【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ａ１）を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位（ａ１）が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Ｘが０＜Ｘ≦５であるパターン形成方法。Ｘ＝（酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計）／｛（炭素原子の数）−（炭素原子でも水素原子でもない原子の数）｝ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２はエチレン性二重結合を含む基；Ｗは２価の脂環式炭化水素基；Ｔ^１は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基等；Ｔ^２は２価の脂肪族炭化水素基等］ （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、酸により脱離しうる有機基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、置換基として式（Ｉ）で表される基を有する置換アリール基であり、式（Ｉ）中のＷは２価の連結基である。Ｘ⁻は、式（ｂ−３）または（ｂ−４）で表されるアニオンである。
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【課題】高解像のパターンを良好な形状で形成でき、ＰＥＢ温度のパターン寸法への影響も少ないレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大し且つ多環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１１）と、酸の作用により極性が増大し且つ単環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１２）と、を有する共重合体（Ａ１）を含有するレジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）、Ｍ^ｍ＋はそれぞれ、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
［化１］
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【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れるレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［式（Ｉ）中、環Ｈ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜２０の芳香族複素環を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。］
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【課題】異物が少なく、ＹＩが低いアクリル系樹脂、該組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によるアクリル系樹脂の製造方法は、上記アクリル系樹脂の単量体の重合または脱揮を行った押出機内で添加剤を混入することを特徴としている。このため本発明に係るアクリル系樹脂の製造工程は、製造装置内と外部環境の酸素との接触防ぐことができ、また、アクリル系樹脂に対する熱履歴が少ない。この効果から、１５重量％クロロホルム溶液中でのＹＩが５以下であり、粒径２０μｍ以上の異物量が１ｇあたり１００個以下であるアクリル系樹脂を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】疎水性が高く液浸水への溶出が低く、酸拡散制御による、高解像性パターンプロファイルの構築。
【解決手段】（Ａ）式（１−１）の化合物（Ｂ）式（１−２）で示される酸発生剤、（Ｃ）ベース樹脂、（Ｄ）有機溶剤を含有するＡｒＦ液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。


（Ａｒはアリール基。）


（Ｒ¹はアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基。Ｒ²は水素原子又はトリフルオロメチル基。Ａｒはアリール基。） （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、密集コンタクトホールパターン形成において、ホールブリッジの発生を抑制することができるブリッジ耐性に優れ、さらに解像性を十分満足するフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］単環のラクトン基を含む構造単位（Ｉ−１）及び酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有する重合体、［Ｂ］多環のラクトン基を含む構造単位（Ｉ−２）及び酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有する重合体、並びに［Ｃ］感放射線性酸発生体を含有するフォトレジスト組成物である。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、強いＨＴＰを有する溶解性に優れた重合性キラル化合物を提供することである。
【解決手段】 一般式（Ｉ）
【化１】


で重合性キラル化合物は、強いＨＴＰ及び低い融点を有し、低融点であることから他の液晶化合物との優れた溶解性を有し重合性液晶組成物の構成部材として有用であり、ねじれ力が強いために優れた光学特性を有する光学異方体を作製することができる。本願発明の光学異方体は、偏向板、位相差板、選択反射板等の用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】現像時における未露光部の溶解を抑制することができるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）無機粒子、（成分Ｂ）酸基を有する分散剤、（成分Ｃ）溶剤、（成分Ｄ）（ａ−１）酸及び／又は熱によって脱離する基を有する構成単位と（ａ−２）架橋性基を有する構成単位とを有する重合体、並びに、（成分Ｅ）光酸発生剤を含有し、成分Ｄの酸価が、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＣＤＵ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）を有し、重量平均分子量が３，０００以上８，０００以下である重合体、及び［Ｂ］酸発生体を含有するフォトレジスト組成物。また、［Ａ］重合体は、酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）をさらに有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
空気中で紫外線照射した場合であっても表面特性に優れた塗膜を形成する事ができ、また、硬化性組成物を塗工した基材を一端保管した後に紫外線照射した場合であっても、表面特性に優れた塗膜を形成する事ができる硬化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、含フッ素（α置換）アクリル化合物を含む硬化性組成物を硬化する方法であり、(iv）該組成物の温度を５０℃以上としてから紫外線を照射して該組成物を硬化する工程を含む方法である。さらに本発明は、該方法が、前記工程（iv）の前に、（i）基材に該組成物を塗工する工程を含む方法、更には、前記工程（i）の後、工程（iv）の前に、（ii）該組成物を乾燥する工程、及び（iii）該組成物の温度を５０℃未満とする工程を含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂（Ｐ）を含有し、前記樹脂（Ｐ）の分散度が１．２０以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】本発明の目的は、レジスト膜に対する高い屈折率と高い吸光係数とを有し、耐パターン倒れ性に優れるレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位及び環状カーボネート構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０〜２の整数である。
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【課題】液浸露光時における疎水性を確保しつつ、現像欠陥を抑制することができるフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】［Ａ］親水性基を含む構造単位（Ｉ）を有するフッ素原子含有重合体、［Ｂ］アルカリ解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有するフッ素原子含有重合体、及び［Ｃ］酸解離性基を有する重合体を含有し、［Ａ］重合体、［Ｂ］重合体及び［Ｃ］重合体は互いに異なる重合体であるフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式（Ｉ）中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０のとき、Ｘ^１は単結合ではない。Ｗは、特定式（Ｉａ１−１）又は特定式（Ｉａ１−２）で表される構造を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＤＯＦ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）、単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）及びラクトン基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体、並びに［Ｂ］感放射線性酸発生体、を含有するフォトレジスト組成物。 （もっと読む）