【課題】高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。
【解決手段】成長室３の内部にＡｌＮ多結晶原料１１を設置する工程と、ＡｌＮ多結晶原料を加熱して昇華させる工程と、成長室の内部の種結晶１２の表面上にＡｌＮ単結晶を成長させる工程と、を含み、成長室の内部のＡｌＮ多結晶原料の温度におけるＡｌＮの化学量論組成の窒素分圧よりも成長室の外部の窒素分圧を高くし、成長室の内部と外部のガスの交換を可能とする開口部４を成長室に設けてＡｌＮ単結晶を成長させ、開口部は、種結晶よりもＡｌＮ多結晶原料に近く、かつ、種結晶を直接見ない位置に設ける。 （もっと読む）

炭化ケイ素の結晶成長方法と装置を提供する。装置は、複数の炭化ケイ素結晶プレートを形成するために、炭化ケイ素結晶が仕切り板間の隙間（通路）に成長するように導くことが可能な、間隔をあけて配置された複数の仕切り板を有する昇華チャンバーを含む。炭化ケイ素結晶プレートは、次の昇華ステップの種結晶として使用でき、欠陥形成を抑えるために異なる結晶方向に炭化ケイ素結晶を成長するよう促進する。 （もっと読む）

物理的蒸気輸送方法及びそのシステムにおいて、源物質と種結晶とが空間的に関係して入れられた成長チャンバーが備えられている。カプセルの内部と外部との間に伸びた少なくとも１つの毛細管を有する少なくとも１つのカプセルもまた備えられているが、そこでは、カプセルの内部にはドーパントが入れられている。各カプセルは前記成長チャンバーに組み込まれている。各カプセルの組み込みに続いて前記成長チャンバーで行われる成長反応を経て、結晶は、前記源物質を用いて前記種結晶の上で形成されるが、そこでは、該形成された結晶は前記ドーパントがドーピングされる。 （もっと読む）

【課題】気相法を用いた単結晶の製造において、種結晶上に適切に単結晶を成長させる。
【解決手段】単結晶製造装置１０は、種結晶３と、単結晶６の原料５が収容される容器１と、種結晶３及び容器１が収容される炉２を構成する本体部２１、蓋体部２２及び保持部２３とを備え、気相法により単結晶６を製造する。容器１の開口部形成部Ａの少なくとも一部が、単結晶６の晶系と異なる晶系の材料で形成されている。 （もっと読む）

本発明は、耐火材料からなる高密度成形品、たとえばるつぼを形成する方法を提供し、該方法は、所望の形状に近いものへと粉末を形成するように構成された型に、少なくとも約２９００℃の融点を有する耐火材料を配置するステップを含む。粉末を含有する型は、型の形状に従う形状維持成形粉末を形成するのに十分な温度および圧力にて処理され、処理ステップは焼結または等方加圧を含む。形状維持成形粉末は、所望の最終形状へ機械加工して、次いで約９０％を超える密度および非常に低い開放気孔率を有する高密度成形品を製造するのに十分な温度および時間で焼結することができる。好ましい耐火材料として、タンタル炭化物およびニオブ炭化物が挙げられる。
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【課題】 炭化ケイ素単結晶製造装置の昇華用原料配置部の温度分布を均一に保てる装置を提供する。
【解決手段】 昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、上記昇華用原料を収容する容器は、昇華用原料収容部の底部に断熱部を備える炭化ケイ素単結晶製造装置。 （もっと読む）

