【課題】異常粒成長現象が発生する多結晶体における単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】異常粒成長が起こる多結晶体のマトリックス粒子の平均粒径を調節し、これにより異常粒子の個数密度を減少させ、極めて制限された個数の異常粒子だけを生成するか、または、異常粒子の生成を異常粒成長の駆動力の保障範囲内に抑える。この結果、極めて制限された個数の異常粒子だけ、または種単結晶だけを多結晶体中へと成長させ続け、５０ｍｍより大きい単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板１１上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子２０を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子２０を含む非単結晶膜１２を成膜し、この非単結晶膜１２が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜１２を加熱し、無機結晶粒子２０の一部を結晶核として非単結晶膜１２を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜１を製造する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンシートを低コスト・大面積で、かつ再現性があるように製造できる方法を提供する。
【解決手段】単結晶のグラファイト化金属触媒２１０をシート状に形成する工程と、前記単結晶のグラファイト化金属触媒２１０の表面に炭素系物質含有を塗布するか、あるいは、前記単結晶のグラファイト化金属触媒と炭素含有ガスとを接触させることにより、前記グラファイト化金属触媒に炭素系物質２２０を接触させる工程と、前記炭素系物質２２０と接触させた前記グラファイト化金属触媒２１０を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で熱処理する工程と、を含む単結晶グラフェンシート２４０の製造方法により、複数の炭素原子が互いに共有結合してなる多環式芳香族分子からなり、層数が１〜３００層で、ラマンスペクトルの測定時にＤバンドのピーク強度／Ｇバンドのピーク強度の比（Ｄ／Ｇ）が０．２以下である単結晶グラフェンシート２４０が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡＢＯ系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第１の原料液が含む溶媒と第２の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第１の原料液と前記第２の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第１の原料液からなる第１の結晶が断続して形成され、前記第２の原料液からなる第２の結晶が前記第１の結晶相互間に介在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を有さない多結晶アルミナからのサファイアへの変換方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯドープされた多結晶アルミナから構成されるセラミック物品を約８０質量ｐｐｍ〜約８０００質量ｐｐｍの酸化ホウ素でドープして、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を形成させ、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を、結晶粒成長を誘発し、かつ多結晶アルミナをサファイアに変換するのに十分な温度と時間で焼結させる。 （もっと読む）

【課題】 配向膜の大型化および低コスト化を可能にする結晶成長用基板を提供すること。
【解決手段】 本発明による結晶成長用基板は、基材と、基材上に位置し、層状化合物から剥離されたナノシート単層膜とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で光活性の高い結晶面に配向した一次元構造のペロブスカイト型酸化物が基板に対して垂直方向に配向している機能性材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材の表面に形成される被膜からなる機能性材料であって、前記被膜にペロブスカイト型酸化物の柱状物質を含み、前記柱状物質の長手方向がペロブスカイト型結晶の（１１０）方向に配向している機能性材料。
前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質が単結晶であり、また前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質の長手方向が基材に対して垂直方向に配向している機能性材料。 （もっと読む）

【課題】Liイオン電池正極材料として、低い出力密度から高い出力密度においても、大きな容量を示し、安定したサイクル特性および安定なプラトーを有する単結晶スピネル型LiMn₂O₄ナノワイヤーの製造方法、これを使用したハイレート用電極及びＬｉイオン電池の提供。
【解決手段】Mn₃O₄と１〜２０Mの水酸化ナトリウム水溶液を、１〜５００気圧で、１８０〜２５０℃、６時間〜２４０時間で反応させ、反応物を水洗後乾燥させ、単結晶マンガン酸ナトリウム（Na_0.44MnO₂）ナノワイヤーとし、さらに、単結晶マンガン酸ナトリウム（Na_0.44MnO₂）ナノワイヤーを水洗し、乾燥させ、この単結晶マンガン酸ナトリウムと超過のLiNO₃/LiClを、４００〜５００℃において反応させた後、水洗し、乾燥させ、７００〜９００℃で熱処理することで単結晶LiMn₂O₄ナノワイヤーが得られる。 （もっと読む）

【課題】放電遅延時間を短縮させ、温度依存性を改善し、増進されたイオン強度を有するＰＤＰの保護膜を製造するための材料、その製造方法、これより形成された保護膜及び該保護膜を備えるＰＤＰを提供する。
【解決手段】本発明によれば、ＭｇＯ１質量部を基準に２．０×１０^−５〜１．０×１０^−２質量部の希土類元素がドーピングされた酸化マグネシウム単結晶を含む保護膜の材料、約２８００℃の温度で結晶化を通じて前記酸化マグネシウム単結晶を製造する方法、これより形成された保護膜及び前記保護膜を含むＰＤＰを提供する。 （もっと読む）

