【課題】絶縁性をさらに向上させた炭化珪素単結晶を製造する製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝を収容する加熱炉を第１部材１２１および第２部材１２２によって構成し、これらの第１部材１２１および第２部材１２２同士の連結部分に、第１空間部３１０を形成している。第１部材１２１には、凹部１２１ａと、通気路１２１ｂとが形成され、前記連結部分の第１部材１２１には、凹部１２１ａの周囲を取り囲むように封止部材３２０が配設される。通気路１２１ｂは、第１空間部３１０内の気体を収容部材１００の外部に排出し、第１空間部３１０の内部の圧力を収容部材１００の内部の圧力よりも低くすることによって、収容部材１００内への外気の流入を防止する。また、第１空間部３１０に不活性ガスを充填することによって、収容部材１００内への外気の流入を防止してもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な結晶を成長させる歩留まりを向上するとともに、成長させる結晶の厚みのばらつきを抑制する、結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１００ａは、チャンバ１０１と、複数の回転部１０３ａ、１０３ｄと、るつぼとを備えている。複数の回転部１０３ａ、１０３ｄは、チャンバ内に配置されている。るつぼは、各々の回転部１０３ａ、１０３ｄ上に配置されている。結晶成長方法は、まず、各々のるつぼの内部に１枚の種基板が配置される。そして、各々のるつぼを回転させながら、昇華法により種基板上に結晶が成長される。 （もっと読む）

【課題】昇華した昇華用原料をより効率的に炭化珪素単結晶の成長に用いることができる炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘導加熱コイル３０とを有する炭化珪素単結晶の製造装置１において、種結晶７０と昇華用原料９０との間に原料ガスの流れを規制する規制部材１００を有し、前記規制部材１００には、前記昇華用原料９０から昇華した原料ガスを前記種結晶に向けて供給する空洞部１０１が形成される。坩堝１０の加熱により昇華用原料９０から昇華した原料ガスの流れは規制部材１００により規制され、規制部材１００の中央部に設けられた空洞部１０１から種結晶７０に向けて原料ガスが供給されため、種結晶７０の周囲に炭化珪素の多結晶が析出しにくいガス流が作られ、原料ガスが種結晶７０の上に効率よく供給される。 （もっと読む）

【課題】亀裂や割れを防止するＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法によるＳｉＣ単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体１０と、円形状の蓋体２０と、中空の円錐台形状をなしたスカート部３０とで構成された黒鉛製の坩堝１を備え、スカート部３０の内壁面には、スカート部３０と同様の円錐台形状をなしたＴａＣ部材３１が固定されている。前記ＴａＣ部材３１は深絞り加工によってタンタル板材を加工することで継ぎ目のないカップ状部材を形成した後、スカート部３０の内側に入れ込こんで固定し、カップ状部材を炭化処理することにより形成する。前記ＴａＣ部材３１によってスカート部３０の内壁面が継ぎ目無く覆われるので、ＳｉＣ単結晶７０に炭素粒子が取り込まれることを抑制することが可能になると共に、ＳｉＣ単結晶７０の突起物が形成されることを防止でき、亀裂や割れが生じ易くなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ長尺の炭化珪素単結晶を均一かつ安定的に成長させることができる炭化珪素単結晶成長用容器構造および炭化珪素単結晶の作製方法を提供する。
【解決手段】原料用炭化珪素６が充填された原料収納部２０を有する原料収納容器２と、原料用炭化珪素６の上方に配置された種結晶４と、を備え、原料用炭化珪素６を昇華させて種結晶４に炭化珪素単結晶５を成長させる際に用いられる炭化珪素単結晶成長用容器構造であって、前記昇華の際に、昇華ガスを放出する昇華放出領域６１を露出させる昇華開口部７０を備えた昇華放出調整部材７が原料用炭化珪素６の上に配置されており、昇華放出領域６１と種結晶４とが対向して配置されている。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の優れた長尺の単結晶インゴットを製造できる結晶成長用坩堝を提供する。
【解決手段】成長させる単結晶の原料６０と原料６０に対向した位置に成長させる単結晶の種結晶５０を配置した結晶成長用坩堝において、原料６０を収納するための有底円筒部材１０と、有底円筒部材１０の開口面上に載置させるように配置された中空円筒部材２０と、中空円筒部材２０上に載置させるように配置された蓋部材４０とから構成される結晶成長用坩堝。 （もっと読む）

【課題】大口径で欠陥の少ない長尺の炭化珪素単結晶を成長できる装置を提供する。
【解決手段】原料５０を充填する充填部１３を有する坩堝１０と、坩堝１０の蓋となる蓋体２０と、蓋体２０に充填部１３に対向して設けられた種結晶４０を取り付ける台座２１と、坩堝１０から台座２１に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイド３０とを有し、単結晶多結晶分離用ガイド３０に対向して設けられ、単結晶多結晶分離用ガイド３０を下方から放射加熱する放射面１５を備えることにより、分離用ガイド３０の温度を台座２１に取り付けられた種結晶４０より高温にする。 （もっと読む）

