【課題】不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、原料１７を内部に配置するための坩堝１０１を準備する。坩堝１０１内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長する。準備する工程では、原料１７の融点よりも高い金属よりなる坩堝１０１を準備する。 （もっと読む）

【課題】種結晶の結晶成長面における表面温度を更に均一化することにより、表面が平坦化された高品質の炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘電加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体１１と該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２とを備え、該蓋体１２には、均熱部材１４が一体に設けられている。また、均熱部材１４における均熱部１７は、種結晶６０と昇華用原料５０との間の高さ位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸窒化アルミニウム及び／又は加熱により酸窒化アルミニウムに変換される酸窒化アルミニウム前駆体を含む原料組成物１０を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成長温度において原料成分のＡｌが容器外へ漏洩し難いタンタル製の成長容器とこの容器が適用された昇華成長法による窒化アルミニウム結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】容器内の高温部側に充填された原料23を昇華させ、容器内の低温部側に析出させて窒化アルミニウム結晶を成長させる昇華成長法に用いられる成長容器20であって、一端側が開放されていると共に原料が充填されるタンタル製の容器本体（坩堝）22と、容器本体の開放部を覆うタンタル製の蓋体21とで構成され、容器本体の開放縁部と蓋体との接触面24がそれぞれタンタルで構成され、容器本体とこの開放部を覆う蓋体とで形成される空間の内壁表面25が炭化タンタルで構成されていることを特徴とする。また、昇華成長法による窒化アルミニウム結晶の成長方法は上記成長容器20が適用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶上への多結晶の析出を効果的に抑制できる炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１０から昇華用原料２０に向かって延在し、昇華用原料２０が昇華した原料ガスを種結晶１０側に案内するガイド部材６０とを備え、黒鉛製坩堝５０には、ガイド部材６０と種結晶１０との間に形成される第１空隙と、第１空隙よりも下方において、ガイド部材６０と黒鉛製坩堝５０の内壁３２との間に形成される第２空隙とが形成される。昇華用原料２０の昇華により発生した原料ガスは種結晶１側に案内され、第１空隙から坩堝５０の内壁３２側の空隙に抜けた後、ガイド部材６０の外側を下降し、第２空隙を通り、再度、ガイド部材６０の内側を上昇するように循環するので、当該空隙における原料ガスの滞留が抑制され、当該空隙側における多結晶の析出を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】均一なドーパント分布を有するＳｉＣバルク単結晶並びにそれから作られる大面積ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】成長坩堝３の結晶成長領域５の内部でＳｉＣ成長気相７が発生され、ＳｉＣバルク単結晶２がＳｉＣ成長気相からの分離により成長する。ＳｉＣ成長気相が、成長坩堝の内部のＳｉＣ貯蔵領域４内にあるＳｉＣ原料６から供給される。結晶成長領域に、ＳｉＣバンドエッジに対し少なくとも５００ｍｅＶの間隔の深いところにあるドーパント準位を持つドーパントが、成長坩堝の外部に配置されたドーパント貯蔵部からガス状にて供給され、ドーパントが、成長方向８に対して垂直に向けられた成長坩堝の横断面に関して多数の隣り合う個所３２において成長坩堝の中に導入されることによって、成長坩堝の内部において分配される。 （もっと読む）

坩堝は、坩堝の上部の上方に離間して配置された第１の抵抗ヒータと、坩堝の底部の下方に離間して配置された第１の抵抗部及び坩堝の側部の外周に離間して配置された第２の抵抗部を有する第２の抵抗ヒータとを備える。坩堝には、種結晶と坩堝の底部の間に間隔を設けつつ、種結晶が坩堝の内側の上部に原料が坩堝の内側に供給される。原料を昇華させ種結晶上に凝集させるのに十分な温度の温度勾配を坩堝の内側に生じさせるのに十分な程度の電力を第１の抵抗ヒータ及び第２の抵抗ヒータに印加することで成長結晶を形成する。
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【課題】蓋部に設けた封止部材に種結晶を配置し、蓋体の温度を検出し種結晶の温度とみなす技術よりも種結晶の温度を正確に監視することができる炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】蓋体５に種結晶６が直接取り付けられる一方で、封止部が、蓋体５と坩堝本体２との隙間を塞ぐ。これにより、蓋体５の熱は種結晶６に直接伝達されるので、蓋体５の温度は種結晶６の温度に近くなり、種結晶６の温度を正確に監視することができ、種結晶６の温度を正確に再結晶温度に維持することができる。そして、昇華した炭化珪素原料１０が、封止部７と蓋体５との隙間及び蓋体５と坩堝本体２との隙間を通って外部に漏洩するのを防止するので、気相分布を均一にすることができ、結果として、均一な構造の炭化珪素単結晶を確実に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】坩堝の割れを抑制し、かつ意図しない不純物の混入を抑制した結晶を製造する結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶製造方法は、坩堝１０１内壁１０１ａと原料１７との間に緩衝層１１０を配置した結晶製造装置を準備する工程と、結晶製造装置内で結晶を成長する工程とを備えている。準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い空孔率、高い延性、および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５をキャリアガス３と共に坩堝内に供給する供給口１３（１４，１５）と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１と、キャリアガス３の排出口１６と、を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、該坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、坩堝本体１１の昇華用原料微粉末５の昇華ガスが触れる部位にタンタルカーバイドまたはタンタル箔でコーティングした黒鉛部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料と、種結晶とが収容された坩堝を用いる場合において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘導加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体５０と、蓋部６０とを有する。種結晶７０は、反応容器本体５０の底部５１に形成される種結晶載置部５２に載置される。種結晶７０は、載置されるのみであって接着されない。 （もっと読む）

