Ｃｕが９０原子％より大である銅合金から製造した導電線のための材料に関する。該材料は、０．５〜１０原子％のＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、ランタニド、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉからなる群から選択した１種又は複数の元素および０〜５原子％のＭｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｂからなる群から選択した１種又は複数の元素を含む。この材料は、低い電気抵抗、ガラス基材に対する良好な接着性、酸化に対する充分な抵抗性および低いエレクトロマイグレーション速度を有する。 （もっと読む）

スパッタリング対象物用の大型のＭｏビレットあるいはＭｏバーを製造する方法であって、Ｍｏを含有する二つ以上のボディは、その隣接したボディ間の隙間または結合部にＭｏ金属粉が存する状態で、相互隣接して配置されている（例えば一方が他方に積み重なっている）。この隣接したボディは、機械加工する等して大型のスパッタリング対象物を形成可能なビレットまたはバーを提供するため、隣接ボディ間の結合部で金属−Ｍｏ粉層−金属の拡散接合すべく熱間等方加圧される。相互近接して配置されるボディの数や寸法は、スパッタリング対象物として適切な大型のビレットやバーを産出できるように要望に応じて選択される。スパッタリング対象のためのビレットまたはバーは、粒度３０ミクロン未満の等軸粒子からなるミクロ構造を呈するとともに、重量比で約１００ｐｐｍの低酸素含有量となっている。
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【課題】 ドロップレット量、局部溶融の発生が少なく、安定した放電特性が得られ、かつ長寿命であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を提供する。また、その製造方法と、これら技術の利用による皮膜コーティング方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物相が３０〜８０％であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材、具体例として、ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物相が３０〜８０％、残部実質的にターゲット材構成元素による固溶相のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材である。Ｓｉ：１０〜４０原子％含み、残部実質的にＴｉでなることが好ましい。本発明のターゲット材は、アークイオンプレーティング用に好ましく、例えば切削工具、金型ならびに摺動部品の表面コーティング用に使用できる。 （もっと読む）