【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】留まりを向上するエピタキシャル膜および発光素子を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜３０は、基板３２と、基板３２上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層３５と、活性層３５上に形成された第２導電型クラッド層とを備えている。第１および第２導電型クラッド層の少なくとも一方がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ層（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）であり、厚みのばらつきが６％以内である。 （もっと読む）

【課題】リアクター部への前駆物質の供給、特に有機金属化合物の供給に関係する改良された方法と装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物などの前駆物質を、バブラー１のようなバルク容器から複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０へバルク供給するための方法および装置であって、前駆物質を取り込んでガス状混合物を作るためにキャリヤーガス２が前駆物質の容器１に導入される。このガス状混合物は、次に、複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０に選択的に供給される。ガス状混合物は貯蔵部９に貯蔵され、必要とされる時に、圧力差または真空により各リアクター部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの光取り出し効率を向上できる基板を提供する。
【解決手段】半導体発光素子ＬＣは、一方の面に複数の六角錐状の凸部１１０ｂが設けられた基板１１０と、凸部１１０ｂが設けられた面に接触するように設けられた下地層１３０と、下地層１３０に接触して設けられるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０に接触して設けられる発光層１５０と、発光層１５０に接触して設けられるｐ型半導体層１６０とを備えている。凸部１１０ｂは、半導体発光素子ＬＣ内において、横方向および斜め方向に向かう光を散乱し、半導体発光素子ＬＣからの光取り出し効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の＜０００１＞軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、１以上の境界線が以下の（１）又は（２）を満たす。（１）０°＜θ＜９０°である。（２）θ＝０°である境界線（ｌ）が２本以上存在し、隣り合う境界線（ｌ）が同一直線上にない。 （もっと読む）

