【課題】 短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化して、その清浄化された坩堝を用いて化合物半導体結晶を育成する技術を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶育成用のｐＢＮ坩堝（１）の清浄化方法において、そのｐＢＮ坩堝の少なくとも内面をオゾン（５）による処理によって清浄化することを特徴としている。このように、オゾンの高い化学的反応性を利用することによって、短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化することができ、その清浄化された坩堝を用いて高品質の化合物半導体結晶を育成することができる。 （もっと読む）

【課題】 所定の光透過面を有するレンズを得る際に、歩留まりよく効率的にレンズを量産するための原料となるフッ化カルシウム単結晶を提供する。
【解決手段】 本発明は、ほぼ直柱状の直柱部と、ほぼ円柱状であって直柱部の底面の面積よりも大きな面積の底面を有する円柱部と、テーパ状であって直柱部の底面及び円柱部の底面を結合してそれらと一体不可分に形成されるテーパ状部とを有するフッ化カルシウム単結晶であって、直柱部の両底面における同一の所定配向面のなす角度が０°〜５°であるものである。 （もっと読む）

化合物を化合、均質化、および圧密化する方法が提供される。一つの態様において、装入成分を制御された添加法で混合し、次いで新たに形成した化合物を加熱して完全に溶融させたのち、室温で急冷する。代替態様では、成分を、溶媒として作用する一つの成分が過剰にある状態で供給し、加熱してさらなる成分を溶解させたのち、溶媒を化合物から分離して、均質で圧密化した化合物を製造する。本明細書の方法は、CdTe、CdZnTeおよびZnTe化合物を製造するための経済的かつ迅速なプロセスを提供するために好都合に適用される。

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【課題】 １度に多数の結晶シリコンインゴットを製造することができる生産性の高い結晶シリコン製造装置とその製造方法とを提供するものである。
【解決手段】 受台１８に複数の坩堝１６を載せ、その複数の坩堝１６の隣合う側面同士を接触させる。この状態で加熱融解や冷却を行うことで、四隅の角部にのみクラックが発生し、坩堝１６同士が接合する角部にはクラックが発生しない。この結果、本発明は１個の坩堝のみで製造する従来のものと比べて、均質な結晶シリコンインゴットを複数製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時の不純物偏析効果を利用して、エキシマレーザー光を長時間照射しても透過率が低下しない高品質な蛍石の単結晶を効率よく且つ確実に製造することを可能とする蛍石の単結晶製造装置、並びにそれを用いた蛍石単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法による蛍石の単結晶製造装置であって、炉室を形成する炉本体１と、前記炉室を高温側炉室１０ａと低温側炉室１０ｃとに鉛直方向に２室に分離する仕切り部１０ｂに配置されている断熱部材１４ｂと、引き下げ棒１３により前記高温側炉室１０ａと前記低温側炉室１０ｃとの間を前記仕切り部１０ｂを通って移動可能なように設置されたルツボ１１と、前記高温側炉室１０ａ内と前記低温側炉室１０ｃ内とにそれぞれ配置されたヒーターとを備え 前記ルツボの外径Ｒ_２と前記ヒーターの内径Ｒ_１との比（ルツボの外径Ｒ_２／ヒーターの内径Ｒ_１）が０．７６以上である。 （もっと読む）

【課題】IIa・III₂・VI₄組成の化合物のバルク単結晶の確実で安全な作製方法、及び、そのための好適な作製装置を提供する。
【解決手段】（a）VI族元素の蒸気存在下で、III₂VI_３化合物とIIa金属元素とを融解して一般式IIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物を合成する段階、(b)IIa・III_２・VI₄化合物を過冷却点以下まで冷却して該IIa・III_２・VI₄化合物を凝固する段階、(c)凝固した該IIa・III_２・VI₄化合物を再加熱した後徐冷することにより種結晶を作製する段階、（ｄ）該種結晶を用いて、IIa−III-VI族間のIIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物のバルク単結晶を作製する段階、を含む。 （もっと読む）

