【課題】ノンハロゲンかつノンアンチモンで、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤を含有し、（Ａ）エポキシ樹脂として（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。



（一般式（Ｉ）中のＲ^１は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ^２は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基から選ばれる。ｎは１〜２０の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】熱膨張率が小さく接続信頼性に優れたプリント配線板を得ることができる樹脂組成物およびそれを用いた積層板やプリント配線板を提供する。
【解決手段】（（Ａ）分子構造中にポリシロキサン骨格を有するポリイミド樹脂および／またはポリアミドイミド樹脂、（Ｂ）分子構造中にナフトール骨格、ナフタレンジオール骨格およびビフェニル骨格から選ばれる少なくとも１種を有するエポキシ樹脂、（Ｃ）分子構造中にナフトール骨格、ナフタレンジオール骨格およびビフェニル骨格から選ばれる少なくとも１種を有するノボラック型フェノール樹脂および（Ｄ）無機充填剤を含有する樹脂組成物、並びに、それを用いたプリプレグ、積層板、金属張積層板およびプリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】 疎水性の主骨格と親水性の鎖とを有する星型高分子化合物の原料として有用な、カチオン重合開始活性を有する変性エポキシ化合物、該変性エポキシ化合物からなるカチオン重合開始剤、及び該変性エポキシ化合物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ジナフタレン型四官能エポキシ化合物残基と、一価の芳香族ヒドロキシ化合物残基とからなるエポキシ化合物のヒドロキシル基がスルホニルオキシ基を有する基で変性された変性エポキシ化合物、及びジナフタレン型四官能エポキシ化合物と、一価の芳香族ヒドロキシ化合物との反応により生じるヒドロキシル基を、スルホニル化剤により変性することからなる変性エポキシ化合物の製造方法。分子中のスルホニルオキシ基の反応性により、優れたカチオン重合開始活性を示し、星型高分子化合物を与える原料として有用である。 （もっと読む）

【課題】素子剥離の発生が抑制され、耐半田リフロー性に優れかつリフロー工程後でも耐熱変色性に優れた光半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１００を用いた光半導体集積回路装置において、下記の（Ａ）〜（Ｄ）の組成物を含有することを特徴とする半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物２０。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）チオール。
（Ｄ）下記の化１で表される構造のアミン系硬化触媒。
【化１】
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【課題】耐熱性、特に耐高温放置性及び耐冷熱サイクル性に優れており、信頼性に優れた電子部品装置を提供することを可能とする電子部品装置用の絶縁材料用硬化性組成物を提供する。
【解決手段】１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、かつ少なくとも主鎖の一部に多環式炭化水素骨格を有する硬化性化合物（ａ）と、エポキシ樹脂用硬化剤（ｂ）と、酸化防止剤（ｃ）及び／またはヒンダードアミン系光安定剤（ＨＡＬＳ）（ｄ）と、無機フィラー（ｅ）もしくはゴム微粒子（ｆ）とを含有してなる、絶縁材料用硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】可とう剤成分を添加しても流動性等信頼性を損なうことなく、低応力化及び高接着性に優れる封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）固形シリコーン化合物のコアと有機重合体のシェルからなる構造を有し、コアの固形シリコーン化合物が［ＲＲ’ＳｉＯ_２／２］単位であるコアシェル型シリコーン化合物（ここで、Ｒは炭素数６以下のアルキル基、アリール基、又は末端に炭素二重結合を有する置換基であり、Ｒ’は炭素数６以下のアルキル基またはアリール基を示す。）を含む封止用エポキシ樹脂組成物あって、予め（Ｃ）コアシェル型シリコーン化合物を（Ａ）エポキシ樹脂の一部又は全部に分散させることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高い難燃性を有し、かつ、高温保管性や環境安全性に優れるうえ、耐高温リフロー性その他の特性も良好な封止用樹脂組成物、およびこのような封止用樹脂組成物で封止された高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）窒素変性フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）水酸化アルミニウムおよび（Ｄ）無機充填剤を含有し、前記（Ｃ）成分の水酸化アルミニウムは、Ｎａ_２Ｏ含有量が０．１重量％以下であり、かつ、前記（Ｄ）成分の無機充填剤は、平均粒径が１〜６０μｍで、最大粒径が２００μｍ以下であって、ハロゲン系難燃剤およびアンチモン系難燃剤を実質的に含まない封止用樹脂組成物、およびその硬化物によって半導体素子を封止してなる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】常温で低弾性、低応力であり、ガラス転移点が９０℃を越え、かつ高温度に於ける弾性率の保持率が高い、熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂及びエポキシ樹脂組成物の提供。
【解決手段】フルオレン骨格を構成成分として８モル％以上含有し、なおかつオルガノシロキサンを構成成分として式化１で表される分子量が10,000から200,000の熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂及びそれから製膜される耐熱性絶縁フィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、半導体チップの仮搭載時において空気巻き込みが少なく、作業性や信頼性にすぐれたプリアプライド用封止樹脂組成物を提供することができる。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物であって、Ｂ−ステージ化後のタック値が０ｇｆ／５ｍｍφ以上５ｇｆ／５ｍｍφ以下であり、かつ、１３０℃における溶融粘度が０．０１Ｐａ・ｓ以上１．０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とするプリアプライド用封止樹脂組成物を用いる。
なし （もっと読む）

