【課題】耐久性の向上を達成するとともにＡｌＮ単結晶への不純物の混入を抑制することが可能な坩堝を提供する。
【解決手段】
気相成長法による窒化アルミニウム単結晶の製造に用いられる坩堝１は、内側坩堝１０と、内側坩堝１０の底壁に対向するように種結晶を保持する内蓋２０と、内側坩堝１０および内蓋２０を取り囲むように配置された外側坩堝３０とを備えている。外側坩堝３０は、炭素からなる外側坩堝本体３１と、外側坩堝本体３１の内壁を覆い、高融点材料からなるコーティング層３２とを含んでいる。 （もっと読む）

ＳｉＣ昇華結晶成長において、坩堝は、間隔を隔ててＳｉＣ原料とＳｉＣ種結晶とが充填され、邪魔板は、成長坩堝内の種結晶の周囲に配置されている。成長坩堝内の邪魔板の第１側面は、ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長する成長領域を画定する。成長坩堝内の邪魔板の第２側面は、ＳｉＣ単結晶の周囲の気化ガス捕獲トラップを画定する。ＳｉＣ原料を昇華させて、ＳｉＣ種結晶上へ気化ガスを析出することにより、ＳｉＣ結晶を成長する成長領域に移送する気化ガスを形成するような成長温度に坩堝は加熱される。この気化ガスの一部は、ＳｉＣ結晶の成長中に成長領域から取り除かれる気化ガス捕獲トラップに入る。 （もっと読む）

【課題】昇華法を用いて炭化ケイ素単結晶を製造する際に、単結晶の径方向への成長を促進することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、所定の結晶方位を有する種結晶１０と、昇華用原料２０とを収容する反応容器３０と、蓋部４０とを有する円筒状の坩堝５０を備える。種結晶１０と昇華用原料２０との間に、第１ガイド部材６１，第２ガイド部材６２，第３ガイド部材６３が設けられる。第１ガイド部材６１は、種結晶１０を基に成長する単結晶の成長範囲を規制する規制面６１ａを有する。第２ガイド部材６２は、第１ガイド部材６１よりも昇華用原料２０に近い位置に配設され、原料ガスを反応容器３０の内壁３１に向けて導く。第３ガイド部材６３は、第１ガイド部材６１と第２ガイド部材６２との間に配設され、第１ガイド部材６１の規制面６１ａに対向する案内面６３ａを有する。 （もっと読む）

【課題】真空排気容器の内壁に炭化珪素原料の昇華ガスが付着して堆積する堆積物の除去作業が簡単にでき、炭化珪素単結晶の製造効率に優れる炭化珪素単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】真空排気容器１２の中に配置した坩堝３内に炭化珪素原料２を収容し、炭化珪素原料２を昇華させて、昇華ガスを坩堝３内に取り付けた種結晶１上に供給して炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、真空排気容器１２の内壁が剥離可能な粘着シート１３を貼り付けて覆われている。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度を向上させることが可能な窒化物単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】上部に開口部を有し、内底部に原料２２を収納する成長容器４と、開口部を塞ぐサセプタ３と、原料２２に対向するように配置された種子基板２３と、成長容器４の外周に配設された複数の加熱手段７ａ、７ｂ、７ｃと、を少なくとも備えた窒化物単結晶２４の製造装置１であって、各加熱手段７ａ、７ｂ、７ｃ間に熱遮蔽部材１１ａ、１１ｂが設けられるとともに、加熱手段７ｃと成長容器４の成長部Ａとの間に熱遮蔽部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】温度分布形成部材としてリング部材５を備え、リング部材５に平坦面５ｃを形成することで、リング部材５から低密度螺旋転位領域３ｂまでの距離Ｄ１と螺旋転位発生可能領域３ａまでの距離Ｄ２を変化させる。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心を黒鉛製坩堝１の中心と一致させて配置しても、結晶成長装置の構造上、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶の径方向端部に凹面が形成されることなく、良好な品質の単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、昇華用原料を収容する坩堝本体５と、昇華用原料と対向する位置に種結晶支持部７を設けた蓋体９と、種結晶支持部７の外周近傍から昇華用原料に向けて筒状に延びるガイド部材１１と、種結晶支持部７およびガイド部材１１の少なくともいずれかの外周側に配設されると共に、単結晶２７よりも熱伝導率が低く設定された断熱材２１とを備え、昇華用原料３および種結晶を加熱して単結晶２７を成長させるときに、昇華用原料３から種結晶に向かう熱Ｈの流れを断熱材２１によって種結晶に集約させるように構成している。 （もっと読む）

