【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好なレジスト組成物に好適な塩及びレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。
Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ^１は、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｌは、０〜３の整数を表す。ｍは、０〜３の整数を表す。ｎは、１〜３の整数を表す。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］、及び、当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）がより良好なレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 酸分解性基を有する樹脂（Ａ）と、
式（Ｂ３）


［式（Ｂ３）中、
Ａ_ａ^＋は、酸分解性基を有し、窒素原子を有さない有機カチオンを表す。
Ｘ⁻は、酸分解性基及び窒素原子を有さない有機スルホン酸アニオンを表す。］
で表される塩（Ｂ３）と、
式（Ｅ１）


［式（Ｅ１）中、
Ａ_Ｎ^＋は、窒素原子を有する有機カチオンを表す。
Ｘ⁻は、窒素原子を有さない有機スルホン酸アニオンを表す。］
で表される塩（Ｅ１）と
を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】特定の構造を有するアクリル系共重合体、およびこの共重合体を用いることにより、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性を有する樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記式で表される繰り返し単位を含むアクリル系共重合体およびこの共重合体を用いた感放射線性樹脂組成物。
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【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位（ａ０）を有する重合体；該重合体を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）ヘキサフルオロプロピル酸エステル基を側鎖に有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び／又は水酸基を有する骨格及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。
【効果】レジスト保護膜を使うことなく高速スキャンに耐えうる高撥水性かつ高滑水性のレジスト膜を実現し得る。更には、アルカリ現像液による上記ポリマーの加水分解により現像後のレジスト膜表面を親水性に改質し、その結果、ブロッブ欠陥が大幅に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】特定の構造を有するアクリル系共重合体、およびこの共重合体を用いることにより、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性を有する樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記式で表される繰り返し単位を含むアクリル系共重合体およびこの共重合体を用いた感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】露光ラチチュードが広く、耐熱性に優れ、高温プロセス（２５０℃以上）を有するパターン形成に適用された場合においても、隣接パターンへの色移りが抑制された着色パターンを形成しうる着色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）重合性基を有する色素多量体、（Ｂ）顔料、（Ｃ）重合性化合物、及び（Ｄ）光重合開始剤を含有する着色硬化性組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ａは−（ＣＲ²₂）_m−、Ｂは−（ＣＲ⁵₂）_n−を示し、Ｒ²、Ｒ⁵は水素原子又はアルキル基、Ｒ²同士又はＲ⁵同士が互いに結合して環を形成してもよい。ｍ、ｎは１又は２、Ｒ⁶はアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基、Ｒ³はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であり、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。ｐは０〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】シアノアダマンチル化合物およびポリマーおよびこれを含有するフォトレジスト
【解決手段】シアノアダマンチル化合物、このような化合物の重合単位を含有するポリマーおよびこのようなポリマーを含有するフォトレジスト組成物が提供される。本発明の好ましいポリマーは、２５０ｎｍよりも短い波長、たとえば２４８ｎｍおよび１９３ｎｍで画像形成されるフォトレジスト中に使用される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有する被めっき層形成用組成物、および、めっきの均一性に優れた金属層を有する積層体の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好なレジストパターンを製造することのできる化合物、および該化合物およびその他モノマーから調整される樹脂を含有するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式中、Ｒ¹は、メチル基等を表す。Ｘ^１は、カルボニルオキシ、フェニレンオキシまたはフェニレンカルボニルオキシ結合基であり、Ａ^１は、単結合又は結合置換基を表し、Ｘ^２は、単結合または酸素等を表す。Ｒ^２は、炭素数１〜３６の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式（Ｉ）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｌ^２は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。Ｙ^１は、芳香族炭化水素基を含む炭素数６〜３０の２価の有機基を表す。Ｒ^１は、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす高分子化合物（Ａ）を含有する、化学増幅型レジスト組成物。
（ａ）分散度が１．２以下
（ｂ）重量平均分子量が２０００以上６５００以下
（ｃ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１４０℃以上 （もっと読む）

【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）に優れ、欠陥の少ないレジストパターンを製造することのできる化合物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）


式（ａ−ｇ１）中、Ｙ^１は、アントラセン環、フルオレン環又はフェナントレン環を含む２価の有機基を表す。Ｒ²は、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、高感度、高解像性で、ラフネス（ＬＷＲ）が小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位ａと、カルボキシル基及び／又はヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位ｂとを含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂とすることを特徴とするポジ型レジスト材料。


（式中、Ｒ^１は水素原子、又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基であって、カルボニル基を有していてもよく、環を形成していてもよい。Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、若しくは分岐状のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】高耐熱性、非結晶性及び溶媒への高い溶解性を有し、且つ正孔注入輸送材料として好適な高い正孔移動度を有する芳香族アミン誘導体の提供。
【解決手段】下記式（６），（７）で表される芳香族アミン誘導体。


式中、ＸはＯ、Ｓ又はＮ（Ｒ_ａ）であり、Ｒ_ａはＨ、Ｄ、アルキル基等であり、Ｒ_１、Ｒ_２はアルキル基、アルケニル基等であり、ａ，ｂは独立に０〜３の整数であり、Ｑ_１，Ｑ_２は飽和、不飽和の環の原子数５〜２５の基である。 （もっと読む）

【課題】重合体に含まれる残存単量体を効率良く低減できる、電子材料用重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】重合溶媒の存在下に、重合開始剤を使用して、単量体をラジカル重合させて重合反応溶液を得る工程と、得られた重合反応溶液を減圧濃縮して、未反応の単量体を除去する工程を有する、電子材料用重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】露光感度が高く優れ、現像欠陥が少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び（Ｂ）樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式（Ｉ）中、Ｘは、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒｘ）−を表す。Ｒ_１〜Ｒ_８及びＲｘは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_８はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。但し、Ｒ_１〜Ｒ_８のうち、少なくとも２つが下記一般式（ＩＩ）で表される構造を表す。
（もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性及び露光ラチチュード（ＥＬ）のいずれにも優れるパターン形成方法、該パターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該パターン形成方法により形成されるレジスト膜、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）多環芳香族基を有する繰り返し単位（ａ）及び酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ａ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜をＡｒＦエキシマレーザーにより露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）