【課題】窒化インジウム（InN）を基としたバンドギャップEgが0.7〜1.05eVをもつIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN（x≧0、y≧0、かつx+y≦0.35）単結晶薄膜と良好に格子整合する単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板上に形成してなる半導体薄膜、および半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO₅（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ａ面またはｃ面サファイア基板上に、平坦性、結晶性に優れたｃ面ＧａＮを成長させること。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板の表面に、複数の正六角柱の凸部１をハニカム状に配列したパターンの凹凸形状をドライエッチングにより形成した。凸部１は、側面がｍ面である正六角柱状の凸部を、その正六角柱の中心軸１ｂの回りに反時計回りに１５°回転させたものである。したがって、凸部１の側面１ａは、低指数面であるａ面やｍ面ではない高指数面である。次に、凹凸形状を施した側のサファイア基板上にスパッタ法によってＡｌＮからなるバッファ層を形成し、バッファ層を介してＭＯＣＶＤ法によってｃ面を主面とするＧａＮ層を形成した。これにより、結晶性、平坦性に優れたＧａＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】表面のオフ角のばらつきが小さい大面積の窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも１つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、半導体結晶製造装置内に前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２と、該シリコン基板上に形成した窒化アルミニウム単結晶核生成層と、該窒化アルミニウム単結晶層３上に形成した、少なくとも一組以上の超格子層４を含むバッファ構造体とを具える電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記シリコン基板の表層部には、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面から基板厚さ方向に広がるアルミニウム拡散領域５が設けられ、前記シリコン基板の、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面の表面粗さRaは、0.2〜１nmの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたｍ面ＧａＮ結晶を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０表面には、長手方向をｍ軸方向とする帯状の凹部１１が、ストライプ状に配置されて複数形成されている。凹部１１は、サファイア基板１０の主面に平行な底面１１ａと、向かい合う２つの側面１１ｂで構成されている。側面１１ｂは平面状である。テラス１０ａの幅ｘは２０μｍ以下、凹部１１の底面１１ａの幅ｙは１５μｍ以下、凹部１１の深さｚは５０ｎｍ以上、サファイア基板１０の主面に対して凹部１１の側面１１ｂのなす角度θは５０〜９０°、である。このサファイア基板１０上に結晶成長させたｍ面ＧａＮは、結晶欠陥が少なく結晶性に優れ、かつ表面平坦性に優れている。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。サファイア基板１０は、中間層１１を成長させる主面が、当該サファイア基板１０のｍ軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板１０のｍ軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層１２を成長する工程においては、第一の薄膜層１２aの上にマスクを形成してから第２の厚膜層１２ｂを形成してもよく、これにより第一の薄膜層１２aと第２の厚膜層１２ｂの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板１０を容易に剥離し、III族窒化物層１２の自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の製造方法及び発光素子の製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の一実施形態によると、半導体基板の製造方法は、基板の上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層の上にパターン状に金属性材料層を形成し、第１の半導体層の上及び金属性材料層の上に第２の半導体層を形成するとともに、金属性材料層より下層部分の第１の半導体層に空洞を形成し、空洞を用いて第２の半導体層から基板を剥離することを含む。これによって、レーザを使用して成長基板を分離する必要がないので、基板製造コストを減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含み、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の転位密度が１×１０⁷個／ｃｍ²以下であり、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の表面が表面粗さＲ_P-Vで０．５μｍ以下に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】基材上にエピタキシャル成長させた窒化物半導体層を剥離する窒化物半導体自立基板の製造において、成長させた窒化物半導体層を簡易な方法で容易に剥離させることができ、欠陥の少ない高品質の窒化物半導体自立基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】好ましくは４００μｍ以上の厚さを有し、少なくとも、表面に凹凸１１を形成した、サファイア、Ｓｉ、ＳｉＣのいずれかを材質とする基材１０を準備し、前記基材１０の凹凸１１が形成された表面上に窒化物半導体層１２を前記基材厚以上の厚さでエピタキシャル成長させた後、前記基材１０から剥離させることにより窒化物半導体自立基板１３を製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャルウェハの製造が可能な表面に保護膜が形成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。前記保護膜は基板表面への汚染物質の付着を防ぐとともに、水素雰囲気中1200℃以下の温度に保持するだけで簡単に除去できるので、汚染物質に起因するエピタキシャル成長膜の異常成長や結晶欠陥の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電性SiC単結晶基板２と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファ３と、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体４とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、B_a1Al_b1Ga_c1In_d1N(0≦a₁≦1,0＜b₁≦1,0≦c₁≦1,0≦d₁≦1,a₁+b₁+c₁+d₁=1)材料からなり、初期成長層５と、バンドギャップの異なる２層を交互に積層した超格子多層構造からなる。超格子積層体６、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、Ｃ濃度が１×10¹⁸/cm³以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板に対する外形加工（特にオリエンテーションフラット加工やインデックスフラット加工）を精度良くかつ容易に行うことができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所望形状でくり貫かれた部分を有する保護膜を下地基板の上に形成する工程と、前記くり貫かれた部分に窒化物半導体層を成長する工程と、前記窒化物半導体層を剥離する工程とを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記所望形状は、前記窒化物半導体基板におけるオリエンテーションフラットおよび/またはインデックスフラットを含み、また、前記保護膜としては、酸化物膜、金属膜または窒化物膜を含む。 （もっと読む）

【課題】高い歩留でレーザーダイオードを製作することが可能な窒化物半導体自立基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法による窒化物半導体自立基板の製造方法であって、前記成長用基板上の前記窒化物半導体層が成長する領域における原料ガスを含むガスのガス流速を１ｍ／ｓ以上に、かつ、前記窒化物半導体層を形成するための原料ガスを含むガスを吹き出すガス吹出口から前記窒化物半導体層が成長する領域までの距離を５０ｃｍ以上に設定することで、ガス流れが均一となり、これにより、膜厚分布が大幅に改善し、基板表面Ｗ１での転位密度が４×１０^６／ｃｍ^２以下で、基板表面Ｗ１の面内における基板表面Ｗ１に沿った結晶軸の向きａのバラツキの範囲が、±０.２°以下の窒化物半導体自立基板Ｗが得られる。 （もっと読む）