【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）

【課題】優れた解像度を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の化合物由来の構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）の塩と、溶剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２〜Ｒ^４は、独立にアルキル基等；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）の基；ｓは０〜２の整数；Ａ¹⁰及びＡ¹¹は、独立に脂肪族炭化水素基；Ｘ¹⁰は、酸素原子等を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンのマスクエラーファクター（ＭＥ
Ｆ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表す。Ｌ１は、飽和炭化水素基を
表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き
換わっていてもよい。ｍは０又は１を表す。Ｌ２及びＬ３は、単結合又は飽和炭化水素基
を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置
き換わっていてもよい。環Ｗ１及び環Ｗ２は、炭化水素環を表す。Ｒ１及びＲ２は、水素
原子、ヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、ヒドロキシ基又はアルキル
基を表す。Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。ｕは、０
〜２の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】組成物の保存時におけるパーティクル発生の抑制能に優れ、且つ、経時による線幅変動が抑制されたパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びこの組成物の製造方法を提供することにある。更に、本発明の目的は、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する第１樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）溶剤として少なくともアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、該組成物中に溶存する酸素の濃度と窒素の濃度の合計が０．１８０μｇ／μｌ以下である組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、短時間でＰＥＢを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長６００〜２０００ｎｍの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長６００〜２０００ｎｍの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基を有する水溶性モノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、当該前駆体ポリマーを水で洗浄した後、当該前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させることを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。当該高分子化合物の製造方法により製造された高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好であり、あるいはマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）；ｓは０又は１；Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合；Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基；ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の合計炭素数は６以下；Ｒ^２は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物用のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物。下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物。
（もっと読む）

【課題】高感度であること、ＬＥＲが良好であること、露光ラチチュードが良好であること、及びパターン形状が良好であることを同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸アニオンを発生するイオン性構造部位を備えた繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｂ１）で表される繰り返し単位（Ｂ）と、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂を含有する（一般式（Ｂ１）中、Ｒ_３は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表し；Ｙは、単結合又は２価の連結基を表し；Ｚは、単結合又は２価の連結基を表し；Ａｒは、芳香環基を表し；ｐは１以上の整数を表す。）。
【化１】
（もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂；式（ａ４−８）で表される構造単位を有する樹脂；（Ｂ）酸発生剤；（Ｄ）溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^３は、式（ｂ）で表されるスルホラン環基；Ａ^a41は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等；Ｒ^a42は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】解像性に優れると共に、現像後のディフェクトの発生を抑制でき、かつ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物、レジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物及びその製造方法の提供。
【解決手段】側鎖に−ＳＯ_２−含有環式基を有するアクリルアミド構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、前記構成単位（ａ０）の含有割合が５０モル％未満である樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパタ−ンを製造できるレジスト組成物及び当該レジスト組成物の酸発生剤として有用である塩を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂、溶剤及び式（Ｉ）で表される塩を含有するレジスト組成物、並びに前記塩の提供。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２はアルキル基を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高解像性のレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に２つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含むポジ型レジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、ヒドロキシ基、アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基、脂環式及び芳香族炭化水素基はヒドロキシ基又はアルキル基で置換されていてもよい；Ｘ^１は、２価の飽和炭化水素基を表し、２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい；Ｒ^２は飽和炭化水素基；ｕ１は０〜２の整数、ｓ１は１又は２、ｔ１は０又は１、但し、ｓ１＋ｔ１は１又は２である。］ （もっと読む）

【課題】生産性が高く、ガラス転移温度の均一性に優れ、変性率が高く、粘弾性特性が良好で、ビニル結合量が高い変性共役ジエン系共重合体が得られる、変性共役ジエン系共重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】共役ジエン系単量体とビニル芳香族単量体とを、有機リチウム化合物開始剤を用いて共重合させる重合工程と、前記重合工程により得られる共役ジエン系共重合体に、官能基含有化合物を反応させる変性工程と、を有し、 前記重合工程において、下記化合物（１）、（２）をモル比で（２）／（１）＝０．０１以上０．１未満とし、かつモル比で（２）／有機リチウム化合物＝０．０２〜０．２として共存させる変性共役ジエン系共重合体の製造方法。
（１）酸素原子を２個以上有し、少なくとも１個の酸素原子が環状エーテル構造を構成するエーテル系化合物。
（２）ナトリウムアルコキシド。 （もっと読む）

【課題】光を照射することにより速やかに硬化し、耐熱性、柔軟性、透明性及び寸法安定性に優れる硬化物を形成するカチオン重合性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のカチオン重合性樹脂組成物は、下記式（１）で表わされるオキセタン環含有(メタ)アクリロイル化合物を単独で、又はラジカル重合性を有する他の化合物と共にラジカル重合して得られるカチオン重合性樹脂と無機フィラーを含有する。式（１）中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基、Ｒ²は水素原子又はアルキル基を示し、Ａは炭素数２〜２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基を示す。
【化１】
（もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される酸不安定基によって、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物を含有する、ポジ型レジスト組成物。


（一般式（Ｉ）中、Ｒは一価の有機基を表す。Ａは多環炭化水素環構造を有する基又は多環ヘテロ環構造を有する基を表す。＊は前記フェノール性水酸基の酸素原子との結合位置を表す。） （もっと読む）

【課題】リソグラフィー技術を用いたレジストパターン製造では、設計寸法がますます微細化していくことに従い、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物が求められるようになってきた。
【解決手段】以下の（Ａ）及び式（Ｉ）で表される塩を含有するレジスト組成物。
（Ａ）酸不安定基を含む第１の構造単位と、ラクトン環を含む第２の構造単位とを有する樹脂；


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、ｎが０の場合、Ｌ^１は単結合ではない。Ｒ^１は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを得ることができる樹脂及びレジスト組成物などを提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基、ここでｓは０〜２の整数、Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表し、Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す；Ａ^２は、フッ素原子を有する２価の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）