【課題】大口径の坩堝であっても低転位密度の結晶を育成することができる結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】結晶育成用坩堝１は、種結晶を設置するための円筒状の先端部３と、結晶を育成するために先端部の上方に形成されていて先端部の径より大きい径を有する円筒状の直胴部５とを含む窒化ほう素製坩堝であって、先端部の厚みＴ１と直胴部の厚みＴ２とは０．１ｍｍ≦Ｔ２＜Ｔ１≦５ｍｍの条件を満たし、直胴部の内径Ｄ２と直胴部の長さＬ２とは１００ｍｍ＜Ｄ２および２＜Ｌ２／Ｄ２＜５の条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー効率が良く、しかも安価に、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を製造することができる多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、半導体の種結晶８を底面に配置したルツボ６内に半導体材料７を装入し、不活性な雰囲気下、ルツボ６内で半導体材料７を加熱手段によって加熱融解し、ルツボ６底部から冷却を開始し、徐々にルツボ全体を冷却して融解材料を凝固させる多結晶半導体製造方法であって、特に半導体材料７としてＳｉを用い、種結晶８として３Ｃ−ＳｉＣを用いた点に特徴を有している。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で製造歩留りが向上する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶原料を収容するるつぼ１２の底部に支持軸１３を接合し、そのるつぼ１２の周囲にヒータ１４を配置し、そのヒータ１４でるつぼ１２内の原料を溶融加熱させ、かつるつぼを回転させて単結晶２０を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、るつぼ１２の底部と支持軸１３との接合部３１に雰囲気ガスを流通させてるつぼ１２底部の温度低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法での略（１００）方位の単結晶の製造において、煩雑な設備を要せず、結晶増径部において、双晶が発生することを抑制し、高い歩留りでＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を得る。
【解決手段】種結晶収納部１ａと、増径部１ｂと、結晶成長部１ｃとを有する結晶成長容器１を用い、該容器に原料融液を収納し、該容器底部の種結晶収納部１ａに予め配置した種結晶２より結晶成長を開始して、徐々に上方に結晶化を進行せしめ、ついには原料融液全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、成長結晶の（１００）面と、前記容器の増径部１ｂの上方方向の面（内壁）とのなす角を１４０°以上１８０°以下として成長する。 （もっと読む）

【課題】 フレアの発生が問題にならない屈折率均質性などの光学特性に優れたフッ化物単結晶とその結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 サブバウンダリーによって区画された複数のサブグレインを有し、隣接する前記サブグレインの結晶面方位の相対傾斜角が０．０２度以内、且つ、前記サブグレインの結晶面方位の最大傾斜角が０．２度以内のフッ化物単結晶を光学素子材料に用いる。屈折率均質性の面内分布をＺｅｒｎｉｋｅ多項式近似で分解し、１項乃至３６項成分を差し引いた残渣ＲＭＳ値が２０ｐｐｂ以下とする。坩堝に収納された結晶性物質の原料から単結晶を製造する製造方法であって、１０℃／ｃｍ以下の温度勾配を形成するステップと、０．５ｍｍ／ｈ以下の速度で前記坩堝を移動させることで溶融した前記原料の結晶を成長させるステップと、前記成長ステップで成長させた結晶を、５℃／ｈ以下の冷却速度で徐冷するステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶作製後の加工を最小限にとどめ、かつ切断ロスのないように目的とする製品との形状差が少ない結晶作製方法を提供すること。
【解決手段】製品の仕上がり形状に近い空間を有する坩堝が複数接しており、融液を分離するように少なくとも１つのの坩堝が駆動される。融液を流し込む時は、それぞれの坩堝内の空間がつながっており、すべての坩堝内の空間に融液が満たされる。しかる後、融液が固化する前に少なくとも１つの坩堝が機械的に駆動されることによってそれぞれの空間に満たされた融液が分離される。以上の操作によって分離された融液を固化することによって製品との形状差の少ない結晶を切断工程を経ることなく作製する。 （もっと読む）

【課題】 バウンダリや泡欠陥を低減し、結晶性及び光学特性に優れた結晶を製造することができる結晶製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を製造する結晶製造装置であって、前記原料を収納して結晶成長させる坩堝であって、前記原料の融液を保持する第１の領域と、前記結晶成長が開始する前記坩堝の下部を含む第２の領域とを区画すると共に、前記第１の領域と前記第２の領域とを接続する接続孔を有する仕切り板と、前記坩堝の下部に設けられ、９０度以下の円錐角度を有する円錐形状のコニカル部とを有する坩堝と、前記坩堝が収納される炉内に所定の温度勾配を形成する形成手段とを有することを特徴とする結晶製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 結晶内のサブバウンダリの発生を抑制し、内部透過率などの光学特性に優れた結晶を製造することができる結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】 坩堝に収納された結晶性物質の原料から単結晶を製造する結晶製造方法であって、前記坩堝を移動させることで溶融した前記原料の結晶を成長させるステップと、前記成長ステップで成長させた結晶から単結晶を切り出すステップとを有し、前記切り出しステップは、前記原料から所定の結晶方位を有する母結晶を成長させる際に、前記所定の結晶方位とは異なる結晶方位を有するグレインバウンダリから切り出すことを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）