光起電力電池および他の用途のシリコンを鋳造するための方法および装置が提供される。これらの方法により、鋳造時に種結晶材料の断面積を増やすように結晶成長が制御される炭素分が低いインゴットを成長させることができる。
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【課題】良い結晶学的性質を保証し、且つ、高い凝固速度を達成できるようにすると同時に、実施が容易である半導体物質のウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体物質のウェハは、この物質の液体９からのモールディングおよび方向性結晶化によって形成される。るつぼの底部に置かれているシード８は、密集していない結晶面に沿った配向性を示す。モールド５は、ピストン７を用いてまたは装置内の圧力差の創出によって溶融半導体物質９で充填される。モールド５は、好ましくは、非粘着性の堆積物で覆われている。 （もっと読む）

【課題】球状結晶の製造において、単一サイズの球状結晶を効率良く生産すると同時に、結晶性の高い球状結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】球状結晶９を作製するための原料を溶融坩堝１において加熱して溶融し、所定の圧力を溶融坩堝１内の融液８上面にかけながら、原料の融液８の液流を坩堝１の底部に設けたノズル１２の穴より吐出させ、落下管５中を落下させながら冷却させ凝固させる球状結晶の製造方法において、ノズル１２の穴の下の落下管５中で不活性ガスを一定の周期で間歇的に噴出して、吐出された溶融液流８１を細断して、単一サイズの球状結晶９とする。 （もっと読む）

【解決手段】
通常、シリコンである原ウェハは、所望の端部ＰＶウェハの形状を有する。原ウェハは、急速凝固またはＣＶＤにより作製することができる。原ウェハは小さな粒子を有する。再結晶化される際にシリコンを収容および保護する清浄な薄膜内にカプセル封入され、より大きな粒子構造を形成する。カプセルは、酸素または蒸気の存在下でウェハを加熱して、外表面上に通常１〜２ミクロンの二酸化ケイ素を生成させることにより作製することができる。さらに加熱すると、ウェハが移動する空間内の溶融帯が形成されて、より大きな粒子径の再結晶が生じる。カプセルは再結晶化中に溶融材料を収容し、不純物から保護する。再結晶は大気中で行うことができる。支持板を介した熱転写が、応力および欠陥を最小限にとどめる。再結晶化後、カプセルが除去される。 （もっと読む）

【課題】結晶粒子を、安定した一様な形状および粒径で高効率に製造することができる結晶粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶粒子の製造方法が、（１）鉛直方向に対して傾斜方向に貫通したノズル孔６を有するノズル部３が底部に設けられた坩堝１中において、結晶材料を溶融させて結晶材料の融液４を作製する工程と、（２）ノズル孔６から融液４を排出して粒状にする工程と、（３）粒状の融液４ａを、落下中に冷却して凝固させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有し、かつ低コストに結晶シリコン粒子を連続的に製造可能な結晶シリコン粒子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料供給装置３０は、シリコン原料を貯留するとともに坩堝１へ供給する貯留装置７を有しており、シリコン原料を貯留装置７に供給した後に貯留装置７の内部の圧力を大気圧と同等以下に減圧し、次に不活性ガスを貯留装置７の内部に導入して貯留装置７の内部の酸素濃度を減少させるとともに貯留装置７の内部の不活性ガス圧力を坩堝１の内部の不活性ガス圧力まで加圧する第一の工程と、シリコン原料を坩堝１に供給する第二の工程と、を具備しており、第一及び第二の工程を繰り返す。また、溶融落下製造装置２０において、坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液を粒状として排出して落下させるとともに、落下中に冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を連続的に製造する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン原料を直接球状シリコン単結晶にするとともに、その歩留りを大幅に向上させる。
【解決手段】 高純度粉末状シリコン22を、表面が微細な凹凸構造をし、多数の窪みを有する高純度セラミックス又は石英ガラス又は高純度多孔質セラミックス容器の前記窪み内に収容する。不活性ガス又は高純度不活性ガスにシランガス又はハロゲン化珪素ガスを添加した雰囲気下で前記窪み内の粉末状シリコン22を融解させて前記窪み内に溌液状シリコン23を生成し、その溌液状シリコン23を冷却して球状シリコン結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】フッ化物単結晶中の固体スカベンジャー粒子と酸化物との残留量を十分に低減することによって、優れた光学性能を有するフッ化物単結晶を容易に生産できる製造方法を提供すること。
【解決手段】ルツボ１中に収容されたフッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子を含有する粒子混合物を、温度勾配を設けて加熱することによりフッ化物粒子の融液を得る加熱工程、及び融液を冷却してフッ化物単結晶を得る冷却工程を有し、ルツボ１が、温度勾配の方向に、フッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子の合計量に対する固体スカベンジャー粒子の含有割合が互いに異なる粒子混合物からなる複数の粒子群を収容し、複数の粒子群が、フッ化物粒子を主成分として含む第一の粒子群４Ａと、第一の粒子群４Ａよりも固体スカベンジャー粒子の含有割合が高い第二の粒子群とを含む、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶融落下法によって粒状結晶を製造する際に、落下途中に結晶材料の融液の液滴が合体するのを大幅に抑制して、粒径の揃った多数の粒状結晶を製造できる粒状結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】粒状結晶６の製造方法は、坩堝１の中の結晶材料を溶融して融液を作製する工程と、坩堝１のノズル１ａに３次元運動を行わせる工程と、ノズル１ａから融液を液滴４として排出する工程と、液滴４を落下させる工程と、液滴４を落下中に凝固させる工程と、を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】青色、白色ＬＥＤや各種電子デバイスなどに好適なサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】適度な温度勾配を有する単結晶育成装置１内部に設置した容器３内で原料（酸化アルミニウム）を溶融させ、酸化アルミニウム融液４の液面にサファイアの種結晶５を接触させ、その後種結晶５を周速０〜１２ｍｍ／ｓｅｃの速度で回転させ、種結晶５の引き上げ距離ｄは育成初期の酸化アルミニウム融液４の液面高ｈ１の０〜２０％未満とし、種結晶５を酸化アルミニウム融液４に接触させた後、炉２の温度を０．２〜２°Ｃ／ｈｒで降下させながら育成し、溶融した酸化アルミニウムを固化させて、大型で高品質なサファイア単結晶Ｓを得る。 （もっと読む）