本発明は、窒化ガリウム単結晶または窒化ガリウムアルミニウム単結晶の製造法および製造装置に関する。本発明による方法処理において本質的なことは、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも１０００℃で実施し、かつ金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれらのガスの組み合わせからなるガスフローを金属融液表面に導通することである。
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少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^-2未満のマイクロパイプ密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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【課題】 AlNのバルク単結晶を製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 Al及びN_２の原料物質を内包しバルク結晶を形成できる結晶成長筐体を具備し、装置は、結晶成長筐体内でAlに対して化学量論組成の分圧より高いN_２分圧を維持する一方、全蒸気圧を超大気圧に維持する。少なくとも１つの核生成サイトが筐体内に設けられ、核生成サイトを筐体内の別の箇所より低温とする。その後Al及びＮ_２の蒸気は核生成サイトにおいてAlN単結晶を成長させるべく堆積する。
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【課題】 マイクロパイプがなく、転位が少ない炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】 反応容器内の第一端部に昇華用原料４０を収容し、反応容器内の昇華用原料４０に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶５０を配置し、昇華させた昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、昇華用原料４０よりも熱伝導性が高い均熱部材８０を、反応容器の径方向の中心部を少なくとも含んで昇華用原料４０の表面近傍に配置し、対向する種結晶５０表面の均熱化を促進させる炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転位欠陥の少ない良質の大口径｛０００１｝面ウェハを、再現性良く製造し得るための炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】成長面に溝を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、前記溝が幅２ｍｍ未満の矩形の溝であること、あるいは溝の構成面の少なくとも一部が｛０００１｝面から１５°以上７５°以下の傾角を持った面であること、を特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、及び、これを用いた炭化珪素単結晶インゴットとその製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスに使用される半絶縁性炭化ケイ素の基材と、その製造方法とに関する。基材は、１０^６Ω・ｃｍ以上、好ましくは、１０^８Ω・ｃｍ以上、最も好ましくは１０^９Ω・ｃｍ以上、の比抵抗と、５ｐＦ／ｍｍ^２以下、好ましくは１ ｐＦ／ｍｍ^２以下の容量とを有する。基材の電気特性は、電気挙動を支配するためには充分に高いが、表面欠陥を回避するのには充分に低い濃度の、少量の深準位不純物の添加によって制御される。基材は、意図的に、５×１０^１６ｃｍ^３以下、好ましくは、１×１０^１６ｃｍ^３以下に低下された、浅準位ドナー及びアクセプタを含む、意図されないバックグラウンド不純物をある濃度で含む。深準位不純物は、周期表のＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＶＩＩＢ及びＶＩＩＩＢ族から成るグループから選択される金属の１つを含む。バナジウムが好適な深準位元素である。比抵抗と容量の制御に加えて、本発明の別の利点は、結晶全体にわたる電気的均一性の増加と、結晶欠陥の密度の低下である。
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本発明は、非コングルエントな気相化を呈し、単結晶又は多結晶形態で存在可能な化合物本体を単結晶状態で形成する装置（１０）において、前記本体の多結晶供給源が形成される基板（４２）及び前記本体の単結晶種（４６）を有する少なくとも１個の第１室（２０）と、第２室（１４）とを備え、前記基板は前記２室の間に配置されることを特徴とし、前記基板に前記本体を多結晶の形態で堆積させることのできる前記第２室に、前記本体のガス状前躯体を供給する手段（３６）と、前記基板を前記種の温度より高く維持して、前記多結晶供給源を昇華させ、前記本体の種に単結晶形態で堆積させる加熱手段（２６）とを具備する装置に関する。
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【課題】 ＡｌＮ種結晶上にＡｌＮ単結晶を、多結晶化を発生させることなく、成長させる。
【解決手段】 昇華法によりＡｌＮ種結晶２上にＡｌＮ単結晶３を成長させるＡｌＮ単結晶の成長方法であって、ＡｌＮ単結晶３を結晶成長容器１２の内壁１２ｗに接触させながら、かつ、ＡｌＮ単結晶３の結晶成長界面３ｓの端部における結晶成長速度Ｖ_Eが、結晶成長界面３ｓの中央部における結晶成長速度Ｖ_Cよりも小さくなるようにＡｌＮ単結晶３を成長させるＡｌＮ単結晶の成長方法。 （もっと読む）