【課題】昇華再結晶法による単結晶の製造において、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止できる種結晶固定方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。種結晶１０は、蓋体１２０側に種結晶１０を保護する保護層１５を有する。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による坩堝１は、昇華用原料３を収容する坩堝本体５と、該坩堝本体５の開口を塞ぐと共に種結晶７を支持する取付部９が設けられた蓋体１１と、前記取付部９の外周部から昇華用原料３側に向けて延びるガイド部材１３と、を備える。このガイド部材１３において取付部９側に位置する取付部側端部２１に、前記種結晶７の外周端部であるベベル部３５を昇華用原料３側から覆うカバー部２７を突出して形成させている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法、ＳｉＣ結晶、およびＳｉＣ結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。坩堝１０１と、坩堝１０１の外周を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。坩堝１０１内に原料１７を配置する。坩堝１０１内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。坩堝１０１内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、坩堝１０１の種結晶１１側の外表面１０１ａと、断熱材１２１との間に、空間からなる放熱部１３１を配置する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質の炭化珪素単結晶を安定的に製造し、高品質化を可能とする成分調整部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成分調整部材は、結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に同軸に配置して該原料収容部より小径の基板支持面で基板を支持する基板支持部とを備え、前記原料を昇華させて前記基板上に前記原料の化合物半導体単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して前記結晶成長用容器内の空間を分離する成分調整部材であって、前記原料の昇華ガスが透過する複数の透過孔を有すると共に、中央側の開口率（前記透過孔の総開口面積／前記透過孔以外の部分の総面積）が周端側の開口率より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶、その製造方法、その製造装置および坩堝を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。本体部１０２を含む坩堝１０１と、本体部１０２を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。本体部１０２内に原料１７を配置する。本体部１０２内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。本体部１０２内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ側に、断熱材１２１よりも熱伝導率の高い放熱部１３１を配置するとともに、放熱部１３１で、または、放熱部１３１と断熱材１２１とで、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ全体を覆う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶等の製造において、種結晶及び成長結晶の表面温度の径方向の均一化効果が顕著で、高品質でかつ長尺の単結晶の製造を可能とする遮蔽部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に配置して、該原料収容部に対向するように基板を支持する基板支持部と、前記結晶成長用容器の外周に配置する加熱装置とを備え、前記原料収容部から原料を昇華させて前記基板上に前記原料の単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して用いる遮蔽部材１０であって、原料ガスが透過する複数の透過孔１６，１７，１８，１９を有すると共に、中心部から端部に向かうにつれて熱容量が大きく構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】たとえば、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造において、単結晶の成長途中での断熱材の劣化を抑制すると共に、坩堝内の温度分布の再現性を高め、さらに製造コストの上昇を抑えることが可能な単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶の製造装置は、導電性の坩堝１０と、坩堝１０の外周に近接して配設され、当該坩堝１０の側方および上方を覆う導電性の炉芯管１１を備える。誘導加熱法を用いて坩堝１０が加熱される際、炉芯管１１は、その下端は坩堝１０の底よりも低い位置となるように設置される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の品質を低下させることなく、炭化ケイ素単結晶の大口径化に対応できる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、炭化ケイ素を含む種結晶１１と、該種結晶１１と対向する側に配設され前記種結晶１１の成長に用いられる昇華用原料１０とを収容する坩堝２を備える炭化ケイ素単結晶の製造装置１である。前記坩堝２は、前記昇華用原料１０が収容される坩堝本体７と、前記種結晶１１が配設される蓋体８とを備え、前記種結晶１１の径方向中央側に対応する前記蓋体８の中央領域における厚みＴ１は、前記種結晶１１の径方向中央側よりも径方向外側に対応する周辺領域における前記蓋体８の厚みＴ２よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】断熱材の全てを交換することなく、品質を向上させることができると共に、長尺化することのできる炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた製造方法を提供する。
【解決手段】断熱材を、反応容器９の側壁を囲む円筒状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２と機械的に分離可能とされた円板部材からなり、多孔質材料で構成された吸収断熱材１３と、を含んで構成する。そして、吸収断熱材１３を、側壁が側壁断熱材１２の内壁と接した状態で、反応容器９のうち一端部と反対側の他端部の端面に配置し、反応容器９内の未反応原料ガスを、吸収断熱材１３を介して真空容器７に備えられた流出口４から排気する。 （もっと読む）

