【課題】 透明基板の表面上に設けた際に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するシリカ系被膜は、透明基板上に形成するためのシリカ系被膜であって、その弾性率が５ＧＰａ以上であるものである。 （もっと読む）

【課題】 優れた機械的強度を備え、かつ非常に低い誘電率を安定的に示し、各種の薬剤に対する耐薬品性を兼ね備えた多孔質シリカ質膜を簡便に製造することができるコーティング組成物とそれを用いたシリカ質材料の製造法の提供。
【解決手段】 ポリアルキルシラザン化合物、アセトキシシラン化合物、有機溶媒、および必要に応じて多孔質化材、を含んでなるコーティング組成物、そのコーティング組成物を焼成することにより得られたシリカ質材料、ならびにその製造法。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が低く、厚膜を形成することができるＴＦＴ層間絶縁膜材料を提供すること。
【解決手段】 カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。 （もっと読む）

【課題】 基板と金属微粒子（特に金属ナノ粒子）との密着性を向上できる組成物を提供する。
【解決手段】 ポリシラン化合物と、還元により前記金属微粒子を生成可能な金属化合物（例えば、貴金属化合物）と、無機微粒子（シリカなど）とで前記組成物を構成する。前記ポリシラン化合物は、ポリシランと、金属化合物及び／又は金属微粒子に対する親和性を有するユニットを含むビニル単量体との共重合体であってもよい。このような組成物を基板に塗布し、活性エネルギー線を作用させてポリシラン化合物を分解させることにより、金属微粒子を生成できる。このような方法は種々の方法に応用でき、例えば、基板に、前記組成物を塗布し、露光して金属微粒子を生成させたのち現像して金属微粒子を含むパターンを形成し、無電解めっき処理することにより無電解めっきパターンを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、低屈折率、高機械的強度を有する疎水性多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜を作製するための多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物と、２５０℃以上で熱分解を示す熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、有機溶媒とからなる多孔質膜の前駆体組成物。この前駆体組成物の溶液を用いて疎水性化合物と気相重合反応せしめ、多孔質膜を作製する。この多孔質膜を用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率の絶縁材料を形成できる化合物、該化合物を含有する絶縁材料形成用組成物、該組成物より得られる絶縁材料を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)で表される化合物、その加水分解物および／または縮合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。
【化１】


一般式（１）中、Ｒ₁〜Ｒ₈は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。ただし、Ｒ₁〜Ｒ₈で表される基のうち少なくとも１つは、置換基として下記一般式（２）で表わされる基を有するアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。
【化２】


一般式（Ｓ２）中、Ｘは加水分解性基を表し、Ｒ₉はアルキル基、アリール基又はヘテ
ロ環基を表す。ｍは１〜３の整数を表わす。 （もっと読む）

【課題】集積回路において階間誘電体として用いる場合の低誘電率材料及びそれを含む膜の性能の改良、並びにその製造方法について明らかにする。
【解決手段】これらの材料は、約３．７又はそれ未満の誘電率（ｋ）、前記材料の誘電率から部分的に導出される約１５ＧＰａ又はそれよりも大きい標準化壁体弾性率（Ｅ_ｏ′）、及び金属不純物レベルが５００ｐｐｍ又はそれ未満のものとして特徴づけられる。また、約１．９５未満の誘電率及び約２６ＧＰａを超える前記材料の誘電率から部分的に導出される標準化壁体弾性率（Ｅ_ｏ′）を有する低誘電率材料について開示する。 （もっと読む）

【課題】 親油性を向上させ、より広い摺動条件下で、摩擦係数を低減させることが可能な低摩擦を有する親油性被膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｃ−Ｏの骨格１０が形成される有機無機ハイブリッド被膜において、Ｓｉ−Ｃ−Ｏの骨格１０に対して、結合のない状態で、金属と酸素との結合からなる金属元素を含む主鎖１２が分布している有機無機ハイブリッド被膜である。 （もっと読む）

【課題】構造誘導体物質として環状シロキサン系モノマーを使用する、誘電率が低く且つ諸般物性に優れた低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサン系モノマー、有機溶媒、酸または塩基、および水を混合してコーティング液を準備する第１段階と、前段階で得たコーティング液を基板上に塗布した後、熱硬化させてメソポーラス薄膜を得る第２段階とを含む、低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）ケトン系溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】ケイ素―メチル基結合部位を必ず含み、かつケイ素−水素結合およびケイ素−酸素結合の両方を有するポリカルボシランおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のポリカルボシランは、ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有し、ＳｉＨ基含有カルボシランの繰り返し構造単位、ジメチルカルボシランの繰り返し構造単位、およびＳｉＯ基含有カルボシランの繰り返し構造単位を有する。ジメチルカルボシランとＳｉＨ基含有シランの構造単位を有する原料ポリマーに塩基性触媒の存在下で水および／またはアルコールを反応させて製造する。 （もっと読む）

【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ）
【化１】


（式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。 （もっと読む）

本発明のポリマーの製造方法は、１種以上の（Ａ）ポリカルボシランの存在下、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記（Ａ）ポリカルボシランのうち少なくとも１種が、以下のポリカルボシラン（Ｉ）である。
（Ｉ）下記一般式（１）で表される化合物をアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の存在下に反応させて得られる、重量平均分子量５００以上のポリカルボシラン（Ｉ）：
Ｒ^１_ｍＹ_３−ｍＳｉＣＲ^２_ｎＸ_３−ｎ ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｙはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、ｋは０〜３の整数を示し、ｍおよびｎは同一または異なり、０〜２の整数を示す。） （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中に規則的で均一なナノ気孔を形成させ得る新規星型高分子物質の提供。
【解決手段】アルコキシシラン末端基を有し、中心部にエーテル基を有する式（Ｉ）で表される星型高分子を気孔誘導体として用いると、規則的で均一に分布されたナノ気孔を有する低誘電性シリケート高分子薄膜が得られる。前記星型高分子は、環状モノマーを多価アルコールと開環重合させた後、得られた高分子をアルコキシシラン化合物と反応させることによって製造される。 （もっと読む）