【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスから結晶への固体変換効率を高めたダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応槽１１内で、化学気相法により原料ガスから基板７１上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶成長方法であって、次式（１）を満たす原料ガス供給流量Ｇ_０で反応漕１１内に原料ガスを供給し、次式（２）を満たす排気流量Ｇ_２で反応漕１１内から排気するダイヤモンド結晶成長方法を用いることにより、原料ガス濃度を最適化して、結晶化効率を向上させるとともに、未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。Ｇ_０≦１０×Ｓ×ｈ…（１）Ｇ_２≦０．９０×Ｇ_０…（２）ここで、Ｓは基板面積であり、ｈは結晶成長速度である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】円筒状の断熱材を中心軸に対して平行に分割する場合において、分割された隣り合う断熱材同士の間に放電現象が発生することを抑制する。
【解決手段】加熱容器８の周囲に配置される第１外周断熱材１０を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部１０ａ〜１０ｃを備えた構成とする。そして、各分割部１０ａ〜１０ｃの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材２０を備えた構造とする。これにより、複数の分割部１０ａ〜１０ｃの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム化合物を含む第一ガスと、窒素化合物を含む第二ガスを、気相成長装置の成長室内へ供給して、成長室内に設置した基板上にＧａ含有窒化物半導体を成長させるＧａ含有窒化物半導体の製造方法であって、第一ガス及び第二ガスを成長室内へ供給している期間において、平均の成長速度が６６μｍ／ｈ以上となるように、特定の供給量となるＨＣｌガスを含む第三ガスを前記第一ガスの供給口とは別の供給口から前記成長室内へ供給することを特徴とするＧａ含有窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。
【解決手段】 単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、前記種基板に向かって開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成されたガス供給管の前記ガス供給口において、前記内筒部から３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を前記種基板に直接供給させ、前記内筒部と前記外筒部との間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを、前記内筒部からのガス供給速度よりも遅いガス供給速度にて、前記種基板に直接供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の表面にシリコンカーバイドの単結晶薄膜を均一なドーピング濃度と膜厚で成膜することのできる単結晶成膜方法を提供する。
【解決手段】縦型反応器１２内に設けられた支持台１６上に結晶基板１８を配置し、支持台１６を回転させながら結晶基板１８の中央部に、中央部導入口２０ａよりシリコン原料ガスとカーボン原料ガスとドーパントガスとキャリアガスとを混合した反応ガス２２を導入するとともに、結晶基板１８の外周部にも、外周部導入口２０ｂより前記反応ガス２２を導入し、前記結晶基板の表面にシリコンカーバイドの単結晶薄膜を成膜する単結晶成膜方法において、前記中央部導入口２０ａより導入される反応ガスと前記外周部導入口２０ｂより導入される反応ガスのＣ／Ｓｉ比の値を、それぞれに異ならせて設定することにより、単結晶薄膜の膜厚やドーピング濃度のばらつきを防止することができる。 （もっと読む）

光学および電子構成要素の製造、エピタキシャル堆積用の基板としての使用、またはウェハの用途に適したＩＩＩ−Ｖ族Ｖ化合物半導体材料の持続的大量生産法。この装置および方法は、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化される。この方法は、半導体材料を形成するために、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と反応させること、反応しなかったＩＩＩ族前駆体、反応しなかったＶ族成分および反応副生物を含む排出ガスを除去すること、および排出ガスの凝縮を低減させ、半導体材料の製造を増大させるのに十分な温度まで排出ガスを加熱することを含む。有利には、半導体材料の持続的大量製造を容易にするために、排出ガスが、凝縮を十分に防ぐように加熱される。
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【課題】III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。III族窒化物半導体の成長期間Ｔａおよび気相成長装置の温度の変更期間Ｔｂの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。 （もっと読む）

【課題】作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせる。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１１は、シリコン基板１２とシリコン基板１２の表面に成膜されたエピタキシャル層１３とを備える。エピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域に窒素が含有される。エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域の窒素濃度が１×１０¹³〜１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³であり、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域がエピタキシャル層の表面から１μｍ以上内部かつシリコン基板とエピタキシャル層の界面までの領域であることが好ましい。その製造方法は、原料ガスを反応容器に流通させ、その原料ガスの流通の全期間にわたって又は一時期に窒素含有ガスを流すことによりエピタキシャル層１３の全部又は厚さ方向の一部に窒素を含有させる。 （もっと読む）

【課題】 高速かつ安価に成長することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】 装置をコンパクトにでき、原料ガスを効率よく使用して、均一な半導体結晶を成長できるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ガス排出口２６を有する反応菅１５と、この反応菅１５の上部に設けられ、反応菅１５に外部から結晶成長用のガスを供給するガス供給口を備えたフランジ１６と、反応菅１５中に基板１１を載置する載置台１２と、を有するＭＯＣＶＤ装置１０において、反応菅１５の内側にあって、かつガス供給口２６の下部のフランジ１６に対向配置された基板１１に対する前記結晶成長用のガスの流速を均一とする回転数で回転させる回転体２２を設けた。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物のガス体を用いたＨＶＰＥ法によるアルミニウム系III族窒化物を製造することを課題とし、長時間に渡って成長速度を維持したまま成長を続けて、効率良くアルミニウム系III族窒化物を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 三塩化アルミニウムなどのハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの間にアルゴンなどのバリアガスを介在させて両反応ガスを反応域に流出せしめ、次いで基板上で両反応ガスを接触させて反応させる。 （もっと読む）

【課題】
エピタキシャル成長速度が高められ、プリヒートリングとサセプタとの隙間からのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防ぎ、これによりエピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、反応ガスの使用量が低減し、下側ドームも曇り難いエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】
プリヒートリング６０とサセプタ２０との隙間ａをカバー部６１により覆うように構成したので、隙間ａからのガス漏れを防げる。その結果、シリコンウェーハＷの表面へのエピタキシャル成長速度が高まり、このガス漏れによるオートドープの抑制効果の低下を防げる。これにより、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、しかも反応ガスの使用量が低減し、下側ドーム４の曇りも抑えられる。 （もっと読む）

基板が堆積チャンバー内に配置される。基板上にケイ素を含む第一の種の単層を化学吸着させるのに有効な条件で、チャンバーにトリメチルシランを流し、チャンバーに第一の不活性ガスを流す。第一の不活性ガスは第一の流量で流す。第一の種の単層を形成した後、酸化剤と化学吸着された第一の種とが反応し、基板上に二酸化ケイ素含有単層を形成するのに有効な条件で、チャンバーに酸化剤を流し、チャンバーに第二の不活性ガスを流す。第二の不活性ガス流は第一の流量未満である第二の流量を有する。基板上に二酸化ケイ素含有層を形成するのに有効となるように（ａ）トリメチルシラン及び第一の不活性ガス流及び（ｂ）酸化剤及び第二の不活性ガス流を連続的に繰り返す。他の態様や特徴が企図される。 （もっと読む）