【課題】 難燃性を維持し、−５５℃〜２６０℃において半導体装置の反りを抑制したエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（Ａ−１）及び／又は式（２）で表されるエポキシ樹脂（Ａ−２）、一般式（３）で表されるフェノール樹脂（Ｂ−１）及び／又は式（４）で表されるトリアミノフェニル（Ｂ−２）、モリブデン酸亜鉛（Ｃ−１）及び／又はホウ酸亜鉛（Ｃ−２）、並びに結晶シリカ（Ｄ）を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物及び基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが前述のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されているエリア実装型半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高い硬化性と極めて高い貯蔵安定性を両立した、優れる一液性エポキシ樹脂組成物および、それを得るための潜在性硬化剤、そして、低温あるいは短時間の硬化条件であっても、高い接続信頼性、封止性が得られる異方導電材料、導電性接着材料、絶縁接着材料、封止材料等を提供することを目的とする。
【解決の手段】 アミンアダクトの重量平均分子量が１５０００以下であり、アミンアダクトの重量平均分子量と数平均分子量の比として定義される分子量分布が１を超え７以下であって、かつ、アミンアダクトに対して低分子アミン化合物を０．００１質量部未満であることを特徴としたエポキシ樹脂用硬化剤をマイクロカプセル化したマイクロカプセル型エポキシ樹脂用硬化剤およびエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れるとともに揮発性成分の含有量が少ない硬化性樹脂、その製造方法及びエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下式で示されるシラン化合物及びその部分縮合物の少なくとも一方と、フェノール化合物とを反応させて得られる硬化性樹脂。
Ｒ^１（ＳｉＲ^２_ｍＲ^３_{（３−ｍ）}）_ｎ （Ｉ−１）
（ここで、ｍは０又は１、ｎは２以上の整数、Ｒ^１は炭素数１〜１８の置換又は非置換のｎ価の炭化水素基から選ばれ、Ｒ^１と結合するｎ個の基は全て同一でも異なってもよく、Ｒ^２は水素原子及び炭素数１〜１８の置換又は非置換の炭化水素基より選ばれ、Ｒ^３はハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜１８の置換又は非置換の一価のオキシ基、炭素数０〜１８の置換又は非置換のアミノ基及び炭素数１〜１８の置換又は非置換のカルボニルオキシ基より選ばれ、全て同一でも異なってもよく、Ｒ^３同士、Ｒ^２とＲ^１又はＲ^３とが環を形成してもよい。） （もっと読む）

【課題】 温度サイクルに対する接続信頼性が高く、絶縁層と無電解銅めっき層との間の密着性が高い配線基板、この配線基板を形成する絶縁材料、及びこの配線基板を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１において、パッケージ基板２の最上層の配線層を、温度が１０乃至３０℃であるときのヤング率が１ＧＰａ以下であり、破断伸び量が２０％以上である絶縁材料により形成する。この絶縁材料は、エポキシ樹脂又はエポキシ樹脂用硬化剤と反応する反応型エラストマーと、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂用硬化剤と、その構造中に水酸基又はカルボキシル基等の極性基及び二重結合を有する架橋型スチレンブタジエンゴムと、を含有するものとする。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）ナフタレン型エポキシ樹脂（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）下記に示す（ａ）成分及び（ｂ）成分を併用した離型剤、（ａ）下記一般式（２）で示されるワックス


