【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジインデノ[１，２，３−ｄｅ：１’，２’，３’−ｍｎ]アントラセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ[ｂ]ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ［ｇｈｉ］ジインデノ[１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｌｍ]ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

本発明は、陽極、陰極、セパレータ及び電解質を含む二次電池において、前記電解質は、（ａ）アミド基含有化合物、及び（ｂ）イオン化可能なリチウム塩から構成された共融混合物に、カーボネート系化合物が添加されて形成される三元系共融混合物を含み、前記カーボネート系化合物は、電解質１００重量部に対して５０重量部未満の範囲で含まれることを特徴とする二次電池及び前記電解質を提供する。
本発明は、難燃性、化学的安定性、高電気伝導度、広い電位窓を有する三元系共融混合物を電解質成分として使用することにより、電池の熱的安定性と性能を同時に向上させることができる。
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【課題】本発明の目的は、簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れた新規な有機半導体材料、該有機半導体材料を有機半導体層に含有する有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表される部分構造を有することを特徴とする、有機半導体材料。
【化１】


（式中Ａｒは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環、芳香族複素環を表す） （もっと読む）

【課題】 電子輸送性の優れた有機ｎ型半導体として利用可能な新規化合物を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される含フッ素多環芳香族化合物。


［式（Ｉ）中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、炭素数６以上の芳香族炭化水素基又は炭素数４以上の複素環基を示し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子、ハロゲン原子等を示し、Ｒ^５及びＲ^６は、水素原子又は置換基で置換されていてもよい１価の有機基を示し、ｓ_１及びｔ_１は、２以上の整数を示す。但し、Ｒ^５及びＲ^６の少なくとも１つは、置換基を含め全水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換された１価の有機基である。］ （もっと読む）

【課題】燃料と包接化合物を形成するホスト化合物を均一に分散させやすくする技術の提供をする。
【解決手段】電解質膜１７１と、電解質膜の一方の側に設けられたアノード１２１と、電解質膜の他方の側に設けられたカソード１３１と、を備える膜電極接合体に含まれ、燃料を捕捉して包接化合物を形成可能なホスト化合物１２５であって、ホスト化合物１２５は、水素結合性水素供与性基で少なくとも１つの水素原子が置換されたシクロアルキル基を有する。シクロアルキル基として、シクロヘキシル基を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性、高屈折率を有する活性エネルギー線硬化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中Ｒ₁〜Ｒ₈は水素原子、アルキル基等、Ａｋはアルキレン基、ｍ、ｎは１〜２０の正数である。）のアルコール化合物（ａ）と（メタ）アクリロイル基含有イソシアネート化合物（ｂ）を反応させて得られる化合物（Ａ）から得られる硬化物。 （もっと読む）

【目的】電子伝導材料、半導体、生理活性物質等として有用で、空気下での安定性に優れたフラーレン誘導体、及びその製造方法を提供する。
【構成】以下の一般式（Ｉ）の部分構造を有することを特徴とするフラーレン誘導体。
【化１】


（式中、Ｃ₁ 〜Ｃ₈ は、いずれもフラーレン骨格を構成する炭素原子を表し、Ｃ₆ 〜Ｃ₈ は、各々独立に炭素数１〜５０の有機基と結合しており、Ｃ₁ は、置換基として極性官能基を有する炭素数１〜２０のアルキル基と結合している。） （もっと読む）

【課題】高エネルギー密度を有し、有機溶媒に溶解し難く、二次電池の軽量化、小型化、高機能化などに対応でき、電極活物質として有用な新規な有機化合物を合成し、該有機化合物を含む蓄電デバイスを得る。
【解決手段】可逆的な酸化還元反応の際に電子移動を起こす特性を有し、オルト位の位置関係で２つのキノン基を有する特定のキノン化合物を、エネルギー密度の低下を伴わずに、オリゴマー化またはポリマー化することによって有機溶媒に対して不溶化し、蓄電デバイスの電極活物質として用いる。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ[１，２−ｋ：４，５−ｋ’]ジフルオランテン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ｂ，ｄｅｆ]クリセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高温の酸性条件下においてもプロトン攻撃による親電子置換反応で脱イオン交換反応を起こさないプロトン伝導膜を製造するために、バインダーポリマーと均一に混合・分散させやすい有機溶媒可溶性のフラーレン誘導体電解質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ホスホン酸エステル基−ＰＯ（ＯＲ）_２（ＲはＣ_１〜Ｃ_５のアルキル基又はフェニル基）が結合し、有機化合物が実質的に結合していないフラーレン誘導体であり、好ましくは、スルホン酸基−ＳＯ_３Ｍ（ＭはＨ又はアルカリ金属イオン）が同時に結合したフラーレン誘導体。 （もっと読む）

