【課題】改良型レーリー法により炭化珪素単結晶を作製する場合において、結晶成長中、特に結晶成長の初期の段階で発生する欠陥を低減することができ、欠陥密度の低い高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】対称軸を有する坩堝と対称軸を有する種結晶を用いて昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置であり、種結晶の対称軸に対して非軸対称な温度分布を持つ加熱を行うと共に、その非軸対称な温度分布の中で種結晶の対称軸を中心にして、種結晶と成長している結晶を回転させながら結晶成長を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造装置であり、結晶成長中の結晶欠陥の発生を抑制し、欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置を大型化せずに単結晶の製造効率を向上させることができる単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８内に収容した昇華性の原料６の表面６ａ上に熱伝導体１１Ａを配置する熱伝導体配置工程と、ルツボ８及び熱伝導体１１Ａを加熱して原料６を昇華させ、熱伝導体１１Ａを下降させながら、昇華した原料６のガスを、ルツボ８を密閉する蓋体９に固定した種結晶１０に付着させて再結晶させ、単結晶１５を成長させる成長工程とを含む単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内にガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料１を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０から結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部２ｅの温度を、結晶１２の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】単結晶に割れ等の損傷を起こすことなく、種結晶の成長面の全ての領域から、多結晶のない良質な炭化ケイ素単結晶を成長させる。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造方法は、炭化ケイ素を含む昇華用原料２１および種結晶２７を坩堝７内に対向して配置し、昇華用原料２１を加熱して生じる昇華ガスＧによって種結晶２７上に炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶４１の製造方法であって、炭化ケイ素を含む粉体を加圧成形したのち仮焼して、所定の硬度を有する昇華用原料２１を作製するステップと、昇華用原料２１を坩堝７内の上部に配置し、種結晶２７を坩堝７内の底部６に載置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。そして、遮蔽部６の遮蔽板６ａに備えたガス供給孔６ｂを通じて螺旋転位発生可能領域３ａに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心よりも螺旋転位発生可能領域３ａ側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座１ｃの厚みを非対称にして成長途中表面４ａに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１の加熱を開始すると、分離壁４の中空部分に露出する粉末原料５から生じた昇華ガスが成長空間領域６に供給される。そして、坩堝１の加熱を開始してから一定時間後に蓋体１ｂが容器本体１ａから離れるように相対的に移動させ、分離壁４の他端側の端面４ｅを容器本体１ａの底面から離すことで、分離壁４の他端側に接していた粉末原料５を新たな昇華ガス供給面として容器本体１ａ内に露出し、当該露出部分から昇華ガスをガス供給通路７および貫通穴４ｄを通過して成長空間領域６に供給することで、ＳｉＣ単結晶８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 加熱温度を均一に保ち、結晶品質の良好な単結晶を製造できる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、坩堝１０と筒状部材４０と加熱部材６０とを備え、坩堝１０の底部側には、昇華用原料２０が配置され、坩堝１０の底部に対向する坩堝蓋体１０ｂ側には、種結晶３０が配置され、筒状部材４０は、筒状形状であり、導電性材料が用いられ、加熱部材６０は、筒状部材４０の外側に配置され、筒状部材４０を誘導加熱により加熱し、筒状部材４０の内側には、坩堝１０が配置され、筒状部材４０の側壁は、坩堝１０の底部と坩堝蓋体１０ｂとをつなぐ坩堝１０の側壁と対向し、坩堝１０と筒状部材４０との間には、空間Ｓが形成される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】 単結晶全体で均一な不純物の含有濃度を有する炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素を含有する炭化ケイ素含有原料に所定の不純物２５を添加して昇華用原料１３を作製し、昇華用原料１３を坩堝７内に収容したのち、昇華用原料１３を加熱して発生させた昇華ガスによって炭化ケイ素からなる種結晶２３上に、不純物２５を含む単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。