（但し、式中Ｒ^１は炭素数１８〜４０の一価炭化水素基、Ｒ^２は水素原子又はＲ^１−ＣＯ−基である。）、（ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレンワックス、（Ｄ）無機充填剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【効果】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、半導体部品の封止時の成形に際し、連続して成形した時の離型性に優れ、しかも良好な反り特性、耐リフロー性、耐湿信頼性に優れた硬化物を与えるものである。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）下記一般式（１）で示されるナフタレン型エポキシ樹脂
【化１】


（ｍ、ｎは０又は１、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、あるいはフェニル基、Ｇはグリシジル基含有有機基、但し上記一般式（１）１００質量部中にｍ＝０、ｎ＝０のものが３５〜８５質量部、ｍ＝１、ｎ＝１のものが１〜３５質量部含有する。）、（Ｂ）１分子中に置換もしくは非置換のナフタレン環を少なくとも１個以上有するフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）カーボンブラック、（Ｄ）無機充填剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、レーザーマーク性に優れ、しかも良好な反り特性、耐リフロー性、耐湿信頼性に優れた硬化物を与えるものである。 （もっと読む）

【課題】 環境への有害物質の排出が少なく、難燃性に優れる上、耐湿性、耐リフロー性、耐ＴＣＴ性、強度、流動性、電気特性および反り特性にも優れる封止用樹脂組成物およびこの樹脂で封止された電子部品封止装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）イミダゾール系触媒を含有し、予め（Ｄ）成分のイミダゾール系触媒を（Ｂ）成分のフェノール系樹脂に分散させてマスターバッチとし、該マスターバッチを他の成分と混合して製造されてなる封止用樹脂組成物よびこれの硬化物により素子が封止されている電子部品封止装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アミンイミド化合物に光照射をし、塩基を発生させる塩基の発生方法を提供する。
【解決手段】本発明は、一般式（Ｉ）または一般式（II）で示されるアミンイミド化合物に１５０〜７５０ｎｍの光照射をし、塩基を発生させる塩基の発生方法：


。 （もっと読む）

【課題】フィレットの形成に優れ、プリプレグの剥離接着強度を高め、有孔圧縮強度等の機械強度が高く、タック性およびドレープ性等の作業性に優れるエポキシ樹脂組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】 ビフェニル型２官能エポキシ樹脂（Ａ）を１５〜４０重量％、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（Ｂ）を１０〜３５重量％、前記（Ａ）および（Ｂ）成分を除くエポキシ樹脂（Ｃ）を２５〜７５重量％からなるエポキシ樹脂の合計１００重量部に対して、硬化剤（Ｄ）を１５〜４０重量部配合するエポキシ樹脂組成物の製造方法であって、（Ａ）成分の全量と、（Ｃ）成分の少なくとも一部とを、触媒を共存させて溶融混合する工程（１）、この生成物へ（Ｂ）および（Ｄ）成分の少なくとも一部を配合して、溶融混合する工程（２）、この生成物へ（Ｂ）〜（Ｄ）成分の残量を配合し、溶融混練する工程（３）よりなるエポキシ樹脂組成物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成形材料、注型材料、積層材料、塗料、接着剤、レジストなどの広範囲の用途にきわめて有用である耐熱性を保ち、かつ可撓性を有するエポキシ樹脂の製造方法を提供する。
【解決手段】
工程（１）：フェノール性水酸基を有する化合物をアルカリ金属水酸化物の存在下に、エピクロルヒドリンと反応させ、エポキシ樹脂を調製する工程
工程（２）：得られた残渣（エポキシ樹脂）にエポキシ樹脂の良溶媒を添加し、エポキシ樹脂を溶解する工程
工程（３）：得られた溶液をエポキシ樹脂の貧溶媒と混合し、することで粉末状エポキシ樹脂を析出させる工程
からなることを特徴とする粉末状エポキシ樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 エポキシ樹脂硬化物の優れた耐食性を損なうことがなく、特に耐アルカリ性が良好であり、且つ柔軟性に優れ、塗料材料、ライニング材、コンクリートプライマー、コンクリートシーラー等に好適に用いることができるエポキシ樹脂組成物及びその硬化物を提供すること。
【解決手段】 多価フェノール類（ａ１）と多価ビニルエーテル類（ａ２）とを反応させて得られる変性多価フェノール類（Ａ）をグリシジルエーテル化してなるエポキシ樹脂（Ｘ）と変性脂肪族ポリアミン類（Ｙ）とを含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物及びその硬化物。 （もっと読む）