【課題】膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ２種の混合粉末を原料とした固化成形体において、連続相と分散相を制御することにより、機械的、熱的、電気的、磁気的特性および相対密度を改善した高密度固化成形体の製造方法を提供する
【解決手段】 ２種の混合粉末を原料とし、ミクロ組織が連続相と分散相からなる相対密度９８％以上の固化成形体の製造方法において、平均粒径の小さい方の原料粉末（以下、原料粉末Ａ）と平均粒径の大きい方の原料粉末（以下、原料粉末Ｂ）は、それぞれ金属、半金属、半導体の内の異なる１種の元素からなり、原料粉末Ａの混合率が４０容量％以下であり、かつ、原料粉末Ａと原料粉末Ｂの平均粒径の比が、式（１）を満たすように、原料粉末Ａ、Ｂを調整し、小径の粉末が大径の粉末の間隙に流れ込むように混合してなる混合粉末を熱間にて固化成形してなることを特徴とする高密度固化成形体の製造方法。
（原料粉末Ａの平均粒径）／（原料粉末Ｂの平均粒径）≦（原料粉末Ａの混合率）／５０ … （１） ただし、原料粉末Ａの混合率は容量％ （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させる。
【解決手段】解決手段の第１態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、酸化物相１４と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６と該酸化物相１４とが互いに分散しており、該磁性相１２はＣｏおよびＣｒを主成分として含み、該磁性相１２におけるＣｏの含有割合は、７６ａｔ％以上８０ａｔ％以下である。解決手段の第２態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６とが互いに分散しており、該非磁性相１６はＰｔを主成分として含むＰｔ−Ｃｏ合金相であり、該Ｐｔ−Ｃｏ合金相におけるＣｏの含有割合は、０ａｔ％より大きく１３ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含むとともに、酸素を３．０〜１０原子％含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_{１００−Ｘ}−Ｎｉ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｃｏ_Ｙ）_{１００−Ｚ}−Ｍ_Ｚ、２５≦Ｘ≦３５、１０≦Ｙ≦９０、５≦Ｚ≦２０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、少なくとも平均粒径が３５μｍを超えるＦｅ−２５〜３５原子％Ｎｉ合金を原料粉末に用いて前記組成式を満たすように他の粉末と混合した混合粉末を加圧焼結して焼結体を得るＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくい窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ粉末とＡｌ粉末と窒化物粉末との混合粉をアルミニウムの融点未満の温度で加熱し、Ｔｉ及びＡｌからなる金属間化合物を形成させ、さらにＴｉ及びＡｌからなる金属間化合物を含む混合粉を非酸化性雰囲気中で、アルミニウムの融点より高くチタンの融点より低い温度で加熱してＴｉＡｌを含む窒化物を形成させるとともに加圧焼結することにより窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲットを製造する。これにより得られたターゲットは、単体の金属Ａｌが存在せず、組織中にＴｉ_２ＡｌＮ相が分散しているとともに緻密な組織となっているので、製膜時におけるドロップレットの生成を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末としてＣｒ：５０〜７０モル％を含有し、残部がＣｏからなるＣｒ−Ｃｏ合金粉末、Ｐｔ粉末、非磁性酸化物粉末、Ａ金属粉末（ただし、Ａ金属はＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの内の少なくとも１種を示す）およびＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％、Ａ：０．５〜８原子％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成となるように配合し混合して得られた混合粉末を金属製缶体に充填し、金属製缶体内部を真空にして封入し、この混合粉末を真空封入した金属製缶体を温度：８００℃以下で熱間圧延する。 （もっと読む）

【課題】多元金属系硫黄化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多元金属系硫黄化合物の製造方法により、多元金属系硫黄化合物のナノ粉末を合成するとき、含有する一種以上の金属元素はすべて構成元素の純元素粉体から使用し、及び／又は一種以上の金属合金粉末を原子比より調合し、常圧の液相合成法で合成されることになり、しかも、合成工程において使用される有機溶剤は芳香族アミン類化合物であり、該芳香族アミン類化合物は、沸点240℃以上で、pH値7〜10の弱アルカリ性であり、それゆえ、高温下でキレート反応によって多元金属系硫黄化合物が生成される。銅−インジウム−ガリウム−セレン元素化合物(CIGSmaterials)は、直接に塗布成膜し、ターゲット材に作られ、スパッタリング成膜されることになり、セレン化工程は不要で、塗膜層の組成の一致性をアップさせることで、製品の良品率も生産効率も向上できる。 （もっと読む）

【課題】熱処理前後の粒度分布が変化せず、不純物ガス濃度を低減した貴金属粉末を製造できる方法を提供する。
【解決手段】不純物ガス濃度を低減した貴金属粉末を製造する方法であって、加熱炉に貴金属を主体とする貴金属粉末を供給し、該貴金属粉末を気体中に分散させた状態で加熱した後、更に分散させた状態のまま冷媒に接触させる方法である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｃｒを１〜２０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体における中間層膜に用いるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金からなるスパッタリングターゲット材。また、上記合金組成の粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材。さらに、上記、薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜。 （もっと読む）

