【課題】リソグラフィおよび現像性能に悪影響を及ぼさず、膜表面および頂部表面付近の領域に分布した、濃縮されたクエンチャー材料が存在するフォトレジスト組成物。
【解決手段】式（Ｉａ）、式（Ｉｂ）または式（Ｉａ）および（Ｉｂ）の組み合わせを含む窒素含有モノマーと、特定の酸脱保護性モノマーとを含むモノマーの重合生成物を含むポリマー。（Ｉａ）：Ｒ^ａ−Ｃ（＝ＣＨ_２）−ＣＯ−（−Ｏ−Ｌ^１−）_ａ−ＮＲ^ｂ_２、（Ｉｂ）：Ｒ^ａ−Ｃ（＝ＣＨ_２）−ＣＯ−Ｏ−ＬＮ−Ｘ。（式中ａは０または１であり、Ｌ^１は直鎖もしくは分岐Ｃ_１−１０アルキレン基、または単環式、多環式、もしくは縮合多環式Ｃ_３−２０（ヘテロ）シクロアルキル等であり、各Ｒ^ｂは別々に分かれているか、または少なくとも一つのＲ^ｂは隣のＲ^ｂに結合されており；ＬＮは縮合多環式Ｃ_３−２０ヘテロシクロアルキレン基等であり、ＸはＨ、Ｃ_１−１０アルキル等である。） （もっと読む）

【課題】主に歯科用複合材に使用して、低硬化収縮及び低硬化応力をもたらし得る組成物およびその製造方法の提供。
【解決手段】重合性基として、少なくとも１つの（メタ）アクリレートを有する重合性環状オリゴマーを含む組成物の製造方法において、該製造方法は、（Ａ）該少なくとも１つの（メタ）アクリレートを含む、反応性で且つフリーラジカル重合性の前駆体と；第一級ジオール、第二級アミン又は二価酸を含むカップリング剤とまたは（Ｂ）活性化カップリング剤と；反応性で且つフリーラジカル重合性の前駆体との縮合反応を介して、該重合性環状オリゴマーを製造することを含むことを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】安価に実施可能であり、段差基板上でのパターン形成性に優れたパターン形成方法、及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（ア）側鎖にラクトン環構造を有する特定のアクリル酸エステル繰り返し単位（ａ）、ならびに下記一般式（III）、（IV）及び（V）の少なくとも１つで表される少なくとも１種の繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ｐ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、（イ）前記膜をＫｒＦエキシマレーザーにて露光する工程と、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
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【課題】高屈折率を有し、紫外域の吸収や蛍光が無く透明性にすぐれ、高圧水銀ランプなどを用いた工業的に有利な紫外線硬化装置で重合可能な化合物とその製造法、及びその化合物を含む重合性組成物を提供する。
【解決手段】１０−ヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１，４−メタノアントラセン−９−イル−（メタ）アクリレート化合物をアシル化することよりなる１０−アシルオキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１，４−メタノアントラセン−９−イル−（メタ）アクリレート化合物の製造法及び該（メタ）アクリレート化合物並びに該（メタ）アクリレート化合物を含む重合性組成物。 （もっと読む）

【課題】向上したＬＥＲ性能を示すフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】フォトレジスト組成物は、酸感受性ポリマー、および式


を有する環式スルホニウム化合物を含む組成物。（式中、各Ｒ^ａは独立して置換もしくは非置換のＣ_１−３０アルキル基、Ｃ_６−３０アリール基、Ｃ_７−３０アラルキル基、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせであり、Ａｒは単環式、多環式、または縮合多環式Ｃ_６−３０アリール基であり、各Ｒ^ｂは独立してＨ、Ｆ、線状もしくは分岐のＣ_１−１０フルオロアルキル、または線状もしくは分岐のへテロ原子含有Ｃ_１−１０フルオロアルキルであり、ＬはＣ_１−３０連結基であって、場合によってはヘテロ原子を含むものであり、このヘテロ原子はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｆまたは前記のヘテロ原子の少なくとも１種を含む組み合わせを含む。） （もっと読む）

