【課題】フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化・簡略化する。
【解決手段】結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ溶液の周辺領域の温度がばらつくのを抑制しつつ、ＳｉＣ種結晶の近傍領域を効率良く冷却可能な、溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】シードシャフト３０と、坩堝１４とを備える。シードシャフト３０は、ＳｉＣ種結晶３６が取り付けられる下端面３４を有する。坩堝１４は、ＳｉＣ溶液１６を収容する。坩堝１４は、本体１４０と、中蓋４２と、上蓋４４とを備える。本体１４０は、第１筒部３８と、第１筒部３８の下端部に配置される底部４０とを備える。中蓋４２は、本体１４０内のＳｉＣ溶液１６の液面の上方であって第１筒部３８内に配置される。中蓋４２は、シードシャフト３０を通す第１貫通孔４８を有する。上蓋４４は、中蓋４２の上方に配置される。上蓋４４は、シードシャフト３０を通す第２貫通孔５２を有する。 （もっと読む）

【課題】所望のサイズや形状の熱電変換材料を安定して得ることができる熱電変換材料製造装置及び熱電変換材料製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の溶融された原料である溶融原料を収納する原料収納部と、前記原料収納部から流入した溶融原料を冷却して凝固させる凝固部と、原料収納部に収納された溶融原料を加圧しながら凝固部に流入させる加圧構造と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶育成終了後の降温時において、低品質の結晶が成長しないようにすること。
【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置は、Ｓｉが混合されたＮａ融液を坩堝１１中の混合融液１４に供給する融液供給装置１７を有している。ＧａＮ結晶の育成終了後、融液供給装置１７によって混合融液１４にＳｉが混合されたＮａ融液を供給し、その後に降温する。ＳｉはＧａＮの結晶成長を阻害する効果があるため、混合融液１４にＳｉが導入された段階でＧａＮ結晶の成長が停止する。したがって、降温中に低品質の結晶が成長することが無くなる。 （もっと読む）

【課題】多結晶の生成を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】
チャンバ１内には、治具４１と、坩堝６とが格納される。坩堝６には、ＳｉＣ溶液が収納される。治具４１は、シードシャフト４１１と蓋部材４１２とを備える。シードシャフト４１１は、昇降可能であり、下面にＳｉＣ種結晶９が取り付けられる。蓋部材４１２は、シードシャフト４１１の下端部に配置される。蓋部材４１２は、下端が開口する筐体であって、シードシャフトの下端部が内部に配置される。ＳｉＣ単結晶を製造するとき、ＳｉＣ種結晶は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。さらに、蓋部材４１２の下端は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。そのため、蓋部材４１２は、ＳｉＣ溶液のうち、ＳｉＣ単結晶周辺の部分を覆い、保温する。 （もっと読む）

【課題】断熱容器内の温度分布を均一に保ちつつ融液を攪拌し、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】反応容器１０と、反応容器１０の外側を囲う断熱容器２０と、断熱容器２０の外側を囲う圧力容器３０と、断熱容器２０及び圧力容器３０を挿通して設けられた駆動軸４１を軸周りに回転させて混合融液３を攪拌する攪拌装置４０と、を有する窒化ガリウム製造装置１であって、駆動軸４１の一端側を気密に収容する収容空間Ｓ１を有する軸ケース４２と、断熱容器２０と圧力容器３０との間において駆動軸４１を軸方向において伸縮自在に囲うと共に、断熱容器２０に形成された駆動軸４１の他端側が挿通する第１孔部２２と収容空間Ｓ１とを結ぶ気密空間を形成するベローズ管５３と、を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】反応容器の気密を保ちつつ融液を攪拌し、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０と、反応容器１０を挿通して設けられた駆動軸４１を駆動させ混合融液３を攪拌する攪拌装置４０と、を有する窒化ガリウム製造装置１であって、攪拌装置４０は、駆動軸４１を軸方向に直動駆動させる駆動装置４５と、上記軸方向において伸縮自在とされ、一端部が駆動軸４１に気密に固定されて他端部が反応容器１０に形成された駆動軸４１が挿通する孔部１２ａを気密に囲って反応容器１０に固定されているベローズ管４４と、を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】製作誤差や熱変形があっても、容易に組立でき、駆動軸の円滑な回転を可能とする結晶成長装置の提供。
【解決手段】複数の容器に囲まれ、加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０と、複数の容器を挿通して設けられた駆動軸４１を軸周りに回転させて混合融液３を攪拌する攪拌装置４０と、を有する窒化ガリウム製造装置１であって、圧力容器３０と断熱容器２０との間において、第１駆動軸４１Ａと第２駆動軸４１Ｂとを偏心可能に、且つ、一体回転可能に軸方向で接続する軸継手６０を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア基板の厚みに関係なく、ＧａＮ結晶のクラックを抑制し、結晶品質を向上させることができるテンプレートの提供を目的とするものである。
【解決手段】板状の結晶基板２２と、前記結晶基板２２の表面に格子定数または熱膨張係数の異なる結晶薄膜２３と、を備え、前記結晶薄膜２３に前記結晶基板２２を露出させる第１の溝２４を設け、前記露出した前記結晶基板の第２の溝２５を設けることで、所期の目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）