【課題】昇華法によりＳｉＣ種基板上にＳｉＣ単結晶を形成させるに際して、ＳｉＣ種基板の種結晶にあったマイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）の貫通欠陥の伝播を抑制して結晶成長を行うことにより、結晶欠陥の少ないＳｉＣインゴットを形成させ、パワーデバイスの歩留まりを向上させることができるＳｉＣ単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５をキャリアガス３と共に坩堝内に供給する供給口１３（１４，１５）と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１と、キャリアガス３の排出口１６と、を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、該坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、昇華用原料微粉末５としてケイ素微粉末および炭素微粉末を用いる。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料の利用率を向上させることができる炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１では、黒鉛製坩堝１０の上下方向の断面視において、黒鉛製坩堝１０の上下方向の長さよりも誘導加熱コイル３０を長くし、反応容器本体５０の底部５２を誘導加熱コイル３０の中央部付近に配置することにより、誘導加熱コイル３０によって自然に形成される温度分布における温度領域Ｓｔｍａｘ１を反応容器本体５０の底部５２に対応させるようにし、昇華用原料８０が昇華するに連れて、黒鉛製坩堝１０内における温度領域Ｓｔｍａｘ１を黒鉛製坩堝１０の内部から外部に向けて拡大させる。これにより、昇華用原料底部での炭化珪素多結晶の析出による昇華用原料８０の温度低下が防止できるので、原料の昇華が妨げられことなく進行する。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプの発生を抑制できる上に、更に昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料４０を収容し、第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶５０を配置した状態で、下式（１）を満たすように反応容器１０を加熱することによって、昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶化させ、加熱が、第一位置側に配置した第一加熱手段２１および第二位置側に配置した第二加熱手段２０を利用して実施される。・式（１）Ｔ１≧Ｔ２〔式（１）中、Ｔ１は、第一位置の温度（℃）を表し、Ｔ２は第二位置の温度（℃）を表す。〕 （もっと読む）

【課題】改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造するときに、種結晶のマイクロパイプ欠陥及びボイド欠陥を共に抑制し、これにより品質の高い炭化ケイ素単結晶を製造することのできる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長させる種結晶１００には、成長端面１００ａを有するものを用いる。この成長端面１００ａを有する種結晶１００を炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に設置するに先立って、種結晶１００の成長端面１００ａを真空チャック１で保持しつつ、種結晶１００の裏面１００ｂにスピンコートで保護膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 昇華用原料の表面部や底部に炭化珪素の多結晶が析出することをさらに効果的に抑制する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘電加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、支持棒４０により、石英管２０の内部に固定される。黒鉛製坩堝１０は、断熱材１１で覆われている。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体５０と、蓋部６０とを有する。反応容器本体５０は、炭化珪素を含む種結晶７０と、種結晶７０の成長に用いられる昇華用原料８０とを収容する。黒鉛製坩堝１０内の底部には、断熱層９０が設けられる。断熱層９０は、黒鉛製坩堝１０の底部に密着する。昇華用原料８０は、断熱層９０の上に断熱層９０と接して配置される。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素単結晶の表面の炭化を防止しつつ、昇華用原料の底部に炭化珪素の多結晶が析出することを抑制する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶の製造装置１では、黒鉛製坩堝１０の上下方向の断面視において、黒鉛製坩堝１０の上下方向の長さよりも誘電加熱コイル３０を長くし、反応容器本体５０の底部５２を誘電加熱コイル３０の中央部付近に配置したことにより、誘電加熱コイル３０によって自然に形成される温度分布における最高温度領域Ｓｔｍａｘを反応容器本体５０の底部５２に対応させている。炭化珪素単結晶の製造装置１は、昇華用原料８０が昇華するに連れて、黒鉛製坩堝１０内における最高温度領域Ｓｔｍａｘを黒鉛製坩堝１０の底部５１から種結晶７０と対向する昇華用原料８０の上面部８０ａに向けて変化させる。 （もっと読む）

【課題】ＶＯ₂（Ｍ）（単斜晶型）ナノワイヤ等の一次元ナノ構造体を低温かつ高速に再現性良く形成することができる一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板２に対向して、ＶＯ₂ターゲット７を配し、この状態でレーザー光１０をターゲット７に照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマ（プルーム１１、１２）が基板２に実質的に届かないようにする圧力条件下で、ターゲット昇華物質をクラスター１４として基板２に付着させてＶＯ₂（Ｍ）ナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶中における結晶欠陥の発生率を低減可能な炭化ケイ素単結晶成長用種結晶の製造方法及び炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】スライス加工により炭化ケイ素単結晶のインゴットからウェハ状の炭化ケイ素単結晶を切り出し、ウェハ状の炭化ケイ素単結晶の表面に対し研磨加工を施す。次に、ウェハ状の炭化ケイ素単結晶の研磨加工面に対し水素エッチング処理し、研磨加工によって炭化ケイ素単結晶表面に形成された加工変質層を水素エッチング処理により除去する。そして研磨加工面に水素エッチング処理が施されたウェハ状の炭化ケイ素単結晶を炭化ケイ素単結晶を成長させる際の種結晶として用いる。 （もっと読む）