【課題】任意の水で希釈が可能な水溶性ケイ素化合物の製造方法を提供することであり、本製造方法で得られる水溶性ケイ素化合物を使用し、多孔質の酸化ケイ素の粉体や酸化ケイ素を含むガラス体を得ることが可能な水溶性ケイ素化合物を提供すること。
【解決手段】
下記式（１）で表されるケイ素化合物又は下記式（１）で表されるケイ素化合物の縮合物と、分子内に少なくとも１以上の水酸基及び／又はアミノ基を有する水溶性化合物とを接触させた後に、酸性物質を接触させることを特徴とする水溶性ケイ素化合物の製造方法。


［式（１）中、Ｒ^１ないしＲ^４は、互いに同一でも異なってもよい、水素原子、ヒドロキシ基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ^１ないしＲ^４の少なくとも１つの基は、中心のＳｉ原子とＳｉ−Ｏ結合をする酸素原子を有する基である。］ （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜を得るために、期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成できる有機酸化ケイ素微粒子等を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素、又はケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する第１有機酸化ケイ素からなる内核と、内核の外周に、ケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する有機基含有加水分解性シラン、又は有機基含有加水分解性シランと前記有機基を含有しない有機基非含有加水分解性シランの混合物からなる外殻形成用成分を塩基触媒の存在下で加水分解性縮合して得られる、第１有機酸化ケイ素とは異なる第２有機酸化ケイ素からなる外殻とを備えてなる有機酸化ケイ素微粒子であって、全炭素原子数［Ｃ］と全ケイ素原子数［Ｓｉ］との比［Ｃ］／［Ｓｉ］が、内核では０以上１未満であり、外殻では１以上である有機酸化ケイ素微粒子を提供する。 （もっと読む）

本発明は、構造的特徴Ｓｉ−Ｎ−Ｂを有するボロシリルアミン、及び構造的特徴Ｓｉ−Ｘ−Ｂを有するボロシリル炭化水素［ここでＸは、メチレン基又は炭化水素鎖Ｃ_xＨ_y又は環状の炭化水素単位であることができる］を、それらとジシラザンＲ₃Ｓｉ−ＮＲ−ＳｉＲ₃との反応により塩フリーで重合する新規方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける低誘電率層間絶縁膜として使用するのに適した絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を含有する塗膜を基板上に形成した後、酸素雰囲気中で２５０〜３５０℃で焼成し、さらに水酸基と結合可能な架橋性化合物を含む媒体で処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）一または複数の置換基を任意に有するスチリル基を分子内に少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランを加水分解して得られる加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素−炭素三重結合を少なくとも２つ有する化合物、及び
（Ｃ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】有機成分を含まない高純度の二酸化ケイ素膜を形成するために有用な二酸化ケイ素前駆体および二酸化ケイ素前駆体組成物を提供する。
【解決手段】上記二酸化ケイ素前駆体は、下記示性式（１）（Ｈ_２ＳｉＯ）_ｎ（ＨＳｉＯ_１．５）_ｍ（ＳｉＯ_２）_ｋ （１）（式（１）中、ｎ、ｍおよびｋはそれぞれ数であり、ｎ＋ｍ＋ｋ＝１としたとき、ｎは０．０５以上であり、ｍは０を超えて０．９５以下であり、ｋは０〜０．２である。）で表され、１２０℃において固体状であるシリコーン樹脂である。 上記二酸化ケイ素前駆体組成物は、上記シリコーン樹脂および有機溶媒を含有する。 （もっと読む）

【課題】機能素子への展開に有用なメソ構造体、更には、シリカメソ構造体、及びこれらの製造方法、メソ構造体のメソ細孔の配向を適宜に制御する方法の提供。
【解決手段】高分子表面に配置されている管状のメソ細孔を有するメソ構造体であって、該メソ細孔が上記高分子表面に対して平行な第１の方向に配向していることを特徴とするメソ構造体、シリカメソ構造体、メソ構造体の製造方法、シリカメソ構造体の製造方法及びメソ細孔の配向制御方法。 （もっと読む）

【課題】有機成分を含まない高純度の二酸化ケイ素膜を形成するために有用な二酸化ケイ素前駆体および二酸化ケイ素前駆体組成物を提供すること。
【解決手段】上記二酸化ケイ素前駆体は、下記示性式（１）
（Ｈ_２ＳｉＯ）_ｎ（ＨＳｉＯ_１．５）_ｍ（ＳｉＯ_２）_ｋ （１）
（式（１）中、ｎ、ｍおよびｋはそれぞれ数であり、ｎ＋ｍ＋ｋ＝１としたとき、ｎは０．５以上であり、ｍは０を超えて０．３以下であり、ｋは０〜０．２である。）
で表され、１２０℃において固体状であるシリコーン樹脂である。
上記二酸化ケイ素前駆体組成物は、上記シリコーン樹脂および有機溶媒を含有する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、尿素等とを含む。この前駆体組成物から得られた多孔質膜に対して紫外線照射した後、疎水性化合物を気相反応させる。得られた多孔質膜を用いて半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く機械的強度が高い多孔質の絶縁膜を有する半導体装置の製造方法、並びにこのような多孔質絶縁膜の形成に好適な絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】基板１０上に、多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上にＳｉ−ＣＨ_３結合を３０〜９０％の割合で含有するシリコン化合物を含む第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上に第２の絶縁膜４０が形成された状態で紫外線を照射し、第１の絶縁膜３８を硬化させる工程とを有する。これにより、ＣＨ_３基を脱離する波長域を有する紫外線が第２の絶縁膜により十分に吸収され、第１の絶縁膜では紫外線キュアによる高強度化が優先的に進行するので、第２の絶縁膜の誘電率を増加することなく膜密度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】ポリマーを構成するＳｉ原子にシリルメチル基が結合した新規なポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシラン化合物を縮合して得られるポリマー。
【化１】