【課題】 公知の金属薄膜と比較して、より優れた物性を付与しうる金属膜を提供する。
【解決手段】シリコン、酸化シリコン、酸化ベリリウム、酸化アルミニウムのいずれかよりなる基板上に形成されたＴａ膜、Ｗ膜、Ｃｒ膜、Ｍｏ膜のいずれかである金属膜であって、該金属膜は立方晶系の結晶構造を有し、該金属膜は面内方向において１０μｍ以上の範囲にわたって周期的な規則性を示す結晶方位を有し、該結晶方位は、｛１００｝面、｛１１０｝面、｛１１１｝面という各結晶面が現れるように、特定の結晶軸方向を回転軸として徐々に回転する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で任意の場所に金属ウィスカを発生させることができる金属ウィスカの製造方法を提供する。
【解決手段】基板（電極１２）の端面と少なくとも端面に連なる主面の一部とに金属のめっき層１３を形成し、基板（電極１２）のめっきされた主面に対し基板厚み方向に面圧を加えることにより、基板（電極１２）の端面側のめっき層１３表面に金属のウィスカ１５を形成する。金属は、ＳｎまたはＺｎの単金属、あるいはＳｎまたはＺｎを含む合金である。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解および超電導物質の熱処理形成を行うに際して、効率よく、性能が改善された大面積の超電導材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を支持体上に塗布し、乾燥させる工程(1)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(2)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(3)を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程(1)と工程(2)の間でレーザ光をさせて照射する際に、超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を塗布した面の反対側の面からレーザ光を照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ種単結晶上に目詰まりすることなく良好に輸送可能な単結晶ＳｉＣ製造用原料と、その製造方法を提供し、また、その原料を用いて高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる方法、及び、その結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】シリカとカーボンの各１次粒子から実質的になる２次粒子であって、２次粒子形状が直径１〜９０μｍの略球形である単結晶ＳｉＣ製造用原料、並びに、シリカ粒子、カーボン粒子及び溶媒からなるスラリを製造する工程、及び、蒸発装置内でスラリを噴霧乾燥造粒させてシリカとカーボンを含有する２次粒子を製造するスプレードライ工程を含む、単結晶ＳｉＣ製造用原料の製造方法。 （もっと読む）

単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
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【課題】大量生産に適したネオジムガレート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ネオジムガレート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム（セリア）膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
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【課題】大量生産に適したイットリウムアルミネート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】イットリウムアルミネート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム(セリア)膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
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【課題】超伝導薄膜の製造方法のひとつである塗布熱分解法において、結晶化の工程である本焼成に長時間を要するという問題を解決する。
【解決手段】塗布熱分解法において、基材１の上層に超伝導体の構成元素を含む塗布膜３を設ける。さらに塗布膜３表面側に表面側シード材層４を設け、仮焼成、本焼成を行う。本焼成時には、基材１側で表面に向けて結晶化が行われるとともに、前記表面側シード材層４からも基材側に向けて結晶化が行われる。この結果、両方向からの結晶化がなされることで結晶化に必要な時間が短縮される。また、基材１と塗布膜３との間にはバッファ層２を設けるのが望ましい。バッファ層２は、基材１と塗布膜３との化学反応を阻止するとともに、結晶化のシードとして機能する。 （もっと読む）

【課題】固相エピタキシル成長によって、きわめて簡単な工程で効率的に、複数のシリコンナノ結晶細線を有するシリコンナノ結晶材料を製造する方法及びそのシリコンナノ結晶材料を実現する。
【解決手段】シリコン基板１の表面に形成した酸化シリコン薄膜２に、シリコン基板１の表面に達するナノホール６を任意のサイズ及び二次元配列で形成し、ナノホール６内に、レーザーアブレーション法を用いてシリコン１０を供給堆積し、その後、加熱することで、ナノホール６内のシリコン１０をシリコン基板１からの固相エピタキシル成長させて単結晶のシリコンナノ結晶細線１１を形成し、シリコンナノ結晶細線１１から成るシリコンナノ結晶材料１２を製造する。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤー製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に物質膜パターンを形成する段階と、基板上に前記物質膜パターンを覆う第１絶縁膜、第１ナノワイヤー形成層及び上部絶縁膜を順次に積層する段階と、物質膜パターンが露出されるまで上部絶縁膜、第１ナノワイヤー形成層及び第１絶縁膜を順次に研磨して第１ナノワイヤー形成層の一部を露出させる段階と、第１ナノワイヤー形成層の露出された領域に単結晶ナノワイヤーを形成する段階とを含むが、第１絶縁膜及び第１ナノワイヤー形成層の総厚さは、物質膜パターンの厚さより薄く形成することを特徴とするナノワイヤー製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ｃ軸選択配向性ＺｎＯ膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、基板を形成する工程と、上記基板上に積層されたアモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜を形成する工程と１００℃〜２００℃の範囲内の基板温度で、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜上に積層され、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜の存在に応じたＺｎＯ膜を形成する工程と、を含む。上記基板は、シリコン（Ｓｉ）（１００）、Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（１１０）、石英、ガラス、プラスチック又はジルコニア等の材料である。上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、化学気相堆積法、原子層堆積法又はスパッタ法を用いて、堆積される。一般的に、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、３ｎｍ〜１５ｎｍの厚みを有する。上記ＺｎＯ膜を形成する工程では、一般的に、Ｘ線回折により測定される（００２）ピークが（１００）ピークよりも５倍以上大きいＺｎＯ膜を形成させる。 （もっと読む）