【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するときに使用するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末として、Ｇａ：２０〜５０質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ二元系母合金粉末、Ｉｎ：２０〜７０質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなるＣｕ−Ｉｎ二元母合金粉末並びに純Ｃｕ粉末を用意し、これら原料粉末をＩｎ：４０〜６０質量％、Ｇａ：１〜４５質量％を含有し、残部がＣｕからなる成分組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、得られた混合粉末をプレス成形して成形体を作製し、得られた成形体を焼結する。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第一ＣｏＣｒ合金粉末、Ｃｒ：５〜１５原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第二ＣｏＣｒ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結することを特徴とし、前記第一ＣｏＣｒ合金粉末および前記第二ＣｏＣｒ合金粉末のいずれか一方または両方の粉末は、さらにＢ：０．５〜８原子％を含有しても良い。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属製の容器に原料粉末を充填し、熱間固化成形した成形体の機械加工に関し、特にスパッタリングターゲット材の機械加工方法を提供する。
【解決手段】 円筒型の金属製容器の内部に原料粉末を充填し、脱気封入した粉末充填ビレットを、熱間で固化成形した粉末成形体ビレットにおいて、金属製容器側面の外筒缶を厚さ０．５ｍｍ以上残した状態で、金属製容器の