【課題】ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による単結晶製造における単結晶の交互回転において、単結晶の回転量が１回転に満たない場合や、回転方向が反転する場合の結晶形状の悪化を低減し、結晶を安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を移動させて単結晶を製造させる際に、成長中の単結晶の回転方向を、正転方向及び逆転方向とで交互に入れ換えて単結晶を成長させるＦＺ法の単結晶製造方法であって、前記単結晶の交互回転において、一度の回転における正転及び逆転の回転量が、共に予め定められた１回転以上の所定値となるように、単結晶の回転速度に応じてその回転時間を変化させることを特徴とする単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層の提供。
【解決手段】半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。 （もっと読む）

【課題】溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ溶液を収容する容器、
該容器内の該ＳｉＣ溶液を適温に維持する温度制御手段、
ＳｉＣ種結晶をその結晶成長面の裏面全体に面接触した状態で保持する保持手段として作用し、且つ、該ＳｉＣ種結晶を冷却する冷却手段として作用する下端部を有する保持軸、および
該結晶成長面にＳｉＣ単結晶が継続的に成長するように、該結晶成長面を該ＳｉＣ溶液に接触させた状態に維持するための該保持軸の位置制御手段、
を備えたＳｉＣ単結晶の製造装置であって、
該保持軸の下端部は、該面接触した該結晶成長面の面内温度分布を均一化するための均熱手段を有することを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、ＧａＮ結晶を溶解する領域（領域ＲＥＧ１１，ＲＥＧ２１，ＲＥＧ３１）と、ＧａＮ結晶を種結晶から結晶成長する領域（領域ＲＥＧ１２，ＲＥＧ２２，ＲＥＧ３２）と、柱状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１３，ＲＥＧ２３，ＲＥＧ３３）と、板状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１４，ＲＥＧ２４，ＲＥＧ３４）とを含む。混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンに結晶化反応系の１つ以上の成分を曝露することによって、いろいろな結晶形成、構造形成又は相形成／相変化の反応経路又はシステムに影響を及ぼし、コントロールし、及び／又は導く新しい方法に関する。
【解決手段】第一の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンを結晶化反応系に印加することができる。第二の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンをコンディショニング結晶化反応系に印加することができる。スペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンは、例えば、反応容器とは別の場所で（例えば、コンディショニング反応容器で）印加することができる、又は反応容器において（又は、に対して）、しかし他の（又は全ての）結晶化反応系関与物質が反応容器に導入される前に、印加することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の抵抗率の半導体ウェーハを効率よく提供するために、インゴットの状態で抵抗率を測定し、それに基づいて、無駄のない効率的な半導体ウェーハを製造する製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴットから半導体ウェーハを製造する方法において、前記単結晶インゴットの側面における成長軸方向の抵抗率分布を測定し、所望の抵抗率を示す所望抵抗率位置を特定して、所定の長さのブロックを切り出し、これから半導体ウェーハをスライスする。この成長軸方向の抵抗率は、いわゆる４探針法による抵抗率測定方法を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ開始時点から引き上げ継続中まで、シリコン単結晶の引上げ工程の全域に渡って、シリコン融液の液面位置を正確に検出し、高品質な結晶特性をもつシリコン単結晶を製造することが可能なシリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】引上げの初期段階では、第一の演算部２４による、遮熱部材１７の実像と鏡像との間隔に基づいてシリコン融液１３の液面位置を設定し、シリコン単結晶が例えば直胴部に移行する段階で、今度は第二の演算部２５に切り替えて、高輝度帯（フュージョンリング）ＦＲの像に基づいてシリコン融液１３の液面位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内にガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料１を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０から結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部２ｅの温度を、結晶１２の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の反り（面方位分布）を抑制するとともに、均質な結晶成長を行うことができる窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、ＨＶＰＥ炉２０において、石英リアクタ７内の結晶成長領域の温度分布を略均一に保持してＧａＮ薄膜２及びストライプマスク４を有する基板１上にＧａＮ厚膜５を成長させるとともに、成長中のＧａＮ厚膜５の反りが予め定めた範囲内になるように当該ＨＶＰＥ炉２０を加熱するヒータ８の制御温度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】分割された黒鉛ルツボを具備する単結晶製造装置を用いて単結晶を引き上げる際、特に低速の回転速度で引上げる場合にも、ヒーター温度を正確に検出し、ヒーター出力を安定して制御することができる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により、前記黒鉛ルツボ及び前記石英ルツボを回転させ、前記ヒーターの温度を測定し、該測定したヒーターの温度を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記石英ルツボ中の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、前記ヒーターの温度を、前記回転する黒鉛ルツボの分割部と対応する円周方向の角度位置に同時に一致しない２以上の測定位置で測定して検出し、該測定したヒーターの温度の２以上の検出値を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記単結晶を引き上げる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】いずれの結晶面についても低転位密度であり大面積であるＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する。
【解決手段】反応容器内に、ＩＩＩ族元素と、アルカリ金属とを含む混合融液を形成する混合融液形成工程と、前記混合融液に窒素を含む気体を接触させて、前記混合融液中に前記窒素を溶解させる窒素溶解工程と、前記混合融液中に溶解した前記ＩＩＩ族元素および前記窒素とから、角錐状のＩＩＩ族窒化物単結晶である角錐状結晶部を、前記角錐状結晶部の底面が所定の面積となるまで成長させる第１工程と、前記混合融液中に溶解した前記ＩＩＩ族元素および前記窒素とから、角柱状のＩＩＩ族窒化物単結晶である角柱状結晶部を、前記角柱状結晶部の高さが所定の高さとなるまで成長させる第２工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜の製造方法は、シリコン基板の上に炭素を含むガスを導入し、このシリコン基板を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度まで急速加熱してシリコン基板の表面を炭化することにより立方晶炭化ケイ素膜を形成する第１の工程、この立方晶炭化ケイ素膜を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度に保持しつつ、この立方晶炭化ケイ素膜の上に、炭素を含むガス及びケイ素を含むガスを導入し、この立方晶炭化ケイ素膜をさらにエピタキシャル成長させる第２の工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】中性子回折法に使用できる程度の大型の良質なタンパク質結晶を再現性よく成長（形成）させることが可能なタンパク質結晶成長装置、及びその方法を提案する。
【解決手段】タンパク質結晶成長装置１は、制御部２と、制御部２に接続され、不活性ガスで密閉されたチャンバー部３と、を備える。制御部２は、タンパク質の原液及び結晶化剤を混合した混合水溶液１５にタンパク質の種結晶１６が入れられたチャンバー部３を減圧する手段と、タンパク質の結晶が形成することにより、チャンバー部３における減圧を停止する手段と、タンパク質の結晶表面が溶解することにより、タンパク質の原液を混合水溶液１５に注入する手段と、を有することとした。 （もっと読む）

