【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハに、インゴット引き上げ時の溶融液への窒素、炭素、またはその両方の導入によりイントリンシックゲッタリング機能を付与した。これにより、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。その結果、エピタキシャルシリコンウェーハ１０の反りを低減でき、しかも高いイントリンシックゲッタリング能力が得られる。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝（ｈ、ｋおよびｌは整数）の主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶接合基板は、｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝の主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板１０であって、｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）０｝（ｈおよびｋは整数）の主面１１ｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑを含み、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑの［０００１］方向が同一になるように、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑは互いにそれぞれの主面１１ｍの少なくとも一部で接合されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を製造するためのベース基板として好適に使用できる、結晶レベルでの歪みが低減されており、クラックおよび反りの発生が抑制された自立基板製造用基板を提供する。
【解決手段】不活性ガス中１０００℃において分解しない無機物質であって、１０００℃以上１６００℃以下で還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板、ベース基板上に形成された、単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物、または単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物と非晶質Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物との混合物からなる厚さ３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層上に形成された、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層の厚さの１００倍以上の厚さを備えたＩＩＩ族窒化物非単結晶層、を備えて構成される積層体とし、ベース基板とＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を設ける。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造３００は、ｃ軸の格子定数が６．６６オングストローム未満であるウルツ鉱型の結晶構造を有する基板３０１であって、主方位面３０１Ａが（０００１）面から±１０度以内のオフ角であり、基板３０１の主方位面３０１Ａ上に複数の穴３０１Ｂを有する基板３０１と、基板３０１の主方位面３０１Ａの複数の穴３０１Ｂを除く部分を覆うアモルファス構造のマスク３０２と、マスク３０２上のウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜３０３であって、基板３０１の複数の穴３０１Ｂを充填する単結晶薄膜３０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】枚様式、多数枚式を問わず、均一な厚みの単結晶膜の成膜を可能にする。
【解決手段】ガス噴出部の噴出口は、行および列を成すように配列され、列の間隔が行の間隔よりも広い。これにより、基板到達後のガスは、列に沿って形成される排気空間５０１を流れ、排気されるため。常に基板にフレッシュなガスを供給できる。よって、一様な膜厚で成膜することが可能である。これに対し、比較例では、ガスが放射状に流れるため、中央部の膜厚が厚くなる。 （もっと読む）

【課題】経済的に安価であり、大面積化およびへき開が可能な六方晶窒化ホウ素構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】
高い結晶成長温度が必要とされる結晶成長装置に適しかつ２インチ以上の大きな基板の結晶成長に適する基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、平板ヒータの外周に沿ってこれの外側に外周を囲むように無底箱型ヒータを設け、その側面が平板ヒータの厚さより大きい所定の幅を持っていることで、平板ヒータの最外周の抜熱による発生熱量を補充できる大きな熱量を最外周に隣接して発生することができる。 （もっと読む）

本発明は、前駆体蒸気（１０１）が少なくとも１つの供給管路（１４１、１４２）に沿って堆積反応炉の反応室（１１０）に導かれ、反応室内に前駆体蒸気の鉛直流を作り出してこれを鉛直に配置された１回分の基板（１７０）間に鉛直方向に入り込ませることによって、鉛直に配置された基板（１７０）の表面に材料が堆積される方法および装置に関する。 （もっと読む）

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
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【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてスパッタ法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、そのＡｌＮ結晶膜は、結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。好適には、ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下であるのが好適である。さらに、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量は５原子％以下である。 （もっと読む）

テンプレート化基板は、ベース層と、ベース層上に配置されており、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有している、テンプレート層とを含む。テンプレート層は、ベース層上にある連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを含み、ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を含む。上記ベース層は、サファイア、ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、およびＬｉＧａＯ_２から成る群より選択される材料を含み得る。
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【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。
【解決手段】Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。この場合、荒れた部分１３を周期的に形成し、荒れた部分１３のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分１３の中心間の寸法を５ｍｍとし、荒れた部分１３の幅を１０μｍとして、荒れた部分１３が形成された周期ｘを５ｍｍとし、また荒れた部分１３と鏡面な部分１２との面積比ｙを約０．００４とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生成された結晶に含まれる酸素の濃度を低くすることができるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３と還元性ガスＨ_２２１ｂとを加熱状態で反応させて、ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３の還元物ガスＧａ_２Ｏを生成させる還元物ガス生成工程と、還元物ガスＧａ_２Ｏと窒素含有ガス２３ｃとを反応させて、ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４を生成する結晶生成工程とを有する。ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４は、ＧａＮ結晶である。 （もっと読む）

【課題】基板との界面において歪みを抑制しつつ室温下で窒化ガリウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ１１内に設置された基板１３に対して、室温下でIII族原料ガスとしてのトリメチルガリウムガスとＶ族原料ガスとしてのアンモニアガスを１：１０００以上の流量比率で同時に供給し、更に基板１３に対して波長２２０ｎｍ以下の光を照射する。これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 （もっと読む）

【課題】素子層全体を面内均一に低転位化させることができ、簡便に、低転位領域の大面積化を図ることができる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＣ層２をＣＶＤ法により形成する工程と、前記ＳｉＣ層２との界面まで達する深さの逆六角錐状または逆六角錐台状のピット５を複数有するＩｎ_WＧａ_xＡｌ_1-w-xＮ単結晶（０≦ｗ＜１、０≦ｘ＜１、ｗ＋ｘ＜１）からなる中間層３をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、Ｉｎ_yＧａ_zＡｌ_1-y-zＮ単結晶（０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｙ＋ｚ＜１）からなる窒化物半導体単結晶層４をＭＯＣＶＤ法により形成する工程とを経て、化合物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 （もっと読む）

【課題】厚膜且つ大面積のIII族窒化物系化合物半導体基板を得る。
【解決手段】サファイア基板１０にＴｉＮから成る高融点金属窒化物層２０を形成し（１．Ａ）、ＭＯＣＶＤ法により、４００℃で厚さ７０ｎｍのＡｌＮから成るバッファ層３０を形成し（１．Ｂ）、１１５０℃で厚さ１０μｍのＧａＮから成る第１の半導体層４０を形成し（１．Ｃ）、ＨＶＰＥ法により厚さ３００μｍのＧａＮから成る第２の半導体層５０を形成した（１．Ｄ）。冷却し、濃硝酸と過酸化水素水の混合物であるエッチング液Ｅに浸漬した（１．Ｅ）。ＴｉＮから成る高融点金属窒化物層２０は、チタンイオンと窒素分子に分解し、ＡｌＮから成るバッファ層３０、ＧａＮから成る第１の半導体層４０及びＧａＮから成る第２の半導体層５０から成る積層体１００からサファイア基板１０が剥離した（１．Ｆ）。こうして、III族窒化物系化合物半導体基板１００を得た（１．Ｇ）。 （もっと読む）