【課題】多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置に好適な結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して凝固させることによって、不純物が偏析した突起部１０５を有する結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の突起部１０５を研磨加工によって除去する。 （もっと読む）

【課題】垂直勾配凝固法を用いた単結晶あるいは多結晶材料、特に光電池用途のシリコンの製造方法及び装置を提供し、及び坩堝断面を多角形、特に矩形あるいは四角形形状に構成することにより材料の損耗を低減する。
【解決手段】坩堝周囲に均質でない温度分布を形成する平坦な平面状発熱体、特にジャケットヒーターを設置する。この温度分布を坩堝の中心に形成される温度勾配に対応させる。平面状発熱体の熱出力を坩堝の上端から下端へ向けて減ずる。平面状発熱体を縦方向あるいは水平方向へ蛇行して延びる複数の平行な加熱ウェブで構成する。これらウェブからの熱出力を導体断面を相違させることによって設定する。坩堝の角部分における局部的過熱を防止するため、ウェブが蛇行して延びる転回ゾーンにおいて断面を狭窄する。平面状発熱体は複数の相互接続された独立分節から作製可能である。 （もっと読む）

【課題】 溶融落下法（ジェット法）によって粒状結晶を製造する製造装置において、結晶材料の融液を粒状に排出して落下させる坩堝のノズル部のノズル孔の排出口の断面形状等を特有の形状とすることによって、粒状結晶の粒子径を制御できるようにすること。
【解決手段】 粒状結晶の製造装置は、底部にノズル部ｄを有し、ノズル部ｄから結晶材料の融液を粒状に排出して落下させるようにした坩堝１を備えた粒状結晶の製造装置であって、ノズル部ｄは、ノズル孔ｅの排出口の断面形状が曲率の変化部を有する略円形状（楕円形状）または角部を丸めた多角形状である。 （もっと読む）

【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】原料の溶媒に対する溶解速度を向上させ、十分な結晶の成長速度を安定して維持することができる結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する１以上の原料充填部を備え、且つ、前記原料充填部の各内部水平断面積の最大値の合計が、前記反応容器の内部水平断面積の１．１倍以上であることを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】 （１１０）方位の化合物半導体単結晶を優れた結晶品質で成長できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 有底円筒形の第１ルツボと、該第１ルツボの内側に配置され前記第１ルツボとの連通孔を設けた第２ルツボとから構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶の製造方法であって、前記第２ルツボとして複数の連通孔を有するルツボを用いて、<１１０>方向に種結晶を引き上げながら結晶成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】ボート法成長方法によるｎ型導電性のIII−Ｖ族化合物半導体結晶の単結晶成長歩留りを向上させる。
【解決手段】Ｇａ又はＧａＡｓ多結晶を収容した結晶成長用ボート設置部と、Ａｓ７を収容したＡｓ設置部と、結晶成長用ボート設置部とＡｓ設置部を隔てる拡散障壁部８を有する反応管１を密封した後、加熱装置を用いて反応管１内の温度分布を制御してｎ型導電性のＧａＡｓ半導体結晶９を成長させるボート法成長方法において、拡散障壁部８の温度を７００℃以上９５０℃未満に保持して、拡散障壁部８にＧａ₂Ｏ₃を析出させ、ＧａＡｓ融液５でのＳｉＯ₂（個体）の生成反応を抑制する。 （もっと読む）

【課題】溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造方法において炭化ケイ素多結晶の生成を抑制する、炭化ケイ素単結晶製造設備を提供する。
【解決手段】ケイ素及び炭素を含有する溶液を保持するるつぼ２、るつぼを加熱する加熱装置３及び種結晶５を保持する種結晶保持部６を有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備１０であって、るつぼの内側面のうちの、少なくとも炭化ケイ素単結晶の製造の間に溶液の液面と接触する部分２ａが、２．０μｍ以下の面粗度Ｒａを有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備１０とする。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。
【解決手段】融点が２０００℃以上の溶接可能な金属製の密閉坩堝の中で化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの少なくとも一種を含む）で表わされる化学量論組成よりも端成分に富む組成からなる結晶原料を加熱融解し冷却することによって結晶化して育成する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ金属の外部への蒸発を抑制してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 反応容器２１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液１８０を保持する。外部反応容器２２０は、反応容器２１０の周囲を覆う。逆流防止装置２４０は、反応容器２１０と外部反応容器２２０との間に配置され、１対のガイド２４１と、逆流防止弁２４２とを含む。配管２７０は、外部反応容器２３０を介して逆流防止装置２４０に連結される。ガスボンベ３４０は、圧力調整器３３０を介して窒素ガスを配管２７０へ供給する。逆流防止弁２４２は、混合融液１８０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管２７０内への拡散を防止するとともに、空間２１３，２２１内の圧力と空間２７１内の圧力との差圧によって配管２７０内の窒素ガスを空間２１３，２２１内へ供給する。 （もっと読む）