【課題】炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって欠陥の少ない炭化珪素単結晶を安定して製造する方法を提供すること。
【解決手段】炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を製造するための黒鉛坩堝に、坩堝内部から坩堝外部へガスが抜ける流路を形成することで、ポリタイプの安定した結晶成長が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない良質なSiC単結晶インゴットを、再現性良く製造し得る製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用坩堝３を用いて炭化珪素単結晶よりなる種結晶１上に炭化珪素単結晶を成長させてバルク状の炭化珪素単結晶インゴットを製造する昇華再結晶法による製造方法において、坩堝３を被覆する断熱材が、合計厚さ5mm以上200mm以下で、且つ2枚以上100枚以下の黒鉛製フェルト７の積層構造で構成する。得られた炭化珪素単結晶インゴットは、インゴットの口径が50mm以上300mm以下であり、さらにエッチピット密度が1×104cm-2以下である。 （もっと読む）

【課題】良質なSiC単結晶をクラック等の発生なく安定的に製造する製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、SiC原料２４粉末と種結晶２１を収容する坩堝２３、坩堝２３の周囲に配置された断熱材２５、２７、２８、坩堝２３を加熱する加熱装置を有するSiC単結晶の製造装置であって、坩堝２３の外形が、隣接する領域より径の細い領域が少なくとも１箇所以上ある形状を有しており、径の差により生じる空間にも断熱材２６を配置することにより、坩堝２３内部の温度勾配が精密に制御され、良質な炭化珪素単結晶インゴット２２が得られる。 （もっと読む）

結晶成長方法において、種結晶８及び原料物質４が、成長ルツボ６内に、間隔を空けた関係で載置される。その後、結晶の成長のための開始条件が成長ルツボ６で確立される。開始条件は、成長ルツボ６内における適切なガス、成長ルツボ６内におけるガスの適切な圧力、及び、原料物質が昇華して、成長ルツボ６における温度勾配を介して、種結晶に輸送されて、そこに昇華した原料物質が凝結するような成長ルツボ６における適切な温度からなり、結晶１４の成長中、成長ルツボ６におけるガス、成長ルツボ６における圧力、及び成長ルツボ６における温度の成長条件のうち少なくとも一つを成長ルツボ６内で間欠的に変更するステップからなる方法。
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【課題】成長中に結晶中の不純濃度を変化させる場合でも、結晶性に優れる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶成長中に雰囲気ガス中の不純物濃度を変化させる際に、成長温度が一定になるように温度制御する。雰囲気ガス中の不純物としては窒素を用い、その濃度を変化させることによって、結晶中の窒素濃度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する際、単結晶成長後の清掃が容易であり、堆積物が反応容器上に落下することを防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素からなる原料を加熱して気化させ、該気化した原料を種結晶の表面に再結晶化させることにより炭化ケイ素単結晶を成長させる装置であって、炭化ケイ素からなる原料を収容するとともに種結晶を固定する反応容器１２と、反応容器を加熱し、該容器に収容された原料を気化させるための加熱手段１８と、反応容器を収容し、炭化ケイ素単結晶を成長させる際に反応容器から漏れた原料ガスを排出するための排気管２２を有する外側容器２０と、外側容器の内側において反応容器と排気管との間で着脱可能に配置され、反応容器から漏れた原料ガスを固化して捕集するための部材２４と、を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置１０。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって欠陥の少ない炭化珪素単結晶を安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を製造するための黒鉛坩堝をねじによって組み立てる方法を用いることで、ポリタイプの安定した結晶成長が得られるようにする。黒鉛坩堝の内径を75mm以上とし、ねじによる接続部を、少なくとも黒鉛坩堝内に充填される炭化珪素原料から20mm以内の位置に形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶ブール成長のための方法及び装置を提供する。
【解決手段】高温でＡｌＮ単結晶ブール８を生成するための物理的気相輸送成長炉システム内部の結晶成長セットアップが、ＡｌＮ原材料７及び成長するＡｌＮ結晶ブール８を含むのに効果的な坩堝６を含む。この坩堝６は、少なくとも成長するＡｌＮ結晶ブール８を収容する部分２３で薄い壁厚（ｔ_１）を有する。他の構成要素は、誘導加熱の場合のサセプタと、抵抗加熱の場合の加熱器と、５〜１００℃／ｃｍの範囲内で坩堝６内部で温度勾配を提供するのに効果的な、サセプタ又は加熱器を取り囲む断熱材と、窒素ガス、又は窒素ガスとアルゴンガスとの混合物を充填又は流入することによって、真空（＜１．３３×１０^−５ＭＰａ（＜０．１Ｔｏｒｒ））〜少なくとも０．５３３ＭＰａ（４０００Ｔｏｒｒ）のガス圧で動作させることが可能な炉チャンバとを含む。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の生産性を上げると共に、炭化ケイ素単結晶に割れ等が生じ難くする。
【解決手段】原料粉末Ｍを収容する坩堝１７の上側部分の内壁面が上方向に向かって縮小してあって、坩堝１７の天井面に炭化ケイ素からなる種結晶基板２３が取付けられ、種結晶基板２３の外縁が坩堝１７の内壁面に近接し、坩堝１７に断熱材２７が覆うように設けられ、種結晶基板２３の中心が坩堝１７の中心線２３ｃ上に位置するようになっており、坩堝１７内における上部の温度が下部の温度に比べてやや低くなるように設定した温度勾配を保ちつつ、坩堝１７を外側から加熱する加熱手段２９，３１を備える。 （もっと読む）

