【課題】イエローグリーンからブルーサファイアの発色を示したサファイア単結晶を得る。
【解決手段】母体Ａｌ_２Ｏ_３に酸化物換算で酸化鉄と酸化チタン及び酸化ニッケルを各々０．５ｗｔ％〜５．０ｗｔ％,０．０４ｗｔ％〜３．０ｗｔ％,０．５ｗｔ％〜５．０ｗｔ％含有し、上記鉄、チタン、ニッケルの一部がイオン化して固溶していることを特徴とするサファイア単結晶とする。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にＣｕを含有する薄膜。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶の製造方法（結晶化方法）に見られる欠点を解消して、簡便に、再現性良く、汎用的に、巨大分子結晶を製造できる新規な方法及びその製造装置を提供すること。さらに、前記の方法により巨大分子結晶を提供すること。
【解決手段】巨大分子及び非電解質ポリマーを含む溶液に紫外光を照射することにより、巨大分子結晶の核形成及び／又は結晶成長をさせる工程を含むことを特徴とする巨大分子結晶の製造方法。巨大分子の溶液に多光子励起が可能な強度の可視光を照射することにより、巨大分子結晶の核形成及び／又は結晶成長をさせる工程を含むことを特徴とする巨大分子結晶の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、２θ＝１６．１±０．２、２０．１±０．２、２０．７±０．２および２４．２±０．２、または２θ＝９．０±０．２、１４．７±０．２、１９．６±０．２、２１．６±０．２および２４．３±０．２のいずれかに主要ピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを特徴とする、３−［［３，５−ジブロモ−４−［４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）−フェノキシ］−フェニル］−アミノ］−３−オキソプロパン酸の新規な結晶形に関する。
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【課題】粒子径が２０ｎｍ以下の無機微粒子からなる高屈折率材料を提供する。
【解決手段】下記一般式；
（１−ｘ）ＴｉＯ_２・ｘＭＴｉＯ_３
（式中、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる原子を表し、ｘは０．１〜０．９の数である）で表されることを特徴とする酸化チタン・チタン酸アルカリ土類複合微粒子、及びアルカリ土類金属イオンとチタニアゾルとを、超臨界又は亜臨界状態の水中にて水熱反応させることからなる、一次粒子径が２０ｎｍ以下であり、酸化チタンの光触媒活性を抑制した、高結晶性酸化チタン・チタン酸アルカリ土類複合微粒子の製造方法。
【効果】光学用ポリマーとの複合化によりポリマーの透明性を低下させることなく高屈折率光学材料を製造し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】
ＴｉＮバッファ層を用いて、結晶性が良好で表面が平坦なIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体素子において、基板と、前記基板の上に形成された窒化チタンからなるバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体層とを備え、前記III族窒化物系化合物半導体層の膜厚を４μｍ以上、１０μｍ以下、前記バッファ層の膜厚を２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

本発明は、活性有機化合物の結晶粒子を製造する方法に関する。この方法は、湿式粉砕プロセスによって微細な種を生成する工程と、微細な種を結晶化プロセスに付す工程とを含む。得られる結晶粒子は約１００μｍ未満の平均粒径を有する。本発明はまた、本発明の方法によって製造される結晶粒子及び薬学的に許容可能な担体を含む医薬組成物も提供する。
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【課題】タンパク質の濃度が低い低濃度条件のタンパク質溶液を用いてタンパク質を結晶化することを可能にして、結晶化条件を探索・スクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】タンパク質溶液の液滴からタンパク質結晶を生成するタンパク質結晶生成方法において、前記タンパク質溶液の液滴の蒸気拡散速度を速めることで結晶核を形成する工程（Ａ）を含むことを特徴とするタンパク質結晶生成方法であり、タンパク質溶液の液滴に含まれる溶媒の吸着剤を用いることで、前記蒸気拡散速度を速めるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】無機材料よりなる多孔質担体の表面に触媒を設けるにあたって、触媒のシンタリングを防止し、触媒量の低減が図れるような触媒体を提供する。
【解決手段】触媒体１００は、コーディエライトよりなる多孔質担体１０を有し、この多孔質担体１０の表面において、当該多孔質担体１０の構成元素であるＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂を種として、シリカライトなどの少なくとも１種のゼオライトの単結晶２０が直接生成されており、このゼオライトの単結晶２０に、Ｐｔなどの貴金属などからなる触媒３０が担持されている。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ガスタービンコンポーネントの強度および耐破損性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】 単結晶コンポーネントの強度および耐破損性を向上させる方法が、概ね、複数のγ´プラテンをもつ単結晶微細構造を備えたコンポーネントを形成するステップと、印加された荷重に関連するプラテンの合体を遅らせるように、コンポーネントが運用される前に、限られた量の特定方向に配向されたプラテンを形成させるステップと、を備える。特定量のプラテンを運転中に予想される引張荷重に対して平行に予配向させる、もしくは運転中に予想される圧縮荷重に対して垂直に予配向させることにより、運転時の荷重によって生じるラフト化を遅らせ、耐クリープ性などの材料特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能な強誘電体保存媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】相異なる分極特性を有する酸化物の単位原子層を積層して、積層（垂直）方向への特定イオンの規則的な配列を通して人工格子の単位構造（スーパーセル）の結晶構造及び対称性を調節することによって異方性（anisotropic）の大きなスーパーセルを形成する。スーパーセル自体が単一分極を有する一つのブロックとして垂直方向に上下２方向にのみ電気分極が発現されるようにし、かかる特徴を有するスーパーセルブロックからなる酸化物人工格子を製造する。酸化物人工格子が１８０°ドメイン構造のみを有するようにすることで、異方性の大きな単一の分域（ドメイン）をナノスケールに形成することができ、情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能となる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル結晶構造を伝播させる修復方法を提供する。