【課題】良好な生産効率を維持し、装置規模を削減し、コストを低減できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置２０００は、浸漬機構１５００と、脱着機構と、チャンバー１１００とを備えている。浸漬機構１５００は、融液１１０２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１１０２が凝固した薄板Ｐを形成するためのものである。脱着機構は、下地板Ｓを浸漬機構１５００に脱着するためのものである。チャンバー１１００は、浸漬機構１５００および脱着機構が内部に配置されている。チャンバー１１００は、下地板Ｓをチャンバー１１００の外部から内部に搬入するための第１の開口部１２０１と、下地板Ｓをチャンバー１１００の内部から外部へ搬出するための第２の開口部１３０１とを有している。第１および第２の開口部１２０１、１３０１がチャンバー１１００の内部の雰囲気ガスと大気との境界になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程を経てＩＩＩ族窒化物結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、ＮａとＧａとを含む混合融液２７０を保持する。支持装置４０は、その一方端が混合融液２７０に浸漬される。加熱装置５０，６０は、坩堝１０および反応容器２０を８５０℃に加熱する。圧力調整器１２０は、反応容器２０内の窒素ガス圧が分解モードに含まれる圧力になるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して反応容器２０へ窒素ガスを供給する。流量計２１０は、坩堝１０および反応容器２０内の圧力を保持したままで、流量ｆｒ２からなる窒素ガスを配管１８０へ供給して支持装置４０の一方端の温度を７５０℃に低下させて一定期間保持し、その後、流量ｆｒ１（＜ｆｒ２）からなる窒素ガスを配管１８０へ供給して支持装置４０の一方端の温度を８００℃に上昇させて一定期間保持する。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内壁と半導体材料融液の界面付近から発生する凝固を抑制して、連続生産が可能な固相シートの製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内に半導体材料融液を収容し、半導体材料融液に基板を浸漬することにより、基板表面に固相シートを作製する固相シートの製造方法であって、ルツボ上面およびルツボ外側面の両面に接した輻射反射板を設け、輻射反射板は半導体材料融液からの輻射を反射することが可能な輻射反射部を備え、輻射反射部を半導体材料融液の直上に配置する。 （もっと読む）

【課題】薄板製造装置で連続して薄板を製造すると、融液を保持する坩堝の内壁上に融液の材料を主成分とする凝固物が形成される。該凝固物は薄板の製造を妨げるため、該凝固物を確実に溶融し、薄板を継続的に製造することができる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】該凝固物を溶融するための凝固物溶融機構を備える薄板製造装置および、該凝固物を溶融するための凝固物溶融工程を含む薄板製造方法に関する。該凝固物溶融機構は、融液に浸漬することで融液面の高さを上げ凝固物の少なくとも一部を融液で覆うことが可能な体積を有する体積物と、体積物を融液に浸漬するための体積物浸漬機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】成長基板に成長したシート状基板をその成長基板から自動的に剥離するシート状基板剥離装置と、シート状基板を成長基板から剥離するシート状基板剥離方法を提供する。
【解決手段】シート状基板剥離装置１はシート状シリコン基板を成長させるための成長用基板３と、シート状基板を剥離するための真空吸着パッド１１と、シート状基板を搬送するためのベルヌーイ吸着パッド１３とを備えている。成長基板３には、成長基板３を掴むようにシート状シリコン基板を成長させる第１面、第２面および第３面が設けられている。真空吸着パッド１１は、成長基板において第２面が位置する一端側から第２面と対向する他端側に至る長さの３分の１以下の距離にところに位置する部分に成長したシート状シリコン基板の部分が吸着される。 （もっと読む）