【課題】変形及び転位が抑制され、且つテール部が省略されたシリコン単結晶を製造し得る、シリコン単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造方法は、磁場中心Ｌ２における磁束密度が１０００ガウス以上２０００ガウス以下である水平磁場を印加しつつシリコン単結晶２の直胴部４を成長させた後、融液３２の液面に対するシリコン単結晶の相対的な引上げ速度を０ｍｍ／分にし、その後、シリコン単結晶の見かけの重量が減少するまで、その停止状態を維持し、さらに停止状態を維持して、融液に接するシリコン単結晶の成長面全体をシリコン単結晶の引上げ方向と反対方向に凸形状にした後、融液から単結晶を切り離す。 （もっと読む）

【課題】ソルボサーマル法を用いた結晶成長において、より高温、高圧で結晶成長ができるようにする。
【解決手段】高圧容器の中に適切な溶媒を入れ、これに適当な塩基性、中性、酸性の鉱化剤と化合物を入れて、加圧、加熱して結晶を成長させるいわゆるソルボサーマル法において、高圧容器として、加熱する内部容器１と、この内部容器１を入れてその外側を加圧するための外部容器９とを有する二重構造の高圧容器を用い、内部容器１を加熱し、この加熱による内部容器１の内部の圧力の上昇に伴い、外部容器９を加圧して、内部容器１と外部容器９の圧力差が生じないようにし、内部容器１の温度が所定の温度に達したら、その状態を保持して結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶の外周に成長した窒化物結晶において、第１の部分領域と、光学的特性が該第１の部分領域と異なっており、かつ結晶方位を示す光学的特性を有する第２の部分領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）