【課題】酸解離基を有するポリマーとの相溶性が良い、光酸発生剤の提供。
【解決手段】下記式（１）で表されるスルホニウム塩。（Ｒ^１〜Ｒ^３は水素又はアルキル基等。Ｄ^１〜Ｄ^３は、少なくとも１個は下記式（２）で表される基、残りは水素、ｔ−ブトキシカルボニル基等。ａ〜ｆは整数。また、式（２）中Ｒ^４はアルキレン基等、Ｒ^５〜Ｒ^８は水素原子又はアルキル基等、Ｒ^９及びＲ^１０はフェニル基等、Ｘ⁻は陰イオン。）


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【課題】レジスト組成物中の酸発生剤濃度を高くしても、高い解像性が得られるポジ型レジスト組成物および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する基材成分（Ａ）、及び放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、基材成分（Ａ）が、下記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物またはその水酸基の水素原子の一部が炭素数１〜１０のアルキル基で置換された置換フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で置換された化合物（Ａ１）を含有し、基材成分（Ａ）に対する前記酸発生剤成分（Ｂ）の含有量が１０質量％を超えることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
［化１］
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【課題】メタノール耐性を向上させたスルホン化ポリマー、該ポリマーを得るためのモノマーからなり、優れたメタノール耐性をもちながら、高い加工性を有する固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を提供することである。
【解決手段】式（１）で表わされることを特徴とする芳香族化合物；


［式（１）中、Ｔは式（２）で表わされ、少なくとも式（３）で表わされる構造を含み、Ｄは式（４）で表わされる。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性、反射防止機能に優れるとともに、画像形成するための上層においてスカムが低減された下層レジスト層を形成可能な組成物および該組成物に添加する新規化合物、該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香環式炭化水素構造及び脂環式炭化水素構造の少なくともいずれかを有する樹脂、（Ｂ）少なくとも１つ以上のアダマンタン構造を有し、酸により活性化され、（Ａ）成分と反応して架橋構造を形成するメチロール化したフェノール類化合物またはメチロール化したメラミン類化合物、及び、（Ｃ）熱により分解して酸を発生する化合物を含有する下層レジスト組成物、該組成物に有用な少なくとも１つ以上のアダマンタン構造を有し、酸により活性化され、（Ａ）成分と反応して架橋構造を形成するメチロール化した新規なフェノール類化合物、及び、該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】特に、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型ポジ型レジスト組成物を与える化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示される多価フェノール誘導体。


（式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は少なくとも一つが下式（II）で示される酸不安定基であり、残りは水素原子である。


（式（II）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³およびＸ⁴は、水素原子又はアルキル基示す。ｎは、０〜３の整数を示す。Ｚ¹はアルキル基又はシクロアルキル基を示す。環Ｙは脂環式炭化水素基を示す。）） （もっと読む）

【課題】液浸露光用レジストにおいて水相に移行しないスルホニウム塩の提供
【解決手段】式（１）
【化１】


(R₁及びR₂は,同一または異なってC1-18アルキル基, C1-18アルコキシ又はC1-8パーフルオロアルキル, m及びnは同一又は異なって1-5, m個のR₁, n個のR₂は同一又は異なり, R₃はC1-18アルキル, C1-18アルコキシ, C1-8パーフルオロアルキル又は式(2)の基を表し, R₃がC1-18アルキル, C1-18アルコキシ又はC1-8パーフルオロアルキルのときkは0-5, k個のR₃は同一又は異なり, R₃が式(2)の基のときはkは1, X^-はアニオン)のスルホニウム塩。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】イミノ錯体の形態の有機金属化合物が提供される。かかる錯体は蒸着前駆体としての使用に特に適している。かかる化合物を用い、例えばＡＬＤおよびＣＶＤなどによりの薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）