【課題】埋め込み成長において、蓋体に備えられる支持板が侵食されることによりＳｉＣ単結晶の口径が拡大され過ぎることを防止し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。
【解決手段】環状ひさし部２５を覆うようにＴａＣコーティング２６を形成する。これにより、昇華ガスによって環状ひさし部２５や支持板２３ａの裏面が侵食されて穴が開くことを防止できる。また、環状ひさし部２５の内壁面もＴａＣコーティング２６で覆うようにしているため、ここからの昇華ガスによる侵食も防止できる。これにより、ＳｉＣ単結晶７０の口径が拡大され過ぎることを防止でき、ＳｉＣ単結晶７０を長尺成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａおよび主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する基板１１が準備される。そして、基板１１の主表面１１ａ上に、基板１１と異なる材料の窒化アルミニウム結晶１２が昇華法により成長される。そして、基板１１の一部を昇華法に用いる雰囲気Ａ１に対して密閉された状態から雰囲気Ａ１に開放された状態にすることにより、開放された状態において基板１１の少なくとも一部が昇華される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み成長において、スカート状の円筒部の内側の多結晶が成長し難くなることを抑制し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。
【解決手段】支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側において環状ひさし部２５を備え、円筒部２３ｂよりも外側には環状ひさし部２５が備えられない構造とする。これにより、埋め込み成長時に、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側を、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも外側と比べて相対的に温度を低くでき、多結晶４５が成長し難くなることを抑制することが可能となる。このため、ＳｉＣ単結晶７０と多結晶４５との成長面がフラットになり、ＳｉＣ単結晶７０を長尺に成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】得られる炭化ケイ素単結晶における質の劣化を防止し、品質を改善することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一端部に昇華用原料４０を収容し、反応容器１０内の昇華用原料４０に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶５０を配置して、昇華させた昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。種結晶５０として、昇華用原料４０に略対向する成長面側に加工変質層を有しない炭化ケイ素単結晶を用いる。 （もっと読む）

【課題】昇華法による炭化珪素単結晶の製造に適した製造法および製造装置を提供する。
【解決手段】支持板２３ａや円筒部２３ｂおよびＴａＣリング２４の表面にＳｉＣの多結晶４５が成長し、この多結晶４５に囲まれるような状態でＳｉＣ単結晶７０が成長する埋め込み成長において、成長空間領域６０を囲むように配置したＴａＣリング２４の外径を円筒部２３ｂの内径以下とし、リング止め具８１を用いてＴａＣリング２４が脱落しないようにしつつ、多結晶４５のコーティング時にＴａＣリング２４を固定することで、ＴａＣリング２４を破損させることなく支持部２３ａや円筒部２３ｂに固定することができ、これにより円筒部２３ｂを構成する炭素のＳｉＣ単結晶７０の成長表面へのインクルージョンを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み成長において、ＴａＣリングによる輻射熱の影響でＳｉＣ単結晶の成長表面の温度分布にバラツキができることを抑制し、ＳｉＣ単結晶が割れることを防止できるようにする。
【解決手段】ＴａＣリング２４にて遮蔽部２３の円筒部２３ｂの内壁面を全面覆うのではなく、ＴａＣリング２４が支持板２３ａから所定距離離れた位置に配置されるようにしている。これにより、ＴａＣリング２４の輻射熱を抑制することが可能となる。このため、ＴａＣリング２４による輻射熱の影響でＳｉＣ単結晶７０の成長表面の温度分布にバラツキが生じること、具体的には円筒部２３ｂと坩堝１の中心軸との間の温度勾配が大きくなることを抑制できる。これにより、ＳｉＣ単結晶７０の口径拡大に伴って凸形状となることを防止でき、ＳｉＣ単結晶７０が割れることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＳｉＣ単結晶を長尺で得られるようにする。