【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】第１の部屋（原料室１１ｄ）に配置した炭化珪素原料１４から昇華ガスを供給し、第１の部屋に配置した炭化珪素原料１４から昇華ガスの供給を開始してから一定時間後に第２の部屋（外側容器１１の中空部分、蓋体１３、内側容器１２によって囲まれた空間）に配置した炭化珪素原料１５から多量に昇華ガスを供給し、炭化珪素単結晶８を成長させる。このように、２つの部屋で昇華ガスを発生させ、先に第１の部屋に生じた昇華ガスで炭化珪素単結晶８を成長させ、一定時間後に第２の部屋に生じた昇華ガスで引き続き炭化珪素単結晶８を成長させているので、昇華ガスを供給し続けることができ、昇華ガスの供給低下に伴う炭化珪素単結晶８の成長低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の結晶表面の温度分布を直接測定することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】壁部１６ａの内部に水が循環することで水冷される中空筒状の水冷管１６と、水冷管１６の中空部１６ｂに配置され、一定の視野角を持った先端部１７ａが容器９のうち台座１０よりも容器９の底部９ｄ側に配置されると共に台座１０側から容器９の底部９ｄ側に放出される光を先端部１７ａから取り込んで、中間部１７ｂを介して他端部１７ｃに伝達するファイバースコープ１７と、ファイバースコープ１７の他端部１７ｃに伝達された光の強度を検出することにより、視野角に応じた範囲の温度分布を直接測定する可視光用のサーモビューア１８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】台座の側壁や台座の周辺部に位置する反応容器の壁面にＳｉＣ多結晶が付着することを抑制することのできるＳｉＣ単結晶の製造装置およびそれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一面が台座１１と対向した状態で当該一面が中空部に配置され、原料ガス３を冷却しながら反応容器９内に導入する冷却管１０と、反応容器９の周囲に配置され、反応容器９を加熱して反応容器９内の温度を制御することにより、冷却管１０からの輻射により冷却されるＳｉＣ単結晶６の成長表面の温度を所定温度に制御する加熱装置１５と、備える。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の高品質の単結晶を生成する。
【解決手段】シード結晶とシード・ホルダとの距離を、シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移が、シード・ホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させる。特に、シード結晶及びシード・ホルダが直接接触するときに良好な結果が得られ、接触面は常に１０μｍ以下、好ましくは１μｍ未満である。このような関係を得るために、シード・ホルダ２５に固定されているエッジ・リング・シード・キャップ２７にシード結晶２４を支持している。成長する結晶２６もキャップに支持される。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶の径方向端部に凹面が形成されることなく、良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、昇華用原料３を収容する坩堝本体５と、前記坩堝本体５に取り付けられ、種結晶が取り付けられる種結晶支持部７を有する蓋体９と、前記種結晶支持部７の外周近傍から前記昇華用原料３に向けて筒状に延びるガイド部材１１とを備え、前記ガイド部材１１の内部に、単結晶よりも熱伝導率が低く設定された断熱材１５を設けている。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を保ちつつ、さらに口径拡大や長尺化した単結晶を得ることのできるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】容器本体１０のうち種結晶２３とＳｉＣ原料３０との間に、昇華ガスを種結晶２３へ導くと共に、ＳｉＣ単結晶２２の成長空間を構成するガイド部４０を配置し、ガイド部４０を、中空部を有する筒部４１ａ〜４４ａを備えた複数のガイド部材４１〜４４を有する構成とし、複数のガイド部材４１〜４４を、容器本体１０の軸方向においてそれぞれ離間した状態で容器本体１０の内部に備える。 （もっと読む）

【課題】より安価に化合物結晶を製造することができる化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶５の表面の少なくとも一部と塊状の固形物からなる固体原料３の表面の少なくとも一部とが間隔を空けて互いに向かい合うように種結晶５と固体原料３とを配置する工程と、固体原料３を加熱する工程と、固体原料３の加熱により固体原料３が昇華して発生した昇華ガスを、互いに向かい合っている種結晶５の表面と固体原料３の表面との間の領域から実質的に外部に漏洩させずに種結晶５の表面上に化合物結晶を成長させる工程と、を含む、化合物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を保ちつつ、さらに口径拡大や長尺化した単結晶を得ることのできるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】中空部を有する筒部４１ａ〜４４ａを備えたガイド部材４１〜４４を容器本体１０の軸方向に複数積層することにより、ガイド部４０を構成する。そして、積層方向に隣接する二つのガイド部材４１〜４４の相対する先端面のうち、いずれか一方のガイド部材の先端面には他方のガイド部材の先端面に向かって突出する複数の突出部を周方向に離間して備え、種結晶側のガイド部材を、ＳｉＣ原料３０側のガイド部材に突出部を介して積層する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の単結晶原料の製造と、炭化ケイ素単結晶の成長とを、１台の装置を用いて連続して行うことができ、得られた単結晶原料や炭化ケイ素単結晶に不純物が混入する虞も無い炭化ケイ素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉体または前駆体１１を貯留する容器１２と、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を加熱する高周波コイル１４とを備え、炭化ケイ素粉体または前駆体１１から炭化ケイ素の単結晶原料を生成する単結晶原料部３と、炭化ケイ素種結晶２３を固定する種結晶支持部２１と、種結晶支持部２１を加熱する高周波コイル２２とを備えた炭化ケイ素単結晶製造装置１において、まず、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を焼成して比表面積が制御された炭化ケイ素からなる単結晶原料を得た後、前記単結晶原料を昇華させ、炭化ケイ素種結晶２３上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣ単結晶等の単結晶の製造において、結晶成長に用いる坩堝の気密性を高めて材料ガスの漏れを防止し、且つ、坩堝内の充分な真空引きを可能にする単結晶の製造方法および装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、側壁に肉薄部１ａを有するグラファイト製の原料収納容器１と蓋３を有する。坩堝１０内に種基板４および原料２を配置した後、蓋３は原料収納容器１に接着剤５を用いて固定される。坩堝１０内の真空引きは、坩堝１０の側壁の肉薄部１ａが有する微細な空孔を通して行われる。 （もっと読む）

【課題】コストや作業工数を増大させることなく高抵抗な炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華法により種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させて得られる炭化ケイ素単結晶であって、炭化ケイ素単結晶中のドナー濃度とアクセプター濃度との差の絶対値を１×１０^−１６〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とする。例えば、浅い準位のアセクプターであるホウ素は、結晶成長高さに関わらずホウ素濃度は略一定となるが、浅い準位のドナーである窒素は、結晶成長に伴って低下し、最終的にはホウ素濃度以下になる。これに伴い、成長結晶の抵抗率は結晶成長に伴って増加していき、ホウ素濃度と窒素濃度とがほぼ同等の値になる領域において半絶縁性を示し、その後は窒素濃度の低下に伴って低下する。従って、ホウ素濃度と窒素濃度がほぼ同等の値になる領域を拡大することにより半絶縁性のウエハとして歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）