【課題】合成後に抽出や単離の工程を必要とせず、塩素を含む廃棄物を発生させることなく簡便に合成することが可能であり、フッ素源として炭素数が少ないフルオロアルキル鎖を持つ化合物を使用しても、高いフッ素含有率を達成して低屈折率化が可能な含フッ素（メタ）アクリル酸エステル化合物を提供すること。
【解決手段】含フッ素エポキシ化合物に（メタ）アクリル酸を反応させて式（２）の（メタ）アクリル酸エステル化合物を得、当該化合物のヒドロキシル基に、多塩基性カルボン酸無水物を反応させてカルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステル化合物を得、当該化合物のカルボキシル基に対して、含フッ素エポキシ化合物を反応させて含フッ素（メタ）アクリル酸エステル化合物を得る。


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【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）が満足できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）及び（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）：−（Ａ^１０−Ｘ^１０）_ｓ−Ａ^１１−（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等を表す。）で表される基を表す。Ｒ^２は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基等を表す。］（Ｂ）酸発生剤 （もっと読む）

【課題】 高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ラフネス特性を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が下記一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物（Ｐ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（式中の各符号は、特許請求の範囲及び明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】改良されたＬＷＲ及びエッチング制御を示すフォットレジストポリマーを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）：


（式中、Ｌ_１はｍ価のＣ_２−３０アルキレン、Ｃ_３−３０シクロアルキレン、Ｃ_６−３０アリーレン、Ｃ_７−３０アラルキレン基であり、Ｘ_１は独立して、β−ジケトン、β−エステル−ケトン、β−ジ−エステル、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせを含む塩基可溶性有機基である）の塩基可溶性モノマーと；式（Ｉ）の塩基可溶性モノマーに共重合可能な追加のモノマーと；の重合生成物を含むコポリマー。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子を含む基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた防汚性、耐擦傷性および低反射性を有し、かつ耐候性に優れたナノ凹凸構造体を形成できるナノ凹凸構造用樹脂組成物、およびそれを用いた自動車メータカバー用透明部材とカーナビゲーション用透明部材の提供。
【解決手段】４官能(メタ)アクリレートモノマー(Ａ)を５０〜９５質量部、ポリアルキレングリコール構造の繰り返し単位の合計が４〜２５の２官能(メタ)アクリレートモノマー(Ｂ)を５〜３５質量部、前記モノマー(Ａ)、(Ｂ)と共重合可能な単官能(メタ)アクリレートモノマー(Ｃ)を１５質量部以下含む重合反応性モノマー成分１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部の活性エネルギー線重合開始剤(Ｄ)、０．０１〜３質量部の離型剤(Ｅ)、０．０１〜３質量部の滑剤(Ｆ)を含有するナノ凹凸構造用樹脂組成物、および該樹脂組成物を用いた自動車メータカバー用透明部材とカーナビゲーション用透明部材。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
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【課題】本発明は、ガラス基板に対する密着性や弾性回復力に優れた硬化物を得ることのできるアルカリ可溶型硬化性樹脂組成物の提供を課題としている。
【解決手段】アルカリ可溶型硬化性樹脂組成物であって、酸基を導入し得るモノマーを必須モノマーとして含むモノマー成分を、ポリシロキサン結合を有し、かつ、チオール基を２個以上有するメルカプト変性ポリシロキサンの存在下で重合して得られる酸基含有ポリマーの酸基に、ラジカル重合性不飽和二重結合と酸基と反応し得る官能基とを有する化合物を反応させることによって得られる感光性ポリマーと、多官能モノマーと、光重合開始剤とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】優れた形状でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のスルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できる、ネガ型レジスト組成物に用いる樹脂成分として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｆ１−１）又は一般式（ｆ１−２）で表される塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と架橋性基含有基を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物。式中、Ｒは水素原子、炭素原子数１〜５の低級アルキル基、又は炭素原子数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは二価の有機基であり、Ａ_ａｒｙｌは置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、Ｘ_０１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^２はフッ素原子を有する有機基である。
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【課題】優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｒは１又は２；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基、但し、Ａ^１１が単結合の時、ｓ＝１かつＸ^１０は酸素原子である；Ｒ^２は、酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）