【課題】 大型で高品質なＧａＮエピタキシャル膜を高速に成長させる。
【解決手段】 窒素原子を含むガス中に２つの温度領域Ｔ₁、Ｔ₂を形成するとともに、各領域の温度をＴ₁＜Ｔ₂とする。低温領域Ｔ₁に固体のＧａ源８、高温領域Ｔ₂にＧａＮの種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３をそれぞれ設置する。低温領域Ｔ₁からＧａを蒸発させ、その蒸発させたＧａをガス中の窒素成分と反応させてＧａＮ形成ガスを形成し、ＧａＮ形成ガスを高温領域Ｔ₂の種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３に到達させてＧａＮ単結晶を合成する。 （もっと読む）

【課題】昇華法により歩留まりよく窒化アルミニウム単結晶を製造するための結晶製造装置を提供する。
【解決手段】容器７の内部に、ヒーター１２の熱によって昇華した原料ガスの流れを種結晶１０表面に向けるための仕切板１４を設け、仕切板１４の開口部径Ｒ２を、種結晶１０の径Ｒ１に対し、Ｒ１≦Ｒ２≦３Ｒ１の範囲内に調整することにより原料ガスの流れ及び原料と基板の間に流入する窒素濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＵＮＣＤを形成する技術を提供する。
【解決手段】グラファイトで構成されたカソード電極１３２とトリガ電極１３４の間にトリガ放電を発生させ、アノード電極１３１とカソード電極１３２の間にアーク放電を誘起させ、カーボン蒸気のイオンを真空槽１０内に放出させる。真空槽１０内は水素ガス雰囲気にしておき、電荷を有するカーボン蒸気を成膜対象物２０に到達させる。成膜対象物２０の表面にＳｉＣ膜２２を形成しておくと、ＵＮＣＤが成長する。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の原料粉末の温度分布を均一化し、原料粉末を安定に昇華でき、結晶成長速度と結晶品質が向上できる単結晶製造装置用坩堝を提供する。
【解決手段】種結晶基板７上に単結晶を成長させる単結晶成長装置用坩堝において、坩堝２４内部の蓋部５に単結晶からなる種結晶基板７を設置するための種結晶取り付け部２５と、当該種結晶基板に対して原料粉末からの昇華ガスを種結晶基板近傍に集約させるための原料粉末側が種結晶基板側より大きい開口部を有する円錐形状のフランジ６と、坩堝体全体を覆う断熱材２３と、種結晶と原料を加熱するために坩堝体全体の周囲に配置される断熱材２３の外側に配置される高周波コイル８と、を備え、熱伝導体の坩堝２４の側壁は、原材料粉末４に対する熱伝導を均一にするために当該坩堝底部から坩堝内に収納された原料粉末表面と円錐形状フランジ６底部の間の位置までの厚さを連続的に変化している。 （もっと読む）