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_３は、同一または異なり、それぞれハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、またはヒドロキシ基を示し、Ｙ_１〜Ｙ_３は、同一または異なり、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基を示す） （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、優れた耐ストレス性と優れた耐クラック性とを有する半導体装置用絶縁膜を得ることができる絶縁膜形成用組成物、その絶縁膜形成用組成物から得られる半導体装置用絶縁膜および、その半導体装置用絶縁膜を利用して得られる高品質で信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】 本絶縁膜形成用組成物は、実質的に炭素とケイ素と水素とのみからなる鎖部分を主鎖とし、かつ、主鎖以外の部分に窒素を含有するポリマーを含んでなる。ポリマー中に、窒素が、式１で表される構造要素として存在することが好ましい。
【化１７】
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【課題】磁気ディスク用ガラス基板のエッチング処理された内周端面上に形成される被膜の厚みを大きくする。
【解決手段】中央に円孔を有する円板状ガラス板の内周端面をエッチング処理し、その内周端面に有機ポリシラザン化合物を含有する液を塗布し、焼成する工程を有し、その化合物が構造単位−Ｓi（Ｒ^１）（Ｒ^２）−（ＮＨ）−および構造単位−Ｓi（Ｒ^３）（Ｒ^４）−Ｏ−を有し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４はいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基または水素であり、Ｒ^１およびＲ^２のいずれか１以上とＲ^３およびＲ^４のいずれか１以上とは前記群から選ばれる基である磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】粗大粒子が少なく、かつ、硬化性が良好なポリカルボシランおよびその製造方法、前記ポリカルボシランを含む塗布用シリカ系組成物、および前記塗布用シリカ系組成物を用いて形成されたシリカ系膜を提供する。
【解決手段】ポリカルボシランの製造方法は、ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有する原料ポリマーを、有機溶剤中で塩基性触媒の存在下でアルコールと反応させた後、水と反応させる工程により製造する。 （もっと読む）

【課題】粗大粒子が少なく、かつ、硬化性が良好なポリカルボシラン、前記ポリカルボシランを含む塗布用シリカ系組成物、および前記塗布用シリカ系組成物を用いて形成されたシリカ系膜を提供する。
【解決手段】ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリマーで、重量平均分子量が３００〜１，０００，０００であり、有機溶媒に可溶であるポリカルボシラン。該ポリカルボシランおよび有機溶剤を含有する塗布用シリカ系組成物、並びに、該塗布用シリカ系組成物から形成したシリカ系膜。 （もっと読む）

共重合体を含むシリコン組成物を提供する。共重合体は、一般式：Ｈ−［ＳｉＨ_２ＣＨ_２］_ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ_１）ＨＣＨ_２］_ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ_２）ＣＨ_２］_ｚｎ−Ｈで示され、式中、Ｒ_１は、メチル、フェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、Ｒ_２は、アリル、プロパギルまたはエチニル、そしてｘ，ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。前述の共重合体を使用した炭化ケイ素系材料と、それによって生成された生成物の生成方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】新規なポリマー、特に、電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な膜形成組成物に用いられるポリマー、さらには膜形成組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】エチレン性二重結合またはアセチレン性三重結合を分岐末端にもつデンドリマーとケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２つ以上有する化合物とをヒドロシリル化反応させて得られるポリマー、該ポリマーを含有する膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜、及び該絶縁膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】フラクタル性が制御されたポリマーによりコーティングされたセラミック粉末を提供すること。
【解決手段】複数のセラミック粒子とそれらの粒子の少なくとも一部を封入しているシロキサン星形グラフトコーティング用ポリマーを含んで成るコーティングされたセラミック粉末であって、前記コーティング用ポリマーが、
Ｓｉ（ｗ，ｘ，ｙ，ｚ）
（式中、ｗ、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ４官能性、３官能性、２官能性及び単官能性モノマー単位のモル％であり、ｗ、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ約45〜75、約５〜25、約５〜45及び約５〜10である）
を含んで成る、コーティングされたセラミック粉末。 （もっと読む）

【課題】光の拡散反射性が向上したシリカ複合重合体粒子を提供することを課題とする。
【解決手段】重合性ビニル系モノマー由来の重合体成分と、シリカ成分とを含むシリカ複合重合体粒子であって、前記シリカ成分が、前記重合性ビニル系モノマーに対し不活性なポリアルコキシシロキサンオリゴマーと、特定のシラノール基形成性シラン化合物とに由来し、前記シリカ複合重合体粒子を焼成して前記重合体成分を除去した場合、５０〜３００ｍ²／ｇの比表面積を有し、かつ表面に多数のヒダを有するシリカ粒子が得られるように、前記シリカ成分が、前記シリカ複合重合体粒子中に偏在していることを特徴とするシリカ複合重合体粒子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率で機械的強度の高い絶縁膜を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも２つ以上のアセチレン基を持つ下記一般式（３）で表される化合物（Ａ）と、少なくとも２つ以上のヒドロシリル基をもつポリシロキサン（Ｂ）とをヒドロシリル化反応させて得られることを特徴とするポリマー。
【化１】


一般式（３）中、
Ｒ^４は、炭素原子１０個以上で形成されるカゴ型構造を含有する基を表す。
Ｒ^５は各々独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、またはシリル基を表す。
ｒは２〜２０の整数を表す。 （もっと読む）