【課題】 組織のさらなる微細化が可能であると共にコンタミネーションが少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなるターゲットの製造方法であって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末１と一次焼結体粉末２とを混合および粉砕後、焼結させる二次焼結工程と、を有し、二次混合粉末１の平均粒径が０．０５〜３０μｍであり、一次焼結体粉末２の最大粒径が２００μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ_２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式：（Ｆｅ_ｘＰｔ_{（１００−ｘ）}）_{（１００−ｙ）}（ＳｉＯ_２）_ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ_２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ_２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、ターゲットのＣｕ含有量を１０ｐｐｍ以下およびＡｇ含有量を１ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するターゲットであって、その組織が、少なくともＣｏとＣｒとＰｔとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第１相１と、少なくともＣｏを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第２相２との複合組織からなる。 （もっと読む）

【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２９〜４０％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、Ｘ線回折においてＣｕベースのｆｃｃ相の（１１１）面とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、０．０５≦Ｃｕ［Ｉ（１１１）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．８０、かつＣｕＧａ２相の（１０２）とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、ＣｕＧａ２［Ｉ（１０２）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．１０であり、さらに相対密度が９５％以上であることを特徴とした高強度Ｃｕ−Ｇａ系ターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ、ＡｌおよびＹから選択される１種以上の添加元素を１０〜６０質量％含有し、残部がＮｉと不可避不純物からなるＮｉ合金に、ＳｉＯ₂を主成分とし、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｚｒおよびこれらの酸化物から選択される１種以上を０〜９０質量％含有するシリケート系ガラスが３〜２０質量％添加されている抵抗体材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は多成分単一体のスパッタリングターゲット及びその製造方法、これを利用した多成分合金系ナノ構造薄膜製造方法に関するものである。
【解決手段】
本発明による多成分単一体のスパッタリングターゲットは、窒素と反応して窒化物形成が可能な窒化物形成金元素及び前記窒化物形成金元素に対する高溶度がないか低く、窒素と反応しないか反応性が低い非窒化物形成金元素の非晶質または部分結晶化された非晶質形成合金系を含むもので、前記窒化物形成金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Siから選択された少なくとも一つの元素を含み、前記非窒化物形成金元素はMg、Ca、Sc、Ni、Cu、Y、Ag、In、Sn、La、Au、Pbから選択された少なくとも一つの元素を含んで構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 酸化物を一定量含んだＣｕ系スパッタリングターゲットについて、Ｃｕ酸化物の凝集を抑制し、Ｃｕ酸化物の微細分散を実現できる製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ粉末を酸素含有雰囲気中で加熱処理して得た７．０原子％以上の酸素を導入した酸素含有Ｃｕ粉末を、不活性ガス雰囲気中で加圧焼結して酸素含有Ｃｕ焼結体とし、該酸素含有Ｃｕ焼結体を５００〜１０８０℃の温度範囲において熱間塑性加工を行なうスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時の異常放電の防止、あるいはターゲットの製造中やスパッタリング中の割れや欠けを防止できる緻密で高強度のＮａを含有するＭｏ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 平均粒径１５μｍ以下のＮａＦ粉末と平均粒径２０μｍ以上のＭｏ粉末との焼結体からなり、ＮａＦを０．１〜８質量％含有し、相対密度９０％以上かつ抗折力が１５０N／ｍｍ²以上であるＭｏ系スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたＴａ−Ｗ合金膜を再現性よく得ることを可能にする。
【解決手段】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットは、０．０５〜２質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＴａからなると共に、ターゲット全体としてのＷ含有量のばらつきが±２０％以内とされている。このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。ＴＦＤ素子１は第１の電極３／陽極酸化膜４／第２の電極５によるＭＩＭ構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】粗金属Ｔａをエレクトロンビーム溶解して高純度Ｔａインゴットを精製する工程と、得られた高純度Ｔａインゴットに対して鍛造、圧延による塑性加工を施す工程と、塑性加工を施した前記高純度Ｔａインゴットに熱処理を施す工程と、を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、及びパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＰターゲットの利用効率を高めるため、厚くても漏れ磁束が大きいＣＣＰターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と一次焼結体粉末とを混合後、焼結させる二次焼結工程と、を経て製造され、二次混合粉末の焼結体からなる組織中に、一次焼結体粉末の焼結体からなる組織が分散している。 （もっと読む）

【課題】発火を生じることなく、高融点金属元素を含むターゲットを製造することができる、ターゲットの製造方法、並びに、このターゲットを使用したメモリの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、並びに、ランタノイド元素の元素群から選ばれる１種以上の高融点金属元素と、この元素群以外の他の元素とを使用して、合金インゴットを作製する工程と、この合金インゴットを粉砕する工程と、粉砕した合金インゴットとＳ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上のカルコゲン元素とを使用してターゲットを作製する工程とを含んで、ターゲットを製造する。また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 （もっと読む）

【課題】均一に分散されたホウ素、コバルト及びクロムを含むスパッタリングターゲットを製造する方法を提供すること。
【解決手段】ホウ素を含むスパッタリングターゲットの製造方法は、コバルトクロム合金の粉末を用意すること、混合物を生成するために前記コバルトクロム合金の粉末とホウ素及び酸化物を含む原料の粉末とを混合すること、成形体を作るために前記混合物を成形すること、前記スパッタリングターゲットを得るために前記成形体を焼結させることを含む。前記コバルトクロム合金の粉末を用意し、その後、前記コバルトクロム合金の粉末をホウ素、酸化物等と混合するため、ホウ化物粒子の大きさ及び分散を効率的に制御することができる。このため、前記スパッタリングターゲットにおけるコバルト、クロム、ホウ素等は均一に分散される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により成膜された場合に純Ａｌ膜よりも高い反射率を有すると共に、優れた耐アルカリ性、耐酸性および耐湿性を有し、これにより、保護被膜なしでも反射率低下が起り難いＡｌ合金反射膜、このようなＡｌ合金反射膜を有する反射膜積層体、及び、自動車用灯具、照明具、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素を合計で０．４〜２．５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、原子間力顕微鏡で測定した膜表面の粗さが４ｎｍ以下であることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、 (3) この反射膜を形成するためのＡｌ合金スパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

本発明は、反応副生物として生じる塩によって被覆された金属粒子を生成するためにハロゲン化金属、またはハロゲン化金属の混合物の液相還元を使用する、金属粉末または合金粉末の製造方法を対象とする。反応条件を選定することにより、様々な金属粒子サイズを選択でき、塩皮膜により、酸化（または大気中の他のガスとの反応）が防止され、金属粉末を使用して実現するのが従来は難しかった様々な用途が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末及び非磁性酸化物粉末からなる予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末及びＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕したＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を加圧焼結することによって得られた、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、その組織中には、１２〜２５面積％のＰｔリッチ領域が分散形成されている。 （もっと読む）

【課題】膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）