【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ径７０ｍｍ以上の大口径で、厚さ２４０μｍ以下まで薄板化した場合でも、反り量が４０μｍ以下となるＧａＰ単結晶ウエハを収率よく提供する。
【解決手段】加工して得られるＧａＰ単結晶ウエハのウエハ径Ｌ_Ｗに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Ｌ_cの比Ｌ_c／Ｌ_wを、１．７以上１．９以下とし、引き上げ方向の結晶長１ｍｍあたりにおける、育成中のＧａＰ単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±１．３ｍｍ以内に規制することにより、反り量が４０μｍ以下であるＧａＰ単結晶ウエハを９０％以上の収率で得ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】引き上げる単結晶の大きさに拘わらず、１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度を有する単結晶を有転位化させることなく育成することができる単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、炉内圧力を４０〜８０ｔｏｒｒ、ルツボ回転数を３〜８ｒｐｍの間で制御すると共に、上下一対の電磁コイル１３，１４により印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比（上部磁場／下部磁場）を０．７〜０．９５の間で制御し、かつ、シリコン溶融液Ｍの液面Ｍ１を０（ｍｍ）位置とし、前記液面Ｍ１に対して垂直である鉛直方向における前記液面Ｍ１から上方向を正の方向、前記液面Ｍ１から下方向を負の方向としたとき、前記単結晶Ｃの中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が０（ガウス）となる０磁場水平位置を−１０〜＋１００ｍｍの間に制御する。 （もっと読む）

【課題】鞍型形状のコイルを用いて印加する水平方向の磁場における、横磁場成分と縦磁場成分の割合を制御することで、引上げる単結晶の局所的な酸素濃度のばらつきを抑制し得る、シリコン単結晶の引上げ方法により引上げられたインゴットから切り出され、外周研削及び面取り加工が施されたシリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】前記シリコン単結晶インゴットの直径が４５０ｍｍ以上であり、かつ面取り加工後のシリコン単結晶ウェーハの直径のうち、外周から１０％の領域を除いて、前記ウェーハの酸素濃度のばらつき（面内酸素濃度差／面内酸素濃度平均値）が５％以下であるシリコン単結晶ウェーハである。４５０ｍｍ又は６７５ｍｍの大口径のウェーハに用いられる。
【選択図】図４
（もっと読む）

