【課題】ルテニウムターゲットを代替することができ、かつ、安価なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄ、Ｃｒ、Ｗを主要成分として含有するＰｄ−Ｃｒ−Ｗ系スパッタリングターゲットとし、該ターゲットの構造を、ＣｒおよびＷのうちの少なくとも１種を含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなる合金マトリックス中に、Ｃｒ相およびＷ相のうちの少なくとも１種の相が分散した構造とし、前記ターゲット全体に対するＣｒの含有量が５〜５０ａｔ％、Ｗの含有量が５〜４０ａｔ％となるようにする。 （もっと読む）

【課題】三次元の大きなサブミクロン粒度の結晶質の構造体の単純で経済的な製造方法を提供する。
【解決手段】サブミクロン粒度からなる三次元の大きな金属構造体の製造法において、超音波金属粉末ジェットを基材に当て、粉末を基材及び該粉末自体に付着させて、サブミクロン粒構造を有しかつ全三次元においてサイズの大きな稠密な凝集堆積物を形成させることを含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．０５〜１０原子％含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲットであり、後方散乱電子回折像法によってＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、および＜３１１＞が下記（１）〜（３）の要件：
（１）＜００１＞±１５°と＜０１１＞±１５°と＜１１１＞±１５°と＜３１１＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、スパッタリング面全面積に対するＰ値の比率は７０％以上、
（２）Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率の比率は３０％以上、
（３）Ｐ値に対する、＜１１１＞±１５°の面積率は１０％以下
の要件を満足するＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびその製造方法によって製造されるＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}−Ｍ１_Ｙ、２０≦Ｘ≦９０、５≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−α}−Ｍ１_α、１０≦α≦２０で表され、Ｍ１元素が２種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
としたとき、粉末Ａおよび粉末Ｂを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有害物質を極力低減させるとともに、成膜時のパーティクルの発生数が少なく、膜厚分布が均一であり、かつ４Ｎ（９９．９９％）以上の純度を持ち、半導体メモリーのキャパシタ用電極材を形成する際に好適なスパッタリングターゲット製造用高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得たスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに前記高純度Ｒｕ粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の各含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、Ａｌの含有量が１〜５０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度Ｒｕ粉末、及び純度３Ｎ（９９．９％）以下のＲｕ原料をアノードとし、溶液中で電解して精製する、同高純度Ｒｕ粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、ＳｉおよびＢを総量として０．１〜１０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜を製造するスパッタリングターゲット材。また、上記ＳｉおよびＢの組成比が２：８〜６：４である、スパッタリングターゲット材、および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜にある。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性層膜として用いるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金およびそれを用いたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｆｅ：１０〜４５％、Ｎｉ：１〜２５％、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂの１種または２種以上が、Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｂ／２：５〜１０％、（ただし、Ｂは０％以上７％以下）、Ａｌ，Ｃｒの１種または２種が、Ａｌ＋Ｃｒ：０〜５％、残部３７％以上のＣｏおよび不可避的不純物よりなり、かつ原子比で、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１０〜０．５０、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．０１〜０．２５を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびこれを成膜するためのスパッタリングターゲット材並びにその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＭ_Ｙ、２０≦Ｘ≦８０、４≦Ｙ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／あるいはＴａであるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＦｅとＣｏを主体とするＢＣＣ相および／またはＦＣＣ相とＭ元素を含有する金属間化合物相とでなる金属組織を有し、ミクロ組織においてＭ元素を含有する金属間化合物相に描ける最大内接円の直径が１０μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】
磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減できる、貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】
貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法が提供される。この方法は、最初に湿式粉末混合工程により、セラミック粉末を磁性金属粉末の表面に均一に付ける工程と、セラミック−金属複合体粉末を得るためにこれを乾燥する工程と、次いで乾式粉末混合工程により、貴金属粉末をセラミックと金属の粉末と均一に混合する工程と、最後に、成形及び圧縮工程を使用してセラミック−金属複合体粉末を成形体ターゲットにする工程とを含む。本発明の製造方法は、磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減することができ、これにより、ターゲットの品質を改良し、その製造コストを削減する。 （もっと読む）