【課題】昇華法による炭化ケイ素単結晶の成長方法において、種結晶成長表面と昇華用原料との距離を一定に保つために、昇華用原料粉体の表面を短時間で精度よく平坦化させることが可能な粉体表面平坦化治具を提供する。
【解決手段】円筒状の粉体を収容する反応容器２１の断面の円中心を通って上記反応容器の上部開口部の縁に懇架された懇架部２と、上記懇架部の中心部から上記反応容器の粉体側に伸びる回転軸４と、上記回転軸の懇架部側とは異なる側に設けられ、粉体表面に設置され、上記回転軸を軸に回転させることにより上記粉体表面の凸部を欠き取り上記粉体表面を平坦化する羽根部１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガスガイド部に多結晶を付着させること無く、成長速度が大きく、且つ高品質な炭化珪素単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】単結晶を成長させる原料を坩堝内に収容し、当該坩堝周囲の断熱材の外側に高周波コイルを用いて当該原料を加熱昇華させて単結晶からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長方法において、当該種結晶３に対し所定の距離を離して開口部を有し原料側が種結晶３側より大径の円錐状のガスガイド部９を配し、坩堝体２の加熱用の高周波コイル７位置を加熱時の坩堝内の等温線がガスガイド部９の円錐状内壁との成す角が略直角になる位置に配置し、坩堝蓋部１上に配置される断熱材８は、坩堝蓋部１と所定の距離を有して配置される。 （もっと読む）

【課題】種結晶に存在する欠陥や歪みの伝播を抑制することにより高品質な単結晶を得ることが可能となる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】欠陥や歪みが多く存在する種結晶の側面及び外縁部を昇華エッチングして前記種結晶の口径を縮小する工程と、口径が縮小された前記種結晶を、所望の大きさにまで口径拡大する単結晶成長工程を順次実施することにより、種結晶外縁部に起因する欠陥や歪みの発生や伝播を抑制して単結晶成長させることができ、高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる、昇華法を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱炉本体２内の下部に配置される黒鉛るつぼ４の内側面に、ハフニウム、ニオブ、ジルコニウム、タングステン、バナジウム、モリブデン、レニウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムから選ばれる少なくとも１種の材料の窒化物でなる被覆膜５を形成した。このような被覆膜５は、２０００℃以上の高温下でも安定で、昇華ガス（Ａｌ，Ｎ_２）に対しても化学的に安定であるため、この黒鉛るつぼから発生させたガスを用いて結晶成長させた窒化アルミニウム単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶を効率よく製造できる。 （もっと読む）

【課題】近接昇華法を用いた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造において、昇華用原料を均熱加熱できる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 （もっと読む）

【課題】 昇華再結晶法による炭化珪素等の単結晶の成長において、簡易な構成で、単結晶の口径拡大と品質向上を両立できる単結晶の成長装置を得る。
【解決手段】 るつぼ８に収容した原料粉末７上方の空間を囲むように、テーパ状のガイド部材６を設けて、その下端を炭化珪素原料粉末７近傍のるつぼ８内壁に固定し、上端を蓋体１に固定した炭化珪素単結晶基板３の近傍に開口させて、原料の昇華ガスを炭化珪素単結晶基板３表面に誘導し、結晶成長を促進する。ガイド部材６の上端側端面および内外周面は、炭化珪素単結晶基板３、種結晶支持部２、蓋体１下面、るつぼ８内壁のいずれとも接触しておらず、昇華ガスの一部がこれらの隙間から外部へ流出することによって、成長する炭化珪素単結晶５がガイド部材６に接触して、応力を受けることが防止され、高品質な単結晶を大口径で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 簡便にＡｌＮ半導体を製造することができると共に、ＡｌＮの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性に優れたＡｌＮ半導体が得られるＡｌＮ半導体の製造方法、及びＡｌＮ半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させるＡｌＮ半導体の製造方法であり、また、無水塩化アルミニウムを加熱し昇華又は気化させて塩化アルミニウムガスを排出させる気化器と、この塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとを反応させる反応管とからなるＡｌＮ半導体製造装置である。 （もっと読む）