【課題】容易かつ確実に単結晶インゴットにオリエンテーション・フラットを付与できる単結晶成長装置及び単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】単結晶を種結晶として、種結晶を基に成長する単結晶の成長に用いられる昇華用原料を収容する坩堝と、坩堝の内部に配設され、単結晶の成長範囲をガイドする開口部６１Ａが形成されたガイド部材６０とを備える単結晶成長装置であって、ガイド部材６０には、単結晶が成長した単結晶インゴットの外周面と当接し、単結晶インゴットに所定の形状による目印（オリエンテーション・フラット）を付与する目印付与部６２Ａ，６２Ｂが形成され、目印付与部６２Ａ，６２Ｂが、開口部６１Ａに沿って形成され、単結晶インゴットの結晶方位の基準位置に所定の形状を付与する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの反応室内壁への凝着を抑え、原料を効果的に結晶成長させることが可能な窒化アルミニウム単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】上部に開口部を有し、内部空間３ａの底面側に原料２２を収納する反応室３と、該開口部を塞ぐサセプタ４とからなる加熱炉本体、及び内部空間３ａへ外部からプロセスガスを導入するガス供給手段５、を少なくとも備えた窒化アルミニウム単結晶の製造装置９であって、反応室３はカーボンコンポジットからなる。前記カーボンコンポジットをなす炭素繊維の長手方向が、重力方向に対して垂直に配されることにより、反応室３内部から反応室３外部への潜熱の放散が遅くなり、反応室３内壁への原料の付着を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の極めて少ない炭化珪素単結晶が得られる炭化珪素単結晶製造用の反応容器および炭化珪素単結晶製造装置の提供。
【解決手段】開口部が形成され、内部に昇華用原料が装入される坩堝本体１２と、前記坩堝本体１２の開口部を密閉する蓋部１１と、前記坩堝本体１２の内部における前記蓋部１１の内側に、前記開口部を密閉するように装着されるとともに、前記坩堝本体１２における昇華用原料Ｒｍが装入される部分に相対する側の面に種結晶Ｓｃが配設される封止部１３とを備え、封止部１３と、坩堝本体１２および蓋部１１の内側面との間に隙間が形成されている炭化珪素単結晶製造用の反応容器。 （もっと読む）

【課題】エネルギー負荷を高めることなく成長速度を速めて窒化アルミニウム単結晶を作製することが可能な窒化アルミニウム単結晶の製造装置を提供すること。
【解決手段】上部に開口部を有し、内部空間３ａの底面側に原料２２を収納する反応室３と、該開口部を塞ぐサセプタ４とからなる加熱炉本体、内部空間３ａへ外部からプロセスガスを導入する第一ガス供給手段５ａ、及び内部空間３ａへ外部からキャリアガスを導入する第二ガス供給手段５ｂ、を少なくとも備え、第一ガス供給手段５ａが内部空間３ａに開口するように反応室３の側壁に設けられた第一導入部５Ａと、第二ガス供給手段５ｂが内部空間３ａに開口するように反応室３の側壁に設けられた第二導入部５Ｂとが、サセプタ４から原料２２の方向に見て順に配置されていること。 （もっと読む）

【課題】内部に含まれる窒素濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶を製造する。
【解決手段】減圧雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華しない温度に坩堝３を所定時間保持した後、アルゴンガス雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華する温度に坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】長尺の炭化ケイ素単結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】原料粉加熱コイル３及び成長部加熱コイル４それぞれにインバータユニットを接続して高周波電流量を独立に制御しながら炭化ケイ素単結晶１５を成長させるにあたり、原料粉加熱コイル３と成長部加熱コイル４には共に２０ｋＨｚの高周波電流を流す一方で、各インバータユニットとコイルの間に逆結合トランスを設けることにより、原料粉加熱コイル３と成長部加熱コイル４間の相互誘導電圧を低減し、原料粉加熱コイル３と成長部加熱コイル４間での電磁場の干渉を防止する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で成長結晶が昇華することを効果的に抑制可能であり、また成長結晶の冷却後に該成長結晶にクラック等が生じることをも効果的に抑制可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造装置１は、原料４にレーザ光を照射することで原料を昇華させることが可能なレーザ光源６と、レーザ光源６から出射されるレーザ光を透過させて容器内部に導入可能なレーザ導入窓５を有し、昇華した原料を再結晶化させる下地基板３を保持可能な反応容器２と、下地基板３を加熱することが可能なヒータ７とを備える。反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、原料１３からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部１１０を内部に含むチャンバー１０１が準備される。そして、チャンバー１０１内において、熱遮蔽部１１０に対して一方側に原料１３が配置される。そして、原料１３を加熱することにより昇華させて、チャンバー１０１内の熱遮蔽部１１０に対して他方側に、原料ガスを析出させることによりＩＩＩ族窒化物半導体結晶１５が成長される。 （もっと読む）

【課題】種結晶に到達する前に析出した微粒子が種結晶に付着することを防いで、種結晶上に成長する結晶品位を劣化させることなく、良質な単結晶を成長させることが可能な化合物半導体結晶の成長方法及び単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶の原料１２を保持した原料保持部１４と化合物半導体の種結晶１３を保持した種結晶保持部１５とを有する実質的に密閉された容器１１と、容器１１を、種結晶保持部１５よりも原料保持部１４が高温になるように加熱する加熱手段とを有する単結晶製造装置１０において、容器１１は、原料保持部１４と種結晶保持部１５とが略水平に配置され、且つ原料保持部１４と種結晶保持部１５との間隔Ｌが、原料ガス移動方向に対して断面方向に見た容器１１の幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径SiC単結晶ウェハを再現性良く製造するための、SiC単結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法によるSiC単結晶育成装置において、坩堝全体が熱膨張係数の異なる2種類以上の材料から構成され、且つSiC種結晶1が取り付けられる種結晶保持部4の坩堝構成材料が、実質的に他の部分より小さな熱膨張係数を有する。坩堝の少なくとも１種類の構成材料が黒鉛製であり、種結晶保持部4の2000℃における熱膨張係数は5.0×10-6/℃以上5.5×10-6/℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、昇華用原料微粉末５の昇華ガス流路を形成する坩堝本体１１の内側側面が、昇華ガス流路の長手方向に垂直な断面積が供給口１４から排出口１６方向へ拡がるよう傾斜を持って形成され、傾斜が坩堝１０の長手方向軸と２０度以下または１０度以下の角度を持つ形状とする。 （もっと読む）