【課題】優れたラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はＣ₁〜Ｃ₆ペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は、２価のＣ₁〜Ｃ₁₇飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］
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【課題】高い耐熱性を有し、特に、フォトレジストリソグラフィー分野における感光性樹脂等のモノマー等として有用な化合物を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表されるアダマンタン誘導体。


（例えば、３−｛［４−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル］メトキシ｝−１−アダマンチルメタクリレート） （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、半導体装置の製造に適用した際に絶縁不良等の問題を生じにくい絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、フッ素系ガスでエッチングした際のエッチングレートが、ＳｉＯ膜の０．７５倍以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁性を実現しつつ、有機半導体分子を高いレベルで異方的配向させて優れたキャリア移動度を発揮可能な有機半導体素子用絶縁性配向膜を形成し得る有機半導体素子用絶縁性配向組成物を提供する。
【解決手段】光配向性基を有するポリオルガノシロキサン化合物と、ポリアミック酸及びポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の重合体とを含有する有機半導体素子用絶縁性配向組成物である。上記光配向性基は桂皮酸構造を有する基であることが好ましい。上記桂皮酸構造を有する基は、特殊なフェニルアクリル酸構造を有する。 （もっと読む）

本発明は、電子用途に有用な組合せの少なくとも１種の重水素化アリール−アントラセン化合物に関する。本発明はまた、活性層が２種類の別個のアリール−アントラセン化合物を含み、化合物の少なくとも１種が一部重水素化されている、電子デバイスに関する。
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【課題】バッテリーや燃料電池などの電気化学デバイスに有用な芳香族イミド電解質および芳香族メチリジントリススルホニル電解質を提供する。
【解決手段】式（Ｖ）：（Ａｒ−ＳＯ₂−）_m−ＱＨ−（−ＳＯ₂−Ｒ₁）_n （Ｖ）
（式中、Ａｒは芳香族化合物から誘導される芳香族基であり、ＱはＣまたはＮであり、各Ｒ₁は独立して、飽和、不飽和、直鎖状、分枝状、環状、ヘテロ原子含有、ポリマー性、ハロゲン化、フッ化または置換されていてもいなくてもよい脂肪族基および芳香族基からなる群より選択され、少なくとも１つのＲ₁は、スルホン酸、カルボン酸、およびホスホン酸からなる群より選択される少なくとも１つの酸性度の高い基を含んでおり、ｍは１以上であり、ｎは１以上であり、ＱがＮのときｍ＋ｎ＝２であり、かつＱがＣのときｍ＋ｎ＝３である）で表される化合物。 （もっと読む）

本発明は、（アレーン）（ジエン）Ｒｕ（０）型のルテニウム（０）−オレフィン錯体を調製するためのプロセスに関し、このプロセスは、式Ｒｕ（＋ＩＩ）（Ｘ）_ｐ（Ｙ）_ｑのルテニウム出発化合物（ここでＸ＝アニオン性基、Ｙ＝非荷電の２電子ドナー配位子、ｐ＝１または２、ｑ＝１から６の整数）と、シクロヘキサジエン誘導体またはシクロヘキサジエン誘導体を含むジエン混合物とを、塩基の存在下で反応させることによって行なわれる。このプロセスにおいて、（アレーン）（ジエン）Ｒｕ（０）錯体中に結合されるアレーンは、このシクロヘキサジエン誘導体から酸化によって形成される。好適なルテニウム（ＩＩ）出発化合物は、たとえばＲｕＣｌ_２（アセトニトリル）_４、ＲｕＣｌ_２（ピリジン）_４またはＲｕＣｌ_２（ＤＭＳＯ）_４などである。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、ラインエッジラフネスが良好であるレジスト組成物、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】繰り返し単位


（Ｘは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル又は炭素数１〜４のペルフルオロアルキルを示す。Ｙは、記載の炭素原子とともに脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数の原子を示す。Ｚは、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基を示す。Ｒは、炭素数１〜６のアルキル又は炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基を示す。）とある種の繰り返し単位四種からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位とを有する樹脂及び酸発生剤を含む感放射線組成物。 （もっと読む）

【課題】難燃性であり、高いイオン伝導性を示す電解質を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるイオン液体および無機微粒子を含む電解質組成物。


［式中、Ｒ_１〜Ｒ_５は、それぞれ、Ｈ原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アリール基又はアルコキシアルキル基のいずれかを示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｘ及びＹは、Ｎ原子又はＰ原子を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｚは、Ｓ原子又はＯ原子を示す。Ａ⁻は特定の構造式群を示す。］ （もっと読む）