【解決手段】この修復方法は、概して、修復する基体を供給するステップと、予成形された形状で、該修復する基体の領域上に添加材料を配置するステップと、添加材料の全体積とその添加材料に隣接する領域とを溶融温度まで加熱するために熱源を使用するステップと、結晶粒の成長と配向が生じるのに十分な時間、溶融温度を維持するステップと、熱源を凝固が完了するまで所定の制御された速度でランピングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】微小重力の宇宙環境で結晶を作製すると結晶成長に伴って発生する対流が抑制されるため高品質の結晶が得られることが多い。地上では、溶液から結晶が析出する場合に発生する対流を抑制する手段はほとんどない。本発明は溶液から結晶が析出する際に発生する対流を抑制する方法および装置を提供する。
【解決手段】説明図３に示すように、溶液から結晶が析出する場合、結晶の周辺で発生する対流を、垂直上むき方向に磁束密度が減少または増加する勾配磁場を溶液および結晶にかけることで抑制することを特徴とする対流の抑制方法および装置。 （もっと読む）

【課題】蛋白質に代表される生体高分子の結晶核の形成及び結晶化の成功率と作業効率を高められる結晶成長方法及び装置を提供する。
【解決手段】蛋白質の単結晶を蒸気拡散法等によって結晶成長させる装置において、蛋白質を含有する溶液１を結晶化装置ＡまたはＢの溶液保持部に立体的に保持し、通電用配線１８に電流を通し、蛋白質溶液を局所的に加温と非加温を繰り返すことによって、その個所の過飽和度を変動させ、低過飽和度溶液中でも結晶核の形成を促進する。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満である、単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料に関する。本発明は、更に、基板が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満の、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥の密度；０．１ｍｍ^３を超える容量にわたって１×１０^−５未満の光学等方性；及び２０アーク秒未満の、（００４）反射に対するＦＷＨＭ Ｘ線ロッキングカーブ幅の少なくとも１つを有する、その上でＣＶＤ単結晶ダイヤモンドを成長させるための基板を選択する工程を含む、前請求項のいずれかに記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法に関する。
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【課題】光学素子、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、光触媒等に利用可能な六方晶系の単結晶からなるナノチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】硫化カドミウム粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物をグラファイト製の坩堝に入れ、窒素ガス等の不活性ガス気流中において、１１００〜１２００℃で３〜５時間加熱することにより、六方晶系の単結晶からなる硫化カドミウムナノチューブを形成する。このナノチューブ内の一部には、スズを充填することができる。硫化カドミウム粉末の代わりにセレン化カドミウム粉末を用いることで、六方晶系の単結晶からなるセレン化カドミウムナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】有毒ガスを使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にダイヤモンド材料表面上にチオアルキルチオールを導入したダイヤモンド材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チオアルキルチオール基がダイヤモンド材料表面に結合していることを特徴とするダイヤモンド材料。チオアルキルチオール基を介して金属微粒子が結合した金属微粒子修飾ダイヤモンド材料。紫外線照射下、ダイヤモンド材料と一般式（１）で表される環状ジスルフィドを反応させチオアルキルチオールをダイヤモンド材料の表面に結合させることを特徴とするチオアルキルチオール基が表面に結合したダイヤモンド材料の製造方法。
【化５】
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【課題】 エピタキシャル成長時の基板温度を間接測定するアッパパイロメータを比較的短時間にかつ正確に校正して、エピタキシャル基板の品質を向上する。
【解決手段】 温度校正用サセプタ１７に取付けた熱電対２６によりアッパパイロメータ２２を校正した後に、ロアパイロメータ２３の測定値をアッパパイロメータの校正値に一致させる。次にサンプル基板１２上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより間接測定した基板温度とエピタキシャル成長直後に測定したサンプル用基板のヘイズとの相関線を設定し、量産用基板上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより基板温度Ｔｘを間接測定する。更にエピタキシャル成長直後に測定した量産用基板のヘイズを上記相関線に当てはめて量産用基板上へのエピタキシャル成長時の基板温度Ｔｙを推定した後に、この推定温度Ｔｙにアッパパイロメータの測定温度Ｔｘを一致させる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程技術を用いて、高価の装備を使用することなく簡単且つ容易にナノギャップおよびナノギャップセンサを量産することが可能なナノギャップおよびナノギャップセンサの製造方法の提供。
【解決手段】基板に対して異方性エッチングを行うことを含む、ナノギャップ製造方法を提供する。
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【課題】結晶化過程、特に結晶成長過程を経時的にモニターする方法、当該モニター方法を利用することを特徴とする結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の化合物の結晶化過程のモニター方法は、近赤外（ＮＩＲ）スペクトルを用いて行うものであり、具体的には、化合物を融点以上に加熱して溶融状態とした後から一定の温度で保存して結晶化に至るまでの間、化合物の分子構造を構成する官能基の吸光度がどのように変化するかを、近赤外分光計を用いて追跡することにより行われ、該モニター方法により得られる知見を用いて、粒度または結晶形が制御された結晶を製造することにより行われる。 （もっと読む）