１態様に従う金属物品を製造するための方法は、以下の：ナトリウム／モリブデン複合金属粉末の供給物を提供し；そのナトリウム／モリブデン複合金属粉末を十分な圧力の下で圧縮して予備成形された物品を形成し；その予備成形された物品を密閉された容器に入れ；その密閉された容器の温度をモリブデンの焼結温度より低い温度まで上げ；そして、その密閉された容器に、物品の密度を理論密度の少なくとも約９０％まで増大させるのに十分な時間の間等方圧をかける；ことを含んでいてよい。 （もっと読む）

【課題】金属および金属酸化物を含有するターゲットから、工程数を少なくかつ不純物の混入を少なく金属を回収する金属回収方法、および工程数が少なくかつ再生利用の効率の高い、ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】金属および金属酸化物を含有するターゲット１から該金属を回収する金属回収方法であって、ターゲット１を、前記金属酸化物は溶融も分解もさせず、かつ、前記金属を溶融させるように加熱して、該金属を該金属酸化物から分離する金属回収方法であり、ターゲット１を、該ターゲット１に含まれる前記金属酸化物の焼結体が通過しない大きさに設定された貫通孔１２Ｂが底面にある上段ルツボ１２および該貫通孔１２Ｂの下に設けられた下段ルツボ１４を備えてなる２段ルツボ１０の該上段ルツボ１２内で加熱し、溶融した前記金属を該下段ルツボ１４内に流れ込ませて前記金属酸化物から分離する。 （もっと読む）

【課題】 使用済みスパッタ材を徐々に使い果たす再製スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 背面と、少なくとも１つのエロージョン面溝を備えるエロージョン面と、周縁とを有する使用済みスパッタ材を提供するステップと、
前記使用済みスパッタ材の背面に機械加工を施すための前処理を行うステップと、
前記使用済みスパッタ材と同様の成分を有する原料粉末を用い、該使用済みスパッタ材のエロージョン面、前記エロージョン面溝及び周縁を被覆し、順次に予備加圧及び焼結処理を行うステップと、を有し、これにより再製スパッタリングターゲットを獲得することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、亜鉛粉末とアルミニウム粉末との混合物を提供し、放電プラズマ焼結処理を用いてその亜鉛粉末とアルミニウム粉末との混合物を焼結させてＺｎＡｌ合金を得ることによりＺｎＡｌ合金ターゲット材料を作製するための方法を提供する。本発明はまた、上記の方法によって作製されたＺｎＡｌ合金ターゲット材料を記載する。
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【課題】改良された物理的構造を有するスパッタリング・ターゲット及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム及び少なくとも１種の他の金属粉末を混合して粉末ブレンドを形成すること、前記粉末ブレンドを大きな力の下で圧縮して、理論密度の少なくとも５０％の充填密度を有する圧縮されたブランクを得ること、使用される条件下においてブランク中に平均２５％より多い金属間相を形成すると思われる温度未満の温度においてブランクを加熱すること、ブランクを圧延してブランクの理論厚さの少なくとも９５％を得ること、及びブランクを適当な基材に接合することを含む、スパッタリング・ターゲットを製造する方法が提供される。この方法から製造されたスパッタリング・ターゲットも提供される。 （もっと読む）

【課題】熱間静水圧プレス処理において、その加圧空間を有効に利用した新規の焼結平板の製造方法を提供する。
【解決手段】目的の平板形状に比して投影寸法を縮める如きわん曲部あるいは屈曲部を形成した焼結容器１に原料粉末を充填した後、該焼結容器にＨＩＰ処理を施して焼結体を得て、次いで該焼結体を塑性加工によって平板形状とする焼結平板の製造方法である。焼結容器１は、熱間静水圧プレス処理に適用される加圧空間の許容寸法内であり、目的の平板形状は、前記加圧空間の許容寸法を超えた寸法とすることもできる。本発明は、特に大型平板形状が要求されるスパッタリング用ターゲットの製造に対して有効である。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディア及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。基板１０と、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有し基板１０上に設けられた反射層２０Ａ，２０Ｂと、を備える光メディア１００である。 （もっと読む）

【課題】アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくいＴｉ−Ａｌ系合金ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ粉末とＡｌ粉末の混合粉を含む成型体をアルミニウムの融点未満の温度で加熱し、上記成型体中のＡｌをＴｉと反応させ、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物を形成させる熱処理工程と、アルミニウムの融点より高くチタンの融点より低い温度でＴｉと前記Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物を反応させて加圧焼結する加圧焼結工程を有するＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットの製造方法。これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_ａ−Ｆｅ_{１００−ａ}）_{１００−ｂ}−Ｎｉ_ｂ）_{１００−ｃ}−Ｍ１_ｃ、１０≦ａ≦９０、０＜ｂ≦２０、５≦ｃ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−Ｘ}−Ｍ１_Ｘ、５≦Ｘ≦３０で表され、Ｍ１元素が１種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
Ｎｉ粉末を粉末Ｃ、
としたとき、粉末Ａ、粉末Ｂおよび粉末Ｃを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）