【課題】高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。
【解決手段】成長室３の内部に設置したＡｌＮ多結晶原料１１を加熱して昇華させ、成長室３の内部の種結晶１２の表面上にＡｌＮ単結晶を成長させるＡｌＮ単結晶の成長方法において、成長室３の内部のＡｌＮ多結晶原料１１の温度におけるＡｌＮの化学量論組成の窒素分圧よりも成長室の外部の窒素分圧を高くし、成長室３の内部と外部のガスの交換を可能とする開口部４を成長室３に設けるとともに、遷移金属および炭素からなる群から選択された少なくとも１種を含むガスを生成するガス生成室を成長室３とは別に設けてガス生成室を成長室３に連結させ、ガス生成室からのガスを成長室３に導入しながらＡｌＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる｛0001｝ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の｛0001｝ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】｛0001｝ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの｛0001｝ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の耐高温部材でも容易に得ることができる耐高温部材の製造方法を提供する。
【解決手段】耐高温部材の製造方法は、炭化タンタル等のいずれか一種以上の炭化物粉末のペーストからなる接着層２３を介して第１基材２１と第２基材２２とを連結した組立体とする組立工程と、この組立体を加熱して第１基材２１と第２基材２２との間を焼結させる結合工程とを備える。また耐高温部材の製造方法は、耐高温基材の表面に炭化タンタル等のいずれか一種以上の炭化物粉末からなるスラリーを塗布する塗布工程と、塗布工程後の耐高温基材を乾燥する乾燥工程と、乾燥工程後の耐高温基材を加熱して該耐高温基材の表面に炭化物被膜を焼結させる成膜工程とを備え、複雑な形状の耐高温部材も容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長高さが所定高さ以上になっても、成長結晶のガイド部材との接触面が炭化することがない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶９０、９１の成長初期段階では、基端部７１が台座部１２ａの側面に密着した第１ガイド部材７０を用いて結晶９０を成長させ、成長結晶９０が第１ガイド部材７０に接触する前に、基端部と台座部１２ａの側面との間に所定の間隙ｇが設けられた第２ガイド部材８０を第１ガイド部材７０に代えて配設した状態で、結晶９１を成長させる炭化珪素単結晶９０、９１の製造方法である。従って、側面がガイド部材７０，８０に接触することなく結晶９０、９１を成長させることができるため、結晶９０、９１側面の炭化を防止することができ、高品質で径が大きい単結晶９１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガイド部材を設けた場合でも、成長終了後に単結晶を切り出す工程で、単結晶におけるガイド部材との接触部から割れが生じることがない炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２と、前記反応容器本体１１内に設けられ、前記種結晶６０が成長して炭化珪素単結晶になる際に、該炭化珪素単結晶の成長をガイドする筒状のガイド部材７０とを備えた炭化珪素単結晶の製造装置１である。ガイド部材７０は、第１分割体と第２分割体とに分離可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】加熱部材の構造が簡単で温度制御が容易な炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素単結晶の製造装置１は、筒状に形成された反応容器本体１１の上部開口１１ｂが蓋体１２により封鎖された黒鉛製反応容器１０と、黒鉛製反応容器１０の外周側に連続して巻回された単一の加熱コイルからなる加熱部材とを備え、黒鉛製反応容器１０の底部１１ａに昇華用原料５０を収容し、黒鉛製反応容器１０の内面側に種結晶６０を取り付ける。誘導加熱コイルのうち黒鉛製反応容器１０の底部を巻回する下側コイル３１と下側コイル３１に対向する黒鉛製反応容器１０の底部との距離Ｄ１及び蓋体１２を巻回する上側コイル３２と上側コイル３２に対向する蓋体１２との距離Ｄ２の少なくとも何れかの距離を、反応容器本体１１の高さ方向中央部を巻回する中央側コイル３３と中央側コイル３３に対向する反応容器本体１１との距離Ｄ３よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】加熱部材の構造が簡単で温度制御が容易な炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】筒状に形成された反応容器本体１１の上部開口１１ｂが蓋体１２によって封鎖された黒鉛製反応容器１０と、該黒鉛製反応容器１０の外周側に連続して巻回された単一の加熱コイルからなる加熱部材とを備え、底部１１ａに昇華用原料５０を収容し、反応容器の内面側１２ａに種結晶６０を取り付ける炭化珪素単結晶の製造装置において、前記反応容器本体１１の底部１１ａを巻回する下部コイル３１および蓋体１２を巻回する上部コイル３２のコイルピッチＰ１，Ｐ３は、反応容器本体１１の高さ方向中央部を巻回する中央部コイル３３のコイルピッチＰ２よりも小さく設定している。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）塊状単結晶を製造するための方法と単結晶ＡｌＮ基板を提供する。
【解決手段】中心長手軸線１８を有する単結晶ＡｌＮ種結晶１５を坩堝装置３の結晶成長領域４内に配置し、成長段階の間に結晶成長領域４内にＡｌＮ成長気相１６を生成し、成長気相１６を坩堝装置３の貯蔵領域５内にあるＡｌＮ原材料２１から少なくとも一部を供給し、ＡｌＮ塊状単結晶２をＡｌＮ成長気相１６からＡｌＮ種結晶１５上に析出させることで中心長手軸線１８と平行に向いた成長方向１７に成長させ、浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１の少なくとも酸素割合が減らし、坩堝装置３に設けた析出室８内で浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１から蒸発した酸素含有成分を析出させ、ＡｌＮ原材料２１を浄化段階の終了後、成長段階全体の間、無酸素雰囲気内で保持する。 （もっと読む）