【課題】薄板の製造工程で発生する落下物を再利用し、材料の利用効率を高め、装置のメンテナンスを軽減する。
【解決手段】本発明の薄板製造方法は、坩堝内の融液に下地板の表層部を浸し、下地板の表面で融液を凝固させて薄板を形成する方法であって、融液は金属材料および半導体材料のうち少なくとも一方を含み、下地板から落下する融液の凝固片を、同一の坩堝または異なる坩堝に投入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 液相エピタキシャル成長により、基板上に膜厚ばらつきが少なく、表面平坦性に優れた単結晶膜を製造することを可能とする単結晶の製造方法を得る。
【解決手段】 複数の原料をルツボ２に供給し、複数の原料を溶解させてなる溶液９中に基板７を浸漬し、液相エピタキシャル法により単結晶基板表面において育成させるに際し、基板７が溶液９中に浸漬される際の高さ位置よりも下方に、溶液９内に生じた結晶粒９ａの上方への移動を抑制する遮蔽板１０を配置し、基板７の表面に単結晶膜を育成する、単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 薄板を形成するための薄板形成設備の稼働効率を向上させるとともに、薄板の材料の供給を継続して行うことができる溶融装置を提供する。
【解決手段】 坩堝３１には、薄板の材料２３を溶融した融液２４を貯留するための貯留空間３７が形成される。貯留空間３７内に供給された薄板の材料２３またはその融液２４は、加熱手段３２によって、加熱される。坩堝３１の貯留空間３７は、仕切り手段３４によって、基板２６の薄板形成面２５を融液２４に浸漬させるための浸漬領域６２と、薄板の材料２３を供給するための供給領域６３とに仕切られる。供給領域６３には、供給手段３３によって薄板の材料２３が供給される。薄板の材料２３は、融液２４の液面５０よりも上方から供給される。供給領域６３内で融液２４の液面５０に浮遊する薄板の材料２３は、沈下手段３５によって、融液２４の液面５０下に沈下される。 （もっと読む）

【課題】 冷却体表面に凝固析出して生成される析出板の自壊による破片を適正処理し、析出板の生産に対して悪影響を及ぼすことを防止する。
【解決手段】 溶解炉２４でシリコンを加熱して溶湯２３にし、析出板生成の原板である冷却体２５を、浸漬手段２６によって溶湯中へ浸漬し溶湯中から引上げてシリコンを冷却体の表面に凝固析出させてシート状シリコン２７を製造する。このシート状シリコンの製造に際し、冷却体が溶湯上方位置から離反する方向へ搬送される搬送経路途中に設けられる落下物受容手段２８が、冷却体から離脱して落下するシート状シリコンを受容し、落下物再投入手段２９が、落下物受容手段によって受容されたシート状シリコンを、溶解炉の坩堝３２内へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】 容器内に貯留されて薄板原料となる融液の液面の位置を一定に保ち、長期にわたって安定した品質の薄板を製造することができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】 薄板製造装置１では、シリコンの融液２を坩堝３内に貯留し、下地基板４の結晶生成面を坩堝３内の融液２に浸漬して、シリコンを下地基板４の結晶生成面で凝固成長させて薄板であるシリコンウエハを製造するに際し、坩堝３内に貯留される融液２の量が減少して液面高さが低下したとき、容器位置調整手段１８が、融液２の液面の位置が重力方向において一定になるように坩堝３の位置を調整する。また、容器位置調整手段１８によって融液２の液面高さを調整することができない限界位置を、容器位置検出手段１９が検出できるように構成される。 （もっと読む）