【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造されるインゴットの直径を高い精度で制御できる単結晶直径制御方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴット直径制御方法であって、炉２２内を鉛直上方に引き上げられているインゴット１の直径を、炉内状態視認窓２３を通して計測し、得られた直径データに基づいて製造条件を補正する。前記炉内状態視認窓２３を坩堝２１内の溶融原料の溶融表面を視認できる位置及び角度に設け、前記溶融表面において得られる第一直径データに基づいた前記製造条件の補正の結果を、前記溶融表面から鉛直上方に間隔をあけた位置において得られる第二直径データに基づいて検証してもよい。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】炭素ドープシリコン単結晶の引き上げ時の有転位化を効果的に抑制して、歩留まりを向上させることができる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げにおいて、シリコンの融点から１４００℃の間の引き上げ軸方向の結晶温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した時、少なくとも固化率が２０％までは、Ｇの値が１．０〜３．５［℃／ｍｍ］で、かつ、前記シリコン単結晶の成長中の固液界面の径方向面内中心部のＳｒｃｓ値（ｖｏｎ Ｍｉｓｅｓ相当応力［Ｐａ］を、結晶温度１４００℃におけるＣＲＳＳ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｒｅｓｏｌｖｅｄ Ｓｈｅａｒ Ｓｔｒｅｓｓ）［Ｐａ］で割った値）が０．９以下になるようにシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内の溶融液面において、育成中結晶の外周近傍から外側に向けて流れる離心流（外向流）を形成し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、前記単結晶とルツボ３とを互いに逆方向に回転させ、前記単結晶の回転速度を、該単結晶と溶融液との固液界面における結晶外周の周方向線速度が１５０ｍｍ／ｓ以上となるように制御し、前記ルツボの回転速度を、０〜５ｒｐｍの間で制御することによって、前記溶融液の液面にルツボ中央側から外側に向けて流れる離心流を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、半絶縁性ＧａＡｓウエハ平面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、前記平面内の中心部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満であり、その外周部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５以上である領域及び前記外周部の[０ｌｌ]方向で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満である領域が存在することを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶インゴット成長時の温度制御を良好に行って結晶品質のバラツキを抑制し、高品質の単結晶インゴットを生産性良く成長させることができるヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする
【解決手段】予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御するヒーター出力制御方法。 （もっと読む）

【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ３内に収容した原料７及び液体封止材８を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶４を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶１１を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部１１ａにガス吹き付け装置１２によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を８〜１５℃／ｍｍに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 （もっと読む）

【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａＡｓウェハの製造方法において、成長工程では、ＧａＡｓ単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のＧａＡｓ単結晶の先端部までの長さＴ１と、ＧａＡｓ単結晶の外径Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０.２５≦Ｔ１／Ｔ２≦０.４５であり、ウェハ作製工程で得られたＧａＡｓウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に４０００Ｎ／ｍｍ^２以上４８５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）結晶を、捩れや結晶内の歪を生じることなく容易に製造できる酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）によりテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶を育成する方法において、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げ、所望の大きさ（直胴部）まで結晶径を拡大していく際に、結晶の広がり角θを４５°以上とし、且つ、坩堝の上部で直胴部直径（ｄ）に対して１．３倍以下の内径（Ｄ）を持つ平板円環状のジルコニウム製の絞りを通過させることを特徴とする酸化物単結晶の育成方法により提供する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶９を囲繞する熱遮蔽体１１がチャンバ１内に設けられた単結晶育成装置を用い、ドーパントとしてＳｂまたはＡｓを添加した原料シリコン融液６をチャンバ１内のルツボ２に貯溜し、チャンバ１内に不活性ガスを導入しながらチャンバ１内を減圧した状態で、ルツボ２内の原料シリコン融液６から抵抗率が０．０２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶９をＣＺ法により引き上げ育成する方法であって、直胴部９ｃに続いてテイル部９ｄを育成する際に、チャンバ１内の圧力を直胴部９ｃの育成終了時よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の０．５倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を低減できる単結晶の製造方法、および単結晶から結晶欠陥が発生した部位を効率よく検知して除去することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる過程において、検出される単結晶の直径と引き上げ速度の目標値に基づき、引き上げ速度の操作を制限するスパンおよびヒータ温度の設定値を演算し、引き上げ速度をスパン内で操作するとともに、ヒータ温度を設定値に操作して単結晶の直径を制御する際に、引き上げ速度の実績値から算出される移動平均の揺らぎを制御することを特徴とする単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。
【解決手段】 下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体１１６を１０〜３０ｒｐｍで回転させつつ降下させて、その下端部を融点より１０〜１００℃高い温度に加熱保持した原料溶融液１０４に浸漬させた後、その浸漬から１２０秒以内に種結晶体１１６を上昇させて原料溶融液１０４と非接触状態にする操作を繰り返す。これにより、種結晶体１１６の下端部を平坦形状に再生させることができる。その後、下端部を平坦形状になった種結晶体を用いて単結晶体の育成を開始する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶を得ることができる単結晶の製造方法、およびそれにより製造された単結晶を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる前に引き上げ長に対する引き上げ速度の目標値を設定し、引き上げる過程において、引き上げ速度の目標値および検出される単結晶の直径に応じ、引き上げ速度およびヒータ温度を操作することにより、単結晶の直径を制御する直径方式と（Ｓ６）、引き上げ速度を操作する際の上下限値を引き上げ速度の目標値に基づいて設定するとともに（Ｓ２）、引き上げ速度の目標値を速度の上下限値に基づいて修正することにより（Ｓ３）、引き上げ速度の移動平均を制御する移動平均方式を用いて単結晶を製造する方法であって、引き上げ速度の目標値から算出される移動平均、および引き上げ速度の実績から算出される移動平均に応じ、移動平均方式を有効または無効とする（Ｓ１）。 （もっと読む）

【課題】種結晶を着液させて種付けを行う際のシリコン融液の温度を、簡易な方法でバラツキ無く適正な温度に調節することができるシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶製造装置内のルツボに多結晶シリコン原料を充填し、ヒータで加熱して多結晶シリコン原料を融解した後に、該シリコン融液に角柱形状の種結晶を着液して該種結晶の下方に単結晶を育成するチョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、前記着液された種結晶と前記シリコン融液との界面を撮像手段で観察し、該観察した界面の形状を検出して、該検出した界面の形状を基に前記シリコン融液の温度を調節するシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶を、コスト効率よく、簡単な形式で操作することができる結晶引上げプロセスを用いて、高い歩止まりで製造し、該単結晶を、欠陥の少ない半導体ウェハを形成するために適当な表面処理により処理することができ、該半導体ウェハが、不純物濃度の変動により制限されない特に高い最終フラットネスを有している方法を提供する。
【解決手段】半導体材料から成る単結晶（３）を引き上げ、該単結晶（３）から半導体ウェハ（９）を切断し、該半導体ウェハ（９）を研磨し、この場合、使用される研磨パッドが、研磨作用を有する固定的に結合された固体材料を含有しており、研磨作用を有する固体材料を含有しない、９．５〜１２．５のｐＨ値を有する研磨剤を、研磨されるべき半導体ウェハの表面と、研磨パッドとの間に形成される作業ギャップに供給するようにした。 （もっと読む）