき、安定した操業を行うことができる単結晶製造装置や単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液を保持する坩堝１３を収容するチャンバー１１と、単結晶を引き上げる引き上げ機構１６と、前記原料を加熱する昇降可能なヒーター１２と、該ヒーター１２の温度を検出する温度検出手段１４とを備えた単結晶製造装置１０において、前記温度検出手段１４は、前記ヒーター１２の昇降に伴って昇降することができるものであることを特徴とする単結晶製造装置１０。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特に１５０ｍｍ以上の大直径の半導体単結晶でも、結晶形状の悪化が抑えられ、径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なＦＺ法による半導体単結晶の製造方法、およびこのような製造方法を実施可能な半導体単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】誘導加熱コイルにより原料結晶を回転させながら部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、溶融帯を原料結晶の一端部から他端部へ移動させて、半導体単結晶を回転させながら成長させて製造するＦＺ法半導体単結晶の製造方法であって、半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転方向および／または回転数を変更して、半導体単結晶を成長させる半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の０．５倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】冷却体の冷却能を低下させることなく、シリコン単結晶の製造時におけるＣＯＰ等の結晶欠陥の低減を図ることができ、かつ、シリコン単結晶に転位が発生した場合でも、クラックや割れの発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法及びそれに用いられるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ１４の外周囲に設けられ、ルツボ１４を加熱するヒータ１８と、ルツボ１４の上方に設けられ、シリコン単結晶Ｉｇの外周を包囲し、シリコン単結晶Ｉｇへの輻射熱を遮蔽する熱遮蔽体２０と、熱遮蔽体２０とシリコン単結晶Ｉｇとの間の空間領域に設けられ、シリコン単結晶Ｉｇを冷却する冷却体６０と、シリコン単結晶Ｉｇの転位の発生を評価する評価手段７０と、を備え、評価手段７０により転位の発生を確認した場合には、前記シリコン単結晶Ｉｇを昇温させるために、前記冷却体６０を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の割れや歪みを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶６を中央部が外縁部よりも突き出すような凸形状となる凸成長と、ＳｉＣ単結晶６を中央部が外縁部よりも凹む凹成長とを順番に行う。凸成長の際にはＳｉＣ単結晶６の中央部近辺に引張応力、外縁部に圧縮応力を発生させられ、凹成長の際にはＳｉＣ単結晶６の中央部近辺に圧縮応力、外縁部に引張応力を発生させられる。そして、ＳｉＣ単結晶６を冷却する際にはその逆の応力を発生させられる。このため、ＳｉＣ単結晶６を冷却する際に、ＳｉＣ単結晶６の中央部近辺において圧縮応力と引張応力が発生する部位を両方共に設けることができる。同様に、外縁部においても圧縮応力と引張応力が発生する部位を両方共に設けることができる。これにより、冷却時にＳｉＣ単結晶が割れたり歪んだりずることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長室内部の気体の圧力制御の精度を向上して化合物半導体結晶の製造を行なう、化合物半導体結晶の製造装置および化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶の製造装置は、気体供給部１０１と、結晶成長室１１０と、気体排出部１２０と、圧力制御部１３０、１４０とを備えている。結晶成長室１１０は、気体供給部１０１から気体が供給される。気体排出部１２０は、結晶成長室１１０から気体を排出する。圧力制御部１３０、１４０は、気体供給部１０１と結晶成長室１１０との間、および、結晶成長室１１０および気体排出部１２０との間の少なくとも一方に接続され、かつ結晶成長室１１０と、気体供給部１０１および気体排出部１２０の少なくとも一方とにそれぞれ開放されることで断続的に圧力が変化する。 （もっと読む）

【課題】高品質のエピタキシャル膜を製造することができる、新たな炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル膜を成膜する炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法であって、圧力条件又は基板温度条件のうち、いずれか一方の条件を固定したまま、成膜途中で、他方の条件を、高い設定条件と低い設定条件との間で切り替えることを特徴とする炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華再結晶法、すなわち改良レーリー法によって炭化珪素単結晶を成長させて製造する炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、ウェハ取りの歩留りに優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造することができる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び該製造方法によりウェハ取り歩留り性に優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、該結晶の成長中に、前記種結晶の結晶成長面に対して直角方向に、発熱部材及び坩堝周囲に配置された断熱部材のうち１つ以上の部材を、該種結晶位置に対して相対的に移動させる制御を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納する第１の工程と、前記坩堝を加熱して前記結晶材料と前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属の混合液を形成するとともに、前記坩堝に窒素ガスを供給して、前記種基板上に結晶を育成する第２の工程を備え、前記種基板上の前記混合液の平均流速をα、前記種基板上の最大流速平均値をＡ、前記種基板上の前記混合液の最大流速バラツキをＢとしたときに、前記第２の工程中に式（１）及び式（２）を満たす条件で前記混合液が流動するように、前記混合液を撹拌する。
α≧0.008（m/s） （１）
B／A≦0.6 （２） （もっと読む）

【課題】不純物粒子を確実に捕捉することにより、良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造装置および結晶の製造方法、およびかかる結晶の製造装置に用いられるフィルター部材を提供すること。
【解決手段】結晶の製造装置１は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。結晶の製造装置１は、溶解液５、結晶原料１１および種子結晶１２を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、対流制御板３とこの対流制御板３より上方にフィルター部材４とが、それぞれチャンバー２内の空間を仕切るように設けられている。そして、フィルター部材４は、骨格部４１と、骨格部４１の表面に付着した不純物粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるサファイア単結晶の製造において、単結晶を安定的に成長させ、均一性にすぐれた結晶品質が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱コイル（加熱手段）３０を用いて坩堝２０を加熱し坩堝２０中の酸化アルミニウムを溶融させてアルミナ融液３００を得る第１の工程と、加熱コイル３０により坩堝２０を加熱しつつ坩堝２０中のアルミナ融液３００からサファイアインゴット２３０を引き上げて成長させる第２の工程と、を有し、第２の工程において、サファイアインゴット２３０の成長に伴うアルミナ融液３００の液面Ｓの下降に追随し、且つ、加熱コイル３０の最上部位置Ｔと液面Ｓとの距離Ｈが一定範囲内となるように加熱コイル３０を下降させることを特徴とするサファイア単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。
【解決手段】 単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、前記種基板に向かって開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成されたガス供給管の前記ガス供給口において、前記内筒部から３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を前記種基板に直接供給させ、前記内筒部と前記外筒部との間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを、前記内筒部からのガス供給速度よりも遅いガス供給速度にて、前記種基板に直接供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）