本発明は、基板、当該基板上に配置された第一電極、当該第一電極上に配置された少なくとも１つの第一有機機能層、及び当該第一有機機能層上に配置された第二電極を有する、有機電子デバイスに関する。前記第一有機機能層には、マトリックス材料と、当該マトリックス材料に関するｐドーパントが含まれ、ここで当該ｐドーパントは、左式の配位子Ｌを少なくとも１個有する銅錯体を含有し、当該式中、Ｅ₁及びＥ₂は同一であっても異なっていてもよく、酸素、硫黄、セレン、又はＮＲ’であり、ここでＲは水素、又は置換若しくは非置換の分枝状、直鎖状、若しくは環状の炭化水素であり、Ｒ’は水素又は置換若しくは非置換の分枝状、直鎖状、若しくは環状の炭化水素である。本発明はさらに、銅原子を少なくとも２個有し、かつ２個の銅原子をブリッジする前記配位子Ｌを少なくとも１個有する、有機半導体マトリックス材料をドーピングするための多核銅錯体を提供する。
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【課題】微細なレジストパターンを形成できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｃ１）で表される化合物及び酸発生剤を含むレジスト組成物は、微細なレジストパターンを形成できる［式（Ｃ１）中、ｍ３は４〜１０の整数を表し；Ｒ^c1は、ヒドロキシ基等を表し；ｎ３は１〜４の整数を表し；Ｒ^c2は、式（２−１）又は式（２−２）で表される基である。式（２−１）及び式（２−２）中、Ｌ^c1は、２価の炭化水素基を表し；Ｌ^c2は、単結合又は２価の炭化水素基を表し；Ｒ^c3及びＲ^c4は、水素原子又は脂肪族炭化水素基を表し；Ｒ^c5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。］。
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【課題】フラーレン骨格と、このフラーレン骨格を構成する炭素原子のうち、４つの炭素原子に結合されたアリル基及び／又はメタリル基と、を有するフラーレン誘導体及びその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製法は、フラーレンと、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^１）−ＣＨ_２−Ｘ〔Ｒ^１は水素原子又はメチル基、Ｘはハロゲン原子〕と、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^２）−ＣＨ_２−Ｍ^１−Ｒ^３_３〔Ｒ^２は水素原子又はメチル基、Ｒ^３は炭化水素基、Ｍ^１はＳｎ原子又はＳｉ原子〕、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^２）−ＣＨ_２−Ｍ^２−Ｒ^３_２〔Ｒ^２は水素原子又はメチル基、Ｒ^３は炭化水素基、Ｍ^２はＢ原子〕及びＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^２）−ＣＨ_２−Ｍ^３−Ｒ^３〔Ｒ^２は水素原子又はメチル基、Ｒ^３は炭化水素基、Ｍ^３はＭｇ原子又はＺｎ原子〕から選ばれた少なくとも１種と、を含む原料を、パラジウム系触媒の存在下に反応させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン伝導性に優れたリチウム塩提供することを主目的にするものである。
【解決手段】本発明は、下記一般式（１）に示される構造を有することを特徴とするリチウム塩を提供することにより、上記課題を解決する。


（一般式（１）中、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ又はＳｂを表し、ＸはＭの価数を表し、Ｒ_１は−Ｃ_ｍＨ_２ｍ−（ｍは１〜４の整数）を表し、Ｒ_２は−Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ｋは１〜８の整数）を表し、ｎは７〜１２を表す。） （もっと読む）

【課題】電解溶質として有用な新規な物質を得ること。
【解決手段】本発明は、オニウム系陽イオンが正電荷をもつN、O、S又はPのようなヘテロ原子の少なくとも1種を有し、陰イオンが全部又は一部に式(FX¹O)N^-(OX²F)(式中、X¹及びX²は同じか又は異なり、SO又はPFである。)を有するイミダイドイオンの少なくとも1種を含む、融点の低い新規なイオン化合物、及び電気化学装置における溶媒としてのその使用に関する。前記化合物は、アニオン電荷が非局在性である塩を含み、特に、電解質として用いられる。 （もっと読む）

【課題】通常露光さらには液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、露光ラチチュードが広く、ラインエッジラフネスを抑制できる、優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（一般式(I)における各符号は本明細書及び特許請求の範囲に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】光や酸素、熱に対して安定であり、有機薄膜太陽電池に用いたときに高効率の光電変換特性を示す有機薄膜太陽電池用材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるアンサンスレン誘導体を含有する有機薄膜太陽電池用材料。
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本発明は、４−フルオロ−４−Ｒ−５−Ｒ’−１，３−ジオキソラン−２−オン、式中、Ｒはアルキル基であり、Ｒ’はＨまたはＣ１〜Ｃ３アルキル基である、それらの製造、それらを含有するリチウムイオン電池用溶媒混合物、およびリチウムイオン電池用導電性塩溶液、例えばＬｉＰＦ_６含有溶液に関する。
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【課題】 従来のアルコキシアルキル基を導入した第四級ホスホニウム塩と比べて低融点であって、電解質として有用な新規第四級ホスホニウム塩、及びその第四級ホスホニウム塩を用いてなる電解質を提供することを課題とする。
【解決手段】 式（１）：
【化１】


［式中、Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ^４はメチル基又はエチル基を示す。ｍ及びｎは１〜３の整数を示す。Ａ⁻はアニオン（但し、ハロゲンイオンを除く。）を示す。］で表される第四級ホスホニウム塩、及び該ホスホニウム塩を含有してなる電解質。 （もっと読む）

本発明は、電子用途に有用な重水素化アリール−アントラセン化合物に関する。また、活性層がそのような重水素化合物を含む電子デバイスに関する。
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一般式：（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４Ｒ_５Ｃｐ）_３＊Ｍ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及びＲ_５は、Ｈ、又は炭化水素Ｃ_ｎＨ_ｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニルの溶媒ベースの前駆体配合物。 （もっと読む）