【課題】重合性液晶およびそれに類似する重合性液晶の塗布後の結晶析出抑制に効果がある、添加剤としての重合性液晶化合物の提供。
【解決手段】下記式で表される重合性液晶化合物（式中、Ｐは重合性官能基；Ｓｐは、スペーサーまたは単結合；Ｚ¹及びＺ²は、−ＣＯ−Ｏ−；Ｒ⁰は炭素原子数１〜１５の直鎖アルキル基；Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は互いに独立して炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２〜５のアシルオキシ基、炭素原子数２〜４のアシル基、炭素原子数２〜５のアミド基、シアノ基、アミノ基、水酸基又はハロゲン原子；ｒ₁、ｒ₂及びｒ₃は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｒ₁、ｒ₂及びｒ₃がそれぞれ２以上であるときにＲ²、Ｒ³及びＲ⁴は、互いに同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｒ⁰がメチル基のときｒ₂は１ではない。）。
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【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）（ただし前記樹脂成分（Ｃ）を除く。）と、を含有し、前記樹脂成分（Ｃ）中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が２０モル％以上であることを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】
パターン形成後にラフネスが発生したり、パターン自体をうまく描けないなどの欠陥を防止するために、樹脂中に光酸発生機能を組み込んだレジスト樹脂であって、「酸の作用によって現像液への溶解性が変化する部位」と「光酸発生機能を有する部位」が規則正しく配置されたレジスト樹脂を提供する。
【解決手段】
下記一般式（３）で表される繰り返し単位を有する含フッ素スルホン酸塩樹脂。
【化１】


（式中、Ａはそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。ｎは１〜１０の整数を表す。Ｗは２価の連結基を表す。Ｒ^１は酸不安定基を表す。M⁺は、１価のカチオンを表す。） （もっと読む）

【課題】低コストで良好なガスバリア性を示すガスバリア性フィルム、その製造方法及びガスバリア層、並びにガスバリア性フィルム又はガスバリア層を用いた装置を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム１０は、プラスチック基材１と、プラスチック基材１上に設けられた有機層２と、有機層２上に設けられた無機層３とを有し、その有機層２を、水酸基を構造内に含まないアルキレンオキサイド変性フルオレンアクリレートを架橋してなる層とする。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥が少なくかつ良好なパターン形状を有するレジストパターンを形成できるフォトレジスト組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有するベース重合体、［Ｂ］塩基解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有し、［Ａ］重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体、及び［Ｃ］酸発生体を含有し、上記［Ａ］重合体のポリスチレン換算重量平均分子量が、１０，０００以上４０，０００以下であるフォトレジスト組成物である。上記塩基解離性基は、フッ素原子を有することが好ましい。上記塩基解離性基は、芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。構造単位（ＩＩ）が、下記式（２）で表されることが好ましい。
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【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｃ）の含有量が１．０質量％以上であり、かつ前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４０以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び／又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトを低減可能なレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつフッ素原子を含む構成単位（ｆ１）を有する重合体；該重合体は主鎖の少なくとも一方の末端に式（Ｉ−１）で表される基を有することが好ましい；該重合体を含有するレジスト組成物；該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
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【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつＥＬ、ＤＯＦ、ＣＤＵ及びＭＥＥＦに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、５．０以上３０．０以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数３〜７のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数３〜１０のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも１種の有機溶媒であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】近赤外の波長領域における一層辺りの反射帯域幅が広く、実質的に無色な重合体の提供。
【解決手段】４２０ｎｍにおける透過率を５５０ｎｍにおける透過率から減じた値が１０％以下であり、実質的に無色であり、固定化されたコレステリック液晶相を有し、前記固定化されたコレステリック液晶相のピッチが、近赤外の波長領域において入射光の４０％以上を反射する帯域が２００ｎｍ以上となるように勾配を有する重合体。 （もっと読む）

【課題】低温であってもスルホン酸型官能基を有する含フッ素ポリマーを分解でき、得られる低分子量含フッ素化合物への金属（ただし、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く。）の混入が少ないスルホン酸型官能基を有する含フッ素ポリマーの分解方法を提供する。
【解決手段】水中でスルホン酸型官能基を有する含フッ素ポリマーに光を照射して、スルホン酸型官能基を有する含フッ素ポリマーを分解する、スルホン酸型官能基を有する含フッ素ポリマーの分解方法。 （もっと読む）

【課題】密着性が良好で、かつ基材表面に、耐水性、防曇性、防汚性、耐候性に優れる親水性表面を付与した組成傾斜構造を有する親水性部材を提供する。
【解決手段】基材２上に設けられ、下記親水性材料１）及び活性エネルギー線硬化型オリゴマー又はポリマー２）’を含む膜とを有する親水性部材１であって、該膜が膜の厚み方向において前記基材２に最も近い側から最も遠い側に向かって１）の比率が大きくなり、かつ、２）’の比率が小さくなるように、１）及び２）’の組成が連続的に変化する組成傾斜膜３である、親水性部材１。但し、活性エネルギー線硬化型オリゴマー又はポリマー２）’は下記１）の親水性材料とは異なる。１）加水分解性シリル基含有親水性ポリマーを含有し、かつ前記ポリマーが主鎖末端又は側鎖に、加水分解性シリル基を分子中に少なくとも１個有し、親水性基を分子中に少なくとも１個有する親水性材料。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ^1a及びＲ^1bは、同一又は相異なり、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、Ｒ^1aとＲ^1bが一緒になって環を形成していてもよい。Ｒ^２は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基である。］。
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【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）に優れたレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂及び式（Ｂ１）で表される塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基；Ｒ^２は脂肪族炭化水素基；Ａ^１は、単結合、脂肪族炭化水素基等；Ａ^２は、単結合又は脂肪族炭化水素基；環Ｗ^１は脂肪族環；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、２価の脂肪族炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基；Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた解像度でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式（Ｉ）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、単結合又は２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、炭化水素基等を表す。Ｒ^２は、水素原子又はアルキル基を表す。ｍは、０〜４の整数を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、
Ｒ^1a及びＲ^1bは、同一又は相異なり、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、Ｒ^1aとＲ^1bが一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。
Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は相異なり、置換基を有してもよい炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、Ｒ^２とＲ^３が一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。］ （もっと読む）