【解決手段】回転装置５や加熱装置６の中心軸Ｒ１に対して黒鉛製るつぼ１の中心軸Ｒ２が一定距離Ｌずらされるように黒鉛るつぼ１を配置すると共に、ＳｉＣ単結晶基板３における螺旋転位発生可能領域４ｂが回転装置５および加熱装置６の中心軸Ｒ１と一致させる。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３にＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、ＳｉＣ単結晶４のうちの螺旋転位発生可能領域４ｂがその周囲の領域と比べて高温になることを防止できる。したがって、ＳｉＣ単結晶４の長尺の成長が可能となり、大口径の高品質結晶を多数枚得ることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の成長速度の低下の低減、ＳｉＣ単結晶の長時間成長、ＳｉＣ粉末原料の残留の低減を図る。
【解決手段】中空筒状であって、筒の外壁面から内壁面に貫通する複数の小孔１０ａを備えた孔付パイプ１０を用意し、孔付パイプ１０の一端をＳｉＣ粉末原料４に埋め込み、孔付パイプ１０の他端を粉末原料４から突出させた状態で坩堝１を加熱する。これにより、粉末原料４の下層部で生じた昇華ガスを孔付パイプ１０を経由させて成長空間領域５に供給する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を高品質のまま長尺に成長させることが可能な、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇降機構５により、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３の中心を黒鉛製るつぼ１の中心軸に精密に合わせた状態でるつぼ上部１２を上に押し上げる構造とすることにより、結晶成長によりＳｉＣ単結晶４の径が拡大しても台座１２ａだけでなくるつぼ上部１２と共に上に押し上げ、ＳｉＣ単結晶４の表面とＳｉＣ原料２との間の縮まった距離を成長途中で広げて、ＳｉＣ単結晶４の成長表面の温度とＳｉＣ原料粉末２の温度との温度差を保たせ、ＳｉＣ単結晶４とＳｉＣ原料粉末２との間の成長空間を保持するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶成長において、成長空間領域を均熱に保ち、炭化珪素単結晶の割れを防止することができる製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】蓋体２０を構成する遮蔽部２３の円筒部２３ｂの開口端に仕切り板２３ｃを設け、当該仕切り板２３ｃで蓋体２０を構成する側壁部２１の内壁と円筒部２３ｂとの間の空間２３ｅに昇華ガスが流れ込むことを抑制する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み成長において、熱輻射によって成長空間領域の均熱が保たれなくなることを防止し、ひいては炭化珪素単結晶の割れを防止することができる製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】円筒部２３ｂの中空部分に配置した円筒部被覆部材２３ｃにおいて、坩堝の中心軸に対して垂直方向の内壁面２３ｅを多角形状とする。これにより、円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅから坩堝の径方向に発せられる熱エネルギーを多角形の各辺に入射する入射角に従った反射角でそれぞれ反射させる。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】昇華再析出法によるＳｉＣ単結晶の製造において、坩堝の自己発熱によらない加熱方法により、種結晶の温度、原料の温度、及び成長空間領域の温度分布を容易に制御できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１内を含めた外部チャンバ１０内を真空にしたあと、誘導コイル８、９に通電することでヒータ４、５を誘導加熱し、その輻射熱により坩堝１を加熱することで坩堝１内を所定温度にする。このとき、放射温度計１８〜２２を通じて坩堝１の各部やヒータ４、５の測温を行いながら、各誘導コイル８、９への通電の周波数もしくは通電量を制御し、ヒータ４、５で温度差を発生させながら加熱する。さらに、ヒータ４とヒータ５との間を仕切壁部６ｆにて断熱することで、成長結晶の表面の温度と粉末原料３の温度を別々に制御性良く調整することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１の加熱を開始すると、分離壁４の中空部分に露出する粉末原料５から生じた昇華ガスが成長空間領域６に供給される。そして、坩堝１の加熱を開始してから一定時間後に蓋体１ｂが容器本体１ａから離れるように相対的に移動させ、分離壁４の他端側４ｃの端面４ｅを容器本体１ａの底面から離すことで、分離壁４の他端側４ｃに接していた粉末原料５を新たな昇華ガス供給面として容器本体１ａ内に露出し、露出部分から昇華ガスをガス供給通路および貫通穴４ｄを通過して成長空間領域６に供給することで、ＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】同じ条件で炭化珪素単結晶を成長させても、炭化珪素単結晶の成長速度に大きなバラツキを生じさせない単結晶を提供する。
