【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物及びその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むレジスト組成物。
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【課題】従来と異なる特徴と性質を有するホログラフィック記録媒体を提供する。
【解決手段】次式Ｉに示す構造を有する組成物。


式中、Ｒ^１とＲ^２は各々独立に炭素原子数１〜約１０の脂肪族基、炭素原子数約３〜約１０の環式脂肪族基、又は炭素原子数約３〜約１２の芳香族基であり、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＲ^５は各々独立に水素原子、炭素原子数１〜約１０の脂肪族基、炭素原子数約３〜約１０の環式脂肪族基、又は炭素原子数約３〜約１２の芳香族基であり、Ｒ^６とＲ^７は各々独立に水素原子又は炭素原子数１〜約６の脂肪族基であり、Ｘはハロゲンであり、「ｎ」は０〜約４の値を有する整数である。 （もっと読む）

【課題】高いイオン伝導性を発現し得るイオン伝導体、このイオン伝導体を適用した電気化学セル及び燃料電池を提供すること。
【解決手段】イオン伝導体は、カチオン成分と極性物質とを含む。カチオン成分は、中心原子に直接結合した一価の置換基を有するオニウムカチオンを含有する。一価の置換基は、一般式（１）で表される。
【化１０】


（式中、Ｒ^１は、水素原子、ハロゲン原子、又は非置換若しくは置換の炭化水素基、Ｚ^１は酸素原子（Ｏ）、硫黄原子（Ｓ）、ＮＲ^２基（Ｒ^２は、水素原子、ハロゲン原子又は非置換若しくは置換の炭化水素基を示す。）又はＰＲ^３基（Ｒ^３は、水素原子、ハロゲン原子又は非置換若しくは置換の炭化水素基を示す。）を示す。） （もっと読む）

【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

【課題】イオンの染み出しが起こりにくく、高いイオン伝導性を有す新規なイオン性ポリマーを提供する。
【解決手段】下記式（１）


（式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基、Ｒ²は炭素数１〜８のアルキレン基、Ｒ³は炭素数１〜８のアルキル基、Ｘ^-はアニオン成分を示す。）で表される繰り返し単位を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた防食性、環境性能及び剥離性能を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド化合物。


（式中、Ｒはメチル基又はエチル基である。）ジメチルアクリルアミド及びメトキシエタノール、又はジメチルアクリルアミド及びエトキシエタノールを塩基性触媒存在下で反応させることにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】低温で優れた性能を有する蓄電デバイスの提供を可能とするスルホニウム塩を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒ^１〜Ｒ^３は、各々独立に、炭素数１〜６の１価の有機基を示す。ただしＲ^１〜Ｒ^３の全てが同時に同一の基になることはない。Ｙ⁻は１価のアニオンを示す。） （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、および酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）が、下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１）中、Ｒは水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基であり；Ｒ’は脂肪族基であり；ｎは１〜１０の整数であり；Ａ^＋は有機カチオンである。
［化１］
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【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（４）で示される含フッ素カルバニオン構造を有する酸を発生することを特徴とする化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤を使用することによって、前記課題は解決する。


前記一般式（４）において、ｎは１〜３の整数を表す。Ｒ’は水素原子もしくは炭素数１〜３の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。Ｒとしてはアダマンチル基等が挙げられ、Ａは、カルボニル基等の２価官能基であり、Ｒ_ＦおよびＲ_Ｆ’はそれぞれ独立に炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ビフェニレン誘導体、それを用いた耐酸化性有機半導体材料並びにそれからなる有機薄膜、発光材料、及び該ビフェニレン誘導体を簡便に経済的に製造する方法の提供。
【解決手段】式（１）で示されることを特徴とするビフェニレン誘導体。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^８は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数２〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、又は炭素数４〜２０のアリール基を示し、ｍは１又は２であり、ｎは０〜２の整数を示す。但し、Ｒ^１及びＲ^２は同時に水素原子であることはない。） （もっと読む）

【課題】約２１０℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる新たな材料の提供を目的とする。
【解決手段】β−ケトカルボン酸銀を含む金属銀の形成材料とする。この形成材料を加熱することによって、約２１０℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる。前記β−ケトカルボン酸銀の一例としては、例えば、イソブチリル酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、アセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、α−メチルアセト酢酸銀およびα−エチルアセト酢酸銀が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト組成物において優れた解像度とライン幅ラフネスを有し、ＡｒＦ液浸工程において水への溶出の少ない新規な酸発生剤を提供する。
【解決手段】酸発生剤は下記化学式１で表される。


式中、Ｘは炭素数３〜３０の単環または多環式の炭化水素基で、少なくとも１つ以上の水素がエーテル基、エステル基、カルボニル基、アセタール基、エポキシ基、ニトリル基、またはアルデヒド基を含んでもよい炭素数１〜１０のアルキルまたはアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基またはシアノ基を表し、Ｒ_６は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシまたはＮ、ＳおよびＦからなる群から選択されるヘテロ原子であり、ｍは０〜２の整数であり、Ａ＋は有機対イオンである。 （もっと読む）

【課題】各種有機溶媒に溶解可能であり、かつ均一な組成を有するカリックスアレーン系の環状化合物を提供すること。
【解決手段】一般式（１）中のＲのうち、水素原子以外の基の置換数の分布の標準偏差が１．０以下である一般式（１）で表される環状化合物。
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【課題】形成パターンの微細化の要請に適合したアルカリ現像可能な感光性組成物を提供する。
【解決手段】酸分解性基を有するトルクセン誘導体化合物と、化学放射線の作用により酸を発生する光酸発生剤とを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の芳香族性を有する炭化水素基を付加置換基として有する多重付加フラーレン誘導体及びこれを用いたエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、且つ優れた光学特性を持つフラーレン誘導体膜を提供する。
【解決手段】フラーレン骨格の下記式(Ｉ)で表される部分構造において、Ｃ^１が、水素原子又は任意の置換基と結合しており、Ｃ^６〜Ｃ^８が、各々独立に、−Ａｒ−（ＯＨ）_ｎ（式中Ａｒは炭素数８〜１８の芳香族性を有する炭化水素基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。）で表される構造の有機基と結合していることを特徴とするフラーレン誘導体。（式(Ｉ)中、Ｃ^１〜Ｃ^１０は何れも、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表す。）
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいはアリール基を表し、環Ａはのベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはチエノベンゾチオフェン環を表し、環Ｂはベンゼン環、チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはチエノベンゾチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】パーフルオロアルカンスルホン酸エステルの製造方法およびこれをこの塩にさらに変換するための方法。また、得られた化合物を、電解質、電池、キャパシタ、スーパーキャパシタおよびガルバニ電池において用いること。
【解決手段】無水パーフルオロアルカンスルホン酸を、炭酸ジアルキルと、パーフルオロアルカンスルホン酸の存在下で反応させて、アルキルパーフルオロアルカンスルホネートを得る。この反応は、無水雰囲気下で、例えば以下のようにして実施される：
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】酸化ルテニウムの混入がない、化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜製造に使用する有機ルテニウム錯体混合物、及び当該錯体混合物を用いた金属ルテニウム含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｘ及びＹは、直鎖又は分枝状の炭素原子数１〜６のアルキル基であり、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。）β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体において、Ｌが異なる二種以上の有機ルテニウム錯体からなる有機ルテニウム錯体混合物によって解決される。 （もっと読む）