【課題】 無機ＥＬ素子のＥＬ発光層の形成において、反応性スパッタリング法に用いるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、大気中に長期間放置しても強度が低下することのない、高強度のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 ２４〜４３質量％のＡｌと、１〜１０質量％のＥｕと、残部のＢａとからなるホットプレス体からなるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、不可避不純物として含まれる水素の量を５０ｐｐｍ以下に制御する。このスパッタリングターゲットの製造は、原料粉末をホットプレスする際に、差圧０.１ＭＰａでの窒素ガスのガス透過率が１×１０^−３ｃｍ^２／ｓ以上のホットプレス型を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】希土類元素、およびＡｌよりも高融点の高融点元素を含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲット材を歩留良く製造できる方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、アトマイズ法によって製造した希土類元素を含有するＡｌ基合金の第１粉末を用意する工程と；第１粉末と、Ａｌよりも高融点の高融点元素Ｘから構成される１種以上の第２粉末とを混合する工程と；第１粉末と第２粉末の混合粉末を緻密化する工程とを含んでいる。上記の混合工程において、第１粉末の最大粒径（ａ）が１０〜２００μｍであり、前記第２粉末の最大粒径（ｂ）が１０〜１５０μｍであり、（ａ）と（ｂ）との比（（ａ）／（ｂ））が０．５〜５である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末として、Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末およびＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末を用意し、前記Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末に前記Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末またはＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末をＣｕ_ａＩｎ_ｂＧａ_ｃＳｅ_ｄ（但し、単位は原子％、２５≦ａ≦６５、０≦ｂ≦５０、０≦ｃ≦３０、３０≦ｄ≦５０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００）からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスしてホットプレス体を作製し、このホットプレス体の表面を切削することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非常に高い曲げ強度を有し、従って、成膜時の熱応力によりターゲットのつば部が破損することのないTi-Al系合金ターゲット材を得ることができるばかりではなく、加圧成形時に原料組成物を均一に変形し得、従って、後加工による寸法修正が不要であり、原料組成物の歩留まりを著しく高くし得るところのTi-Al系合金ターゲット材の製造法を提供する。
【解決手段】本発明は、Ti粉末とAl粉末とを含む原料組成物を加圧成形し、次いで、得られた成形体を焼結又は焼結鍛造してTi-Al系合金ターゲット材を製造する方法において、上記加圧成形が、80〜250℃の温度において金型内で原料組成物を圧縮することにより実行されることを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】コスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、例えば粉末冶金法により、作製される超微細加工用コーティング膜が、パーティクル等の欠陥及び組成の不均一性の問題を生じない、結晶組織が極微細で均一な組織を有する高品質かつ実用的な大きさのターゲット材を提供する。
【解決手段】平均結晶子サイズが１ｎｍ〜５ｎｍの組織を備え、Ｃｏを主成分として原子比率で５０ａｔ％以上含有する３元系以上の合金からなり、主成分に対する他成分が１２％以上の原子半径差を有すると共に負の混合熱を満たす金属ガラスの要件を備え、当該３元系以上の合金はＴａ及びＢを含有し、かつ９６．４％以上の相対密度を有し、ガスアトマイズ粉を焼結することによって得られた非晶質体であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａ群（Ｎｉ，Ｃｏ）から選択される少なくとも１種と、Ｂ群（Ｃｕ，Ｇｅ）から選択される少なくとも１種と、Ｃ群（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）から選択される少なくとも１種を各々含有するＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットを構成し、そのビッカース硬さ（ＨＶ）を３５以上にする。 （もっと読む）

【課題】結晶組織が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを提供する。
【解決手段】非晶質又は平均結晶子サイズが５０ｎｍ以下の組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に３元系以上の合金からなり、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、希土類金属から選択した少なくとも１元素を主成分とする焼結体パッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 （もっと読む）

（ａ） 大部分で存在するモリブデン； （ｂ） 合金量で存在するニオブ； および（ｃ） ニッケル、クロム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される第三の金属を含み、第三の金属がドーピング量で存在する合金； さらに、それを用いて製造されるスパッタリングターゲット、かかるターゲットを使用してスパッタされた膜、およびかかる膜を含有する薄膜素子。
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