物理的気相輸送成長システムは、ＳｉＣ原料及びＳｉＣ種結晶を間隔を隔てて収容する成長チャンバと、該成長チャンバ内に配置された少なくとも一部がガス透過性の覆いとを備えている。該覆いは、該ＳｉＣ原料を含む原料区画と該ＳｉＣ種結晶を含む結晶化区画とに該成長チャンバを分離する。該覆いは、該結晶化区画において該ＳｉＣ種結晶上へのＳｉＣ単結晶の昇華成長中に発生する気化ガスと反応可能な材料で形成され、該ＳｉＣ種結晶上への該ＳｉＣ単結晶の成長中に追加のＣ源として振舞うＣを有する気化ガスを生成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良質な炭化珪素単結晶インゴットを高い歩留まりで安定的に成長させることができる炭化珪素単結晶製造用坩堝、並びに炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料を収容する坩堝容器３と種結晶が取り付けられる坩堝蓋４とを有し、坩堝容器３内の炭化珪素原料を昇華させて種結晶上に炭化珪素の昇華ガスを供給し、種結晶上で炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、坩堝容器３と坩堝蓋４には互いにネジ嵌合されるネジ部３ａ、４ａが設けられていると共に、これらネジ部３ａ、４ａの相対的回転により流量調整可能な昇華ガス排出溝１５が設けられている炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、また、このような坩堝Ａを備えた炭化珪素単結晶の製造装置及びこの装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐久性を有し、かつ坩堝の外部から不純物が混入することを抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の製造装置１００は、坩堝１０１と、加熱部１２５と、被覆部１１０とを備えている。坩堝１０１は、原料１７を内部に配置する。加熱部１２５は、坩堝１０１の外周に配置され、坩堝１０１の内部を加熱する。被覆部１１０は、坩堝１０１と加熱部１２５との間に配置されている。被覆部１１０は、坩堝１０１に対向する側に形成され、かつ原料１７の融点よりも高い金属よりなる第１の層１１１と、第１の層１１１の外周側に形成され、かつ第１の層１１１を構成する金属の炭化物よりなる第２の層１１２とを含む。 （もっと読む）