炭化ケイ素含有原料に対する不純物２５の添加量を変えて不純物の含有濃度が異なる複数の昇華用原料１３ａ，１３ｂを作製するステップと、複数の昇華用原料のうち含有濃度が低い昇華用原料１３ｂを加熱温度が高い坩堝７内の高温部Ｈに配置し、含有濃度が高い昇華用原料１３ａを加熱温度が低い坩堝７内の低温部Ｌに配置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】種結晶が有するマイクロパイプ欠陥を効果的に閉塞し、マイクロパイプ欠陥の伝播がない炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロパイプ欠陥１を有する炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３の変質層５を除去する除去工程と、前記除去工程後の前記マイクロパイプ欠陥１を前記炭化ケイ素種結晶２の裏面４から充填材６で満たす充填工程と、前記充填工程後の前記炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３に炭化ケイ素単結晶を成長させる成長工程とを備える炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な炭化珪素単結晶インゴットを容易に製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶上に炭化珪素ガスを供給して炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法であって、前記種結晶２ａの結晶成長面に、シリコンを含む薄膜であって炭化珪素単結晶を成長させる温度より低い温度で融解する薄膜２ｂを形成する。薄膜を形成した前記種結晶２ａを薄膜加熱処理することにより、炭化珪素種結晶２ａの表面に形成された薄膜２ｂが融解し、前記結晶２ａの少なくとも結晶成長面全体において融解層６を形成し、これに接触している炭化珪素種結晶２ａの最表面が融解層６中に溶け出す。これにより結晶２ａの最表面に残存する結晶ダメージ層５がエッチングされ、種結晶２ａの結晶ダメージの無い高品質な表面が露出するので、欠陥が低減された種結晶の表面が結晶成長面となり、高品質の炭化珪素単結晶インゴットが得られる。 （もっと読む）

【課題】坩堝から放出される炭素粉のインクルージョン（大きな塊）のＳｉＣ単結晶への混入を抑制しつつ、ＳｉＣ単結晶に対して適量の炭素原子の供給を可能とするＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝４の中空部には、容器本体２の内径よりも径が小さく、当該容器本体２の内壁２ａに離間していると共に当該内壁２ａに沿って配置される金属炭化物の筒部材１０が粉末原料８の上に配置されている。一方、蓋体３には、当該蓋体３の内壁３ａのうち種結晶７から容器本体２側に金属炭化物のコーティング膜３ｂが形成されている。これにより、蓋体３からの炭素粉の塊の放出が抑制されると共に、容器本体２の内壁２ａから放出された適量の炭素粉が成長中のＳｉＣ単結晶９に供給される。 （もっと読む）

【課題】 昇華再結晶法による単結晶の製造において、種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止でき、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び単結晶製造装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。種結晶１０の厚みは、１ｍｍ以上である。種結晶１０と蓋体１２０とは、隙間なく接している。種結晶１０の全表面は、露出している。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた改良型レーリー法を用いて炭化珪素単結晶を作製する場合において、インゴット長さが長くて高品質の炭化珪素単結晶を得ることを可能とする炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置Ｓ₁であり、坩堝１とその外面を被覆する断熱材５との間に空隙６を有し、空隙６が軸対称な坩堝１の径方向に５〜４０mmの幅寸法を有すると共に、断熱材５の外部に連通する構成を備えた炭化珪素単結晶インゴットの製造装置Ｓ₁であり、結晶成長中の断熱材５の性能劣化を抑制し、安定した成長条件を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】坩堝の周囲に断熱材を配置した製造装置を用いてＳｉＣ単結晶を成長させるに際し、当該ＳｉＣ単結晶の安定な成長を可能とするＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２として容器本体２ａにＳｉ含有物を配置すると共に蓋体２ｂを用意し、この坩堝２の外周に坩堝２の外周を囲むようにＳｉを吸収させていない黒鉛製の断熱材を配置し、坩堝２を加熱することで、Ｓｉ含有物を加熱することにより坩堝２から漏れた昇華ガスを断熱材に吸収させるＳｉを吸収させる工程を行う。この後、坩堝２として容器本体２ａに粉末原料５を配置すると共に蓋体２ｂに設けられた台座３に種結晶４を配置した坩堝２を用意し、Ｓｉを吸収させる工程で得られたＳｉを吸収させた断熱材１１をこの坩堝２の外周に坩堝２の外周を囲むように配置した状態で坩堝２を加熱することにより、種結晶４上にＳｉＣ単結晶６を成長させる成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率が高い発光中心添加ＣｓＩ柱状膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】柱状のＣｓＩ結晶から構成されるＣｓＩ柱状膜２を蒸着法により作製する工程と、ＣｓＩ柱状膜２と発光中心原料１とを非接触な状態で閉空間３に配置し、ＣｓＩ柱状膜２を、発光中心原料１の昇華温度以上、柱状の形態を維持可能な温度以下の範囲で加熱し、かつ発光中心原料１を昇華温度以上に加熱し、ＣｓＩ柱状膜２に発光中心を添加する工程からなることを特徴とするシンチレータの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガイド部材において低温となる部位を低減させ、単結晶を効率的に成長させることができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造装置１は、昇華用原料１５を収容する坩堝本体５、と、昇華用原料１５に対向した位置に種結晶２３を取り付ける蓋体３を有する坩堝９と、蓋体３から昇華用原料１５に向けて筒状に延びるガイド部材７と、坩堝本体５の外周側に配設した加熱部１３とを備え、ガイド部材７の高さをＨ１、加熱部１３とガイド部材７との高さ方向において重複する高さ寸法をＨ２とした場合に、Ｈ２＝（０．５〜１．０）×Ｈ１を満たす。 （もっと読む）