【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、レジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、単結合又は−ＮＲ^１−を表す。Ｘ^２は、脂肪族炭化水素基を表す。Ｗは、脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、カルボニル基等で置き換わっていてもよく、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基等に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ラフネス特性および露光後加熱温度依存性（ＰＥＢＳ：Post Exposure Bake Sensitivity）を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、単結合又は−ＮＲ^１−を表す。Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表し、該脂肪族環を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよく、該脂肪族環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式（１）の繰り返し単位ａ１及び／又はａ２を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件（１）を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件（１）：フィルターの臨界表面張力が７０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、かつ荷電修飾されていない。 （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】高感度、良好なパターン形状、良好なラフネス特性、及び良好な疎密特性を達成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生成する基を含有する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を含有する繰り返し単位（Ｂ）とを含んだ樹脂（Ｐ）と、下記一般式（１）により表される化合物（Ｑ）とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（一般式（１）中の各符号は、特許請求の範囲及び明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】優れらマスクエラーファクターのレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこれを用いたレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３はフッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸により、酸素原子との間の結合〔Ｏ−Ｒ^aa４〕が切断される１価の基 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される化合物に由来する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ²¹は２価の連結基；環Ｘ²¹は複素環；Ｒ²²は、ハロゲン原子、水酸基、炭化水素基、アルコキシ基等；ｍは、０〜１０の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物の酸発生剤として好適な化合物、及び当該化合物を含有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ａ^＋は、有機カチオンを表す。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^ｂ１及びＬ^ｂ１‘は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｙ^ｂ１は、炭素数１〜５のアルキル基を有していてもよいフェニレン基を表す。Ｘ^ｂは、メトキシメトキシ基等を表す。］、および、式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）で、欠陥の少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１はアルカンジイル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性のレジストパターンを製造でき、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａｂ）で表される構造単位とを有する樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ^aa1及びＡ^ab1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等；Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ｗ^１は、脂肪族環を含む２価の基；Ａ^ab2は脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は、フッ化アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】高解像性と共に、良好なパターン形状を与えることができるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を使用した、保護膜を形成して行う液浸リソグラフィーにおけるパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸不安定基として、３級炭素にアダマンチルを含むメタアクリル系繰り返し単位及び３級炭素が環状構造を形成してるメタアクリル系繰り返し単位を有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）下記一般式(３)で表される化合物、及び（Ｄ）溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。
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【課題】パターン倒れ及び欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


アルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に用いられる新規な樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。


［Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３は、フッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸安定基；Ａ^aa１は、炭化水素基；Ａ^ab1は、アルカンジイル基；Ｒ^ab2は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】本発明の目的は、ＥＬに優れると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減し、リソグラフィー特性を向上させることができるフォトレジスト組成物を与え得る感放射線性酸発生剤を提供することである。
【解決手段】本発明の化合物は、下記式（１）で表される。また、下記式（１）におけるＲ^２は、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基であることが好ましい。さらに、本発明は、［Ａ］本発明の化合物、及び［Ｂ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物も含む。
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【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規な重合体、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有し、該構成単位（ａ１）として、前記酸分解性基の活性化エネルギーが３．０ｋＪ／ｍｏｌ以上異なる２種を含む重合体。該重合体を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】溶媒の冷却や溶解時の加熱を必要とせず、乾燥時間と溶解時間の合計の工程通過時間を短縮できるようにした、リソグラフィー用重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】重合溶媒の存在下に、重合開始剤を使用して、単量体をラジカル重合させて重合反応溶液を得る重合工程と、前記重合反応溶液を重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させて析出物を得る回収工程と、前記析出物を固形分含有量が６５〜９０質量％の範囲内となるように乾燥させて、微乾燥粉末を得る微乾燥工程と、前記微乾燥粉末を、重合体に対する良溶媒に溶解させる溶解工程とを有し、前記溶解工程において、前記微乾燥粉末の温度が０〜４５℃であり、前記良溶媒の温度が０〜４０℃である、リソグラフィー用重合体溶液を製造する。 （もっと読む）