【解決手段】坩堝内に収容された単結晶成長用の原料を加熱して昇華させて種結晶上に供給し、単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記坩堝の前記原料に対向する位置に配置された前記種結晶を支持する円柱状の種結晶支持部５と、前記原料と前記種結晶支持部５との間に先細の中空ガスガイド部９を設け、前記ガスガイド部の前記種結晶側端の開口部は、その反対端の開口部より小さく、且つ前記種結晶支持部を包むように配置された中空円筒部を有する単結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】良質な単結晶塊を良好な効率で成長させることができる構造の結晶成長装置を提供する。
【解決手段】ルツボ部材２２０の大径の収容空間ＲＳで発生した昇華ガスを、小径の種単結晶ＳＣの表面まで、円錐状のガイド部２２３により良好に誘導することができる。ただし、そのガイド部２２３がルツボ部材２２０の側部２２２により形成されている。このため、高周波加熱部２１０が発生する高周波の電磁波は、ルツボ部材２２０のガイド部２２３に直接に吸収される。従って、このガイド部２２３は高温に発熱するので、その表面に多結晶塊ＤＬが成長することがない。このため、種単結晶ＳＣの表面に良質な単結晶塊ＣＬを良好な効率で成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】良質な単結晶塊を良好な効率で成長させることができる構造の結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶支持部２３１に放熱凹部２３２が形成されており、貫通孔２４３が断熱カバー部材２４０に形成されているので、結晶支持部２３１が放熱されて単結晶塊ＣＬが高効率に成長する。ルツボ部材２２０の放熱凹部２３２に連通した円筒状の誘導部材２３３が、断熱カバー部材２４０の貫通孔２４３を経由して上面より上方まで形成されている。漏出した昇華ガスがルツボ部材２２０と断熱カバー部材２４０との隙間を移動して外部に漏出した位置で冷却されて析出しても、これが放熱凹部２３２を閉塞することがない。従って、結晶支持部２３１を安定に低温に維持することができ、単結晶塊ＣＬを良好な効率で安定に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】品質を保ちつつ長尺な単結晶を得ることができる単結晶の成長方法および成長装置を提供する。
【解決手段】成長用容器（１，２）内において流れている原料ガスが筒状のガス流制御部材６を使って集められ、種結晶５に向かう。ガス通路１０により、ガス流制御部材６における、成長させる単結晶１１と対向する内壁面を迂回する原料ガスの流れが作られる。ガス流制御部材６の内方においてガス流制御部材６の内壁面との間の隙間９を通して原料ガスが通過し、種結晶５から単結晶１１が成長する。種結晶５からの成長初期においてはそれ以降よりも成長方向に口径拡大させずに単結晶１１が成長する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の昇華再結晶法によりインクルージョン、不純物元素、結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板２上に炭化珪素単結晶５を製造する方法において、原料３の昇華組成のズレや変動要因及びこれらが生成する単結晶５に与える影響等をなくすため、炭化珪素原料３を収容するルツボ１として内面が炭化タンタルで被覆された黒鉛ルツボ１を使用する。内面が炭化タンタルで被覆された黒鉛ルツボ１は、先ずルツボ１の内面を電子ビーム加熱蒸着法等を用いてタンタルを層状に蒸着させ、その後、炭化処理法により炭化物内面層を形成させる。 （もっと読む）

【解決手段】 ＳｉＣブールの成長において、底部にＳｉＣ原料が装填され、頂部にＳｉＣ種結晶が装填された成長るつぼの内部に成長ガイドが提供される。成長ガイドは、この成長ガイド内の開口部の少なくとも一部を画定する内層と、るつぼ内で内層を支持する外層を有する。開口部は原料に面し、種結晶は、原料と反対側の開口部の端部に位置する。内層は、外層を形成する第２の異なる材料よりも高い熱伝導率を有する第１の材料から形成される。成長ガイド内の開口部を介して、成長るつぼ内で種結晶上に原料を昇華成長させ、それによって種結晶上にＳｉＣブールを形成する。
【効果】本ＳｉＣ昇華結晶成長方法により、従来技術の誘導直径拡大成長の欠点、すなわち、蒸気による成長ガイドの浸食、ガイドの内表面上での多結晶ＳｉＣの堆積、および成長結晶のガイドへの付着が回避または排除される。 （もっと読む）