【課題】デバイス作製時に耐圧不良やリーク不良を起こさず、低コストで低酸素濃度のウェーハを提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ ’７９）以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりＦＰＤ欠陥及びＬＥＰ欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりＬＳＴＤが検出される欠陥領域を含むものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。 （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低酸素濃度のシリコン単結晶において、Ｌ／Ｄ領域およびＢ−ｂａｎｄ領域を高感度に検出し得る手段を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶の検査方法。一態様は、チョクラルスキー法により育成された格子間酸素濃度（旧ＡＳＴＭ）が１２Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満のシリコン単結晶インゴットから切り出されたサンプルの表面を銅で汚染すること、上記汚染後のサンプルに、７００℃以上８００℃未満の温度域で５分間以上加熱した後に該温度域から２．５℃／分を超える降温速度で急冷する加熱冷却処理を施すこと、上記加熱冷却処理後の前記サンプル表面を選択エッチングすること、上記選択エッチング後のサンプル表面のピットが局在している領域をＬ／Ｄ領域として特定すること、を含む。他の態様は、異なる処理を施した２つのサンプルの対比結果からＢ−ｂａｎｄ領域を特定することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。
【解決手段】炉内に原料フッ化金属と固体含金属スカベンジャとを収容し、炉内を昇温し原料フッ化金属を溶融させ、次いで溶融したフッ化金属を単結晶化するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記固体含金属スカベンジャを、原料フッ化金属の融点以上の温度に保持される炉内の高温部位と、溶融したフッ化金属を単結晶化する工程を通じて、固体含金属スカベンジャの融点以上乃至原料フッ化金属の融点未満、例えば「原料フッ化金属の融点−１５０℃」以下の保持される炉内の低温部位とに分割して収容、好ましくは、低温部位／高温部位の質量比率が０．３〜１．０となるように収容することを特徴とするフッ化金属単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが大口径化された場合であっても、半導体デバイス製造時における熱処理において、スリップ転位の発生を抑制し、半導体デバイスの製造歩留の向上を図ることができるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハ１は、窒素濃度が５．０×１０^１３〜５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、半導体デバイスが形成される第１面２の無欠陥層２ａ厚さは２．０〜１０．０μｍであり、第１面２の無欠陥層２ａの内方に位置する第１面２から深さ１８０μｍまでの第１バルク層２ｂにおける酸素析出物密度は０．７×１０^１０〜１．３×１０^１０ケ／ｃｍ^３であり、第１面２に対向する第２面３の無欠陥層３ａ厚さは第１面２の無欠陥層２ａ厚さより小さく１．０〜９．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ法による無欠陥シリコン単結晶の製造方法において、双晶欠陥が抑制された良質なシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＺ法によってチャンバ内でシリコン単結晶をシリコン融液から引上げて製造する方法において、双晶欠陥のない無欠陥結晶を得るために、前記シリコン単結晶の引き上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比のＶ／Ｇ値を、格子間シリコンの凝集体として形成される転位クラスター領域と格子間シリコン優勢の無欠陥領域の境界Ｖ／Ｇ値より０．２〜０．５％大きい範囲で、かつ、ＯＳＦ領域が出現するＶ／Ｇ値よりも小さい範囲内で制御し、前記シリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】板状酸素析出物を含むシリコンウェーハであってデバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、ＬＳＡ処理を含むデバイスプロセスに供せられるシリコンウェーハであって、ＬＳＡ処理時においてシリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物の対角線長をＳ（ｎｍ）、前記ＬＳＡ処理における最高到達温度をＴ（℃）とした場合、Ｔ×Ｓ^２≦９×１０^６を満たす。本発明によれば、上記の条件でＬＳＡ処理を行うことにより、シリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。
【解決手段】シリコンから成る単結晶９をるつぼ４に含まれた融液１１から引き上げる方法において、引上げの間単結晶９は熱シールド２によって包囲されており、熱シールドの下端部３は融液の表面から所定の距離ｈに位置しており、ガス流１０が、単結晶９と熱シールド２との間の領域を下方へ、熱シールド２の下端部３と融液１１との間を外方へ、次いで熱シールド２の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部３における熱シールド２の内径Ｄ_HSが単結晶９の直径Ｄ_SCよりも少なくとも５５ｍｍだけ大きく、下端部３における熱シールド２の半径方向幅Ｂ_HSUが単結晶９の直径Ｄ_SCの２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化膜耐圧特性に優れ、Ｃモード特性の高いシリコン結晶で構成されるシリコン
ウエハを提供する。また、前記シリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒素及び水素を含有するシリコンウエハであって、泡状のボイド集合体を構
成する複数のボイドが、総ボイド数の５０％以上存在し、ボイド密度が２×１０^４／ｃｍ
^３を超えて１×１０^５／ｃｍ^３未満であるＶ１領域が、前記シリコンウエハの総面積中２
０％以下を占め、ボイド密度が５×１０^２〜２×１０^４／ｃｍ^３であるＶ２領域が、前記
シリコンウエハの総面積中８０％以上を占め、並びに、内部微小欠陥密度が５×１０^８／
ｃｍ^３以上であることを特徴とするシリコンウエハである。 （もっと読む）

【課題】径方向全域にわたりＯＳＦおよびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中の単結晶を囲繞する水冷体１１と、この水冷体１１の外周面および下端面を包囲する熱遮蔽体１０と、上下に分割されてルツボを囲繞する上側ヒータ４ａおよび下側ヒータ４ｂとを配置し、各ヒータ４ａ、４ｂの出力を調整してルツボ底中心部での融液温度を１４９０℃以下に制御しつつ、原料融液９に横磁場を印加しながら、単結晶８の温度が融点から１３００℃までの範囲にて、引き上げ軸方向の温度勾配を単結晶中心部ではＧｃ、外周部ではＧｅとするとき、Ｇｃ／Ｇｅ＞１を満足する条件で引き上げを行う。これにより、径方向全域で無欠陥領域となる引き上げ速度の許容範囲が拡大し、径方向全域にわたり無欠陥領域となる単結晶８を歩留り良く安定して育成できる。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、炭素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造装置１において、成長軸方向の上下２つに分割された下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、低酸素濃度の単結晶シリコンＳを成長させることができる。単結晶中の酸素濃度をさらに低減するためには、シードの回転速度を８ｒｐｍ以下に設定して単結晶の成長を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄厚化に対応しゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。
【解決手段】ＣＺ法により窒素濃度が５.０×１０^１２〜１.０×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、初期酸素濃度が１．４×１０^１８〜１.６×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３として育成されたシリコン単結晶から製造されたシリコン基板であって、表面にデバイスが形成され、その厚みが４０μｍ以下μｍ以上とされるとともに、前記シリコン基板の裏面に２００Ｍｐａ以下〜５Ｍｐａ以上の残留応力が生じる外因性ゲッタリングが付与される。 （もっと読む）