【課題】結晶化プレートに設けられている結晶化ウェル内に生成されているタンパク質の生成度合いを観察する場合、強磁場から結晶化プレートを取り出す必要がなく、結晶ができていない場合でも、結晶成長が乱されず、つまり、タンパク質が結晶化する過程をその場観察することができる結晶化プレートを提供する。
【解決手段】柱状空間２０を具備するリング体１０と、タンパク質の結晶化に必要な沈殿剤を収容し、上記リング体１０に設けられているリザーバ３０と、タンパク質の結晶が生成される部位であり、上記リング体１０に設けられている結晶生成部４０とを有することを特徴とする結晶化プレートＰＬ１。 （もっと読む）

【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

【課題】安定して高品質なシリコン等の半導体粒子を製造する装置を提供する。
【解決手段】加熱装置３で坩堝１を加熱し、坩堝１内のシリコン原料を溶融させた後、坩堝１内に所望の圧力となるように不活性ガスを供給し、ノズル１ａからシリコン融液４を排出して、管状部材２の落下空間を通過する間に冷却させて結晶シリコン粒子５を形成する半導体粒子の製造装置において、半導体融液を排出するノズル１ａを有する坩堝１と、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を観察し、該排出方向と鉛直方向との成す角度を測定する角度測定手段６と、該角度測定手段６より得られた角度情報に基づき、坩堝１を移動させ、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を制御する方向制御手段７と、を備える。 （もっと読む）

溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

【課題】 坩堝のノズル部からのシリコン融液の排出を中断することなく、結晶シリコン粒子を連続的に低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１aからシリコン融液４を粒状に排出し、排出された粒状のシリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子８を製造する結晶シリコン粒子８の製造方法であって、シリコン融液の単位時間当たりの排出量から排出速度を測定し、坩堝１へ供給されたシリコン原料の単位時間当たりの溶融量である溶融速度が排出速度以上となるようにシリコン原料の供給重量を制御する。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、及びその製造方法に用いられる耐シリコン融液部材を提供する。
【解決手段】坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を製造する結晶シリコン粒子５の製造方法において、ノズル部１ａは窒化珪素を含む材料から成るとともに少なくとも表層部が酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】例えば直径１ｍｍの非常に小さな球状の半導体デバイスを製造するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】システムは、原料２０を融解するために使用されるチャンバ４０内へ原料２０の所定量を供給する供給システムを備える。その後、融解した原料４４は、所定量の融解した原料（液滴）を計量し、それらが冷却され球状のシリコンデバイスに凝固するドロップチューブへ液滴を放出する滴下装置５０に供給される。システムは、ドロップチューブから凝固した球状のデバイスを収容するシリコンパウダーの容器であって、シリコンパウダーを撹拌する攪拌機構を含むシリコンパウダーの容器を備える。システムはまた、デバイスが容器内へ収容された後に凝固した球状のデバイスからパウダーを分離する分離器を備える。 （もっと読む）

【課題】溶融した半導体材料を溶融ルツボの底部より吐出させ、落下管中を落下させながら冷却・凝固させ、落下管の下部に配置されたシリコーンオイル中に粒状半導体を回収する粒状半導体の製造方法において、不純物の混入がなくまた品質が均一な粒状半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】溶融半導体を落下させる落下管水平断面にガス供給ノズルユニット５を設置し、ガス導入ノズルの中心軸を、落下管の水平断面に対して成す角θが下方向へ０°を超え６０°迄の角度を成し、且つ、ノズル開口中心と同心円中心を結ぶ線分に対して成す角φが０°を超え４５°迄の角度になるように設置することにより、導入されるガスは落下管の垂直中心軸に対して螺旋状になって回収装置へ向かって進行し、シリコーンオイルの分解物及び蒸発物は、導入したガス流及び排気ポンプの引力で落下管の上部へ流れることはなく、排気口から回収装置の外へ排気される。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い多結晶もしくは単結晶の粒状シリコンを効率良く生産することが可能な粒状シリコンの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解する溶解炉１、種結晶用の微粉制御機構２と、落下管３と、回収装置４で構成される粒状シリコンの製造装置において、シリコン原料体を溶融ルツボにおいて加熱して溶融し、所定の圧力を前記溶融ルツボ内のシリコン融液上面にかけながら、前記溶融したシリコン原料体を前記溶融ルツボの底部に設けられたノズル穴より吐出させ、前記吐出させた溶融シリコンを、種結晶用の微粉が落下することなく一定の空間に滞留するようにした落下管３内を溶融状態のままで降下させ、微粉を核として結晶成長させるとともに、粒状に凝固させ、回収装置４で回収する。 （もっと読む）

【課題】 多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１０７の一主面に多数個の結晶シリコン粒子１０１が接合され、結晶シリコン粒子１０１の隣接するもの同士の間に絶縁体１０９を介在させるとともに結晶シリコン粒子１０１の上部を絶縁体１０９から露出させて配置し、これら結晶シリコン粒子１０１に透光性導体層１１１が設けられた光電変換装置であって、結晶シリコン粒子１０１は、表面が研磨加工によって滑らかな面とされている。 （もっと読む）

【課題】 溶融落下法（ジェット法）によって粒状結晶を製造する製造装置において、結晶材料の融液を粒状に排出して落下させる坩堝のノズル部のノズル孔の排出口の断面形状等を特有の形状とすることによって、粒状結晶の粒子径を制御できるようにすること。
【解決手段】 粒状結晶の製造装置は、底部にノズル部ｄを有し、ノズル部ｄから結晶材料の融液を粒状に排出して落下させるようにした坩堝１を備えた粒状結晶の製造装置であって、ノズル部ｄは、ノズル孔ｅの排出口の断面形状が曲率の変化部を有する略円形状（楕円形状）または角部を丸めた多角形状である。 （もっと読む）

【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝３のノズル部２からシリコンの融液１を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液１を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝３を振動させる加振手段７と、坩堝３内を加圧して融液４を排出する加圧手段と、排出された融液１を観察する観察手段９と、観察された融液１の落下状態を調節するために加振手段７を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 所望の粒子径かつ均一粒子径の粒状半導体を高い生産性でもって再現性よく製造する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部１ａからシリコンの融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置において、坩堝１を振動させる加振手段と、坩堝１内を加圧して融液を排出する加圧手段と、排出された融液を観察する観察手段４と、観察された融液の液滴の粒子径を所定の粒子径と比較して、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも大きいときには加振手段による振動の振動数を上げ、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも小さいときには加振手段による振動の振動数を下げるように制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】微小重力の宇宙環境で結晶を作製すると結晶成長に伴って発生する対流が抑制されるため高品質の結晶が得られることが多い。地上では、溶液から結晶が析出する場合に発生する対流を抑制する手段はほとんどない。本発明は溶液から結晶が析出する際に発生する対流を抑制する方法および装置を提供する。
【解決手段】説明図３に示すように、溶液から結晶が析出する場合、結晶の周辺で発生する対流を、垂直上むき方向に磁束密度が減少または増加する勾配磁場を溶液および結晶にかけることで抑制することを特徴とする対流の抑制方法および装置。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い球状シリコン単結晶を簡易かつ高効率で得る球状シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器内に保持したシリコン材料を加熱して、溶融する工程、溶融したシリコン材料を融点付近の温度に所定の時間だけ保持して、部分的に凝固させる工程、及び、凝固部分を含む溶融シリコン材料を、前記容器から気相中へ落下させる工程を含む、球状シリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 所定形状の球状半導体を低コストで製造することが可能な、球状半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】 球状半導体の形成材料を含む液滴２を吐出する液滴吐出装置１０と、吐出された液滴２を加熱することにより空中で硬化させる硬化装置３０と、硬化装置３０により形成された非晶質の球状半導体４にレーザ光を照射するレーザ照射装置５２を備え、結晶質の球状半導体６を形成する結晶化装置５０と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 イオン半径が大きく優れたファラデー回転能を有する希土類鉄ガーネットを簡易かつ短時間で製造し得る方法を提供する。
【解決手段】 次の一般式：Ａ_(3-x)Ｂ_xＦｅ₅Ｏ₁₂（式中、Ａはガーネットの24C位置を占めるイオンであって、一般式Ａ₃Ｆｅ₅Ｏ₁₂で表される組成を有する熱平衡的に安定なガーネット相を形成し得るものであり、Ｂは該ガーネット相においてＡを置換し得るイオンであって、Ａよりもイオン半径が大きいものであり、ｘは、前記熱平衡的に安定なガーネット相におけるＢの最大組成比率をｐとした場合に、ｘ＞ｐで表される数である。）で表されるガーネット組成物の製造方法であって、次の工程：略球形であって所定の組成を有する、ガーネット組成物の原料を準備する工程、該原料を空中に浮遊させる工程、該浮遊している原料を加熱して、溶融させる工程、及び、該加熱した原料を急冷して、ガーネット組成物を得る工程、を含む、ガーネット組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大きな結晶粒の粒状シリコンを低コストで製造できるようにする。
【解決手段】 ガスボンベ２７から供給される雰囲気ガスを溶融ルツボ１３の目標圧力と同じ圧力で貯蔵する圧力容器３９を設けると共に、この圧力容器３９と溶融ルツボ１３とを連通させる配管中に電磁バルブＶ３を設ける。そして、降下管１６内をシリコン融液吐出時の目標負圧Ｐ３まで減圧する際に、溶融ルツボ１３内も減圧した後、電磁バルブＶ３を開放して、圧力容器３９内の雰囲気ガスの一部を溶融ルツボ１３内に導入して、該溶融ルツボ１３内の圧力を目標圧力（＝シリコン融液吐出時の降下管目標負圧Ｐ３＋差圧ΔＰ）まで上昇させる。これにより、溶融ルツボ１３内のシリコン融液１７を差圧ΔＰによって溶融ルツボ１３の底部のノズル１５から線状に連続的に流れるように吐出させ、降下管１６内で粒状化したシリコン融液滴を結晶成長させて粒状シリコンを製造する。
（もっと読む）

【課題】溶融滴下法による半導体粒子の製造過程において発生する不純物成分を効果的に溶融装置の外部に排出することにより、高純度の半導体粒子を高速で製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】半導体材料を加熱し溶融させる工程および半導体融液を気相中に滴下する工程の少なくとも一方を、坩堝内または坩堝が収容された外套容器内に一方から希ガスを供給し、他方から希ガスを順次排出しながら行う。 （もっと読む）

【課題】 粒状シリコンの製造工程で、溶融ルツボ底部のノズルから吐出されたシリコン融液滴が雰囲気ガスの不純物で汚染されることを極力防止できるようにする。
【解決手段】 高温加熱炉１１の下部にガス導入口２５を設けると共に、高温加熱炉１１の上部にガス排出口２６を設ける。そして、粒状シリコンの製造工程中に、ガス導入口２５から清浄な雰囲気ガスを高温加熱炉１１の下部に導入して、溶融ルツボ１３直下の雰囲気ガスをガス排出口２６から高温加熱炉１１の外部に排出することで、溶融ルツボ１３直下の雰囲気ガスを浄化する。この状態で、溶融ルツボ１３内で加熱溶融したシリコン融液１７を、該溶融ルツボ１３底部のノズル１５より降下管１６内に吐出させることで、該降下管１６内で粒状化したシリコン融液滴を落下させ、その落下中に該シリコン融液滴を放熱により冷却することで結晶成長させて粒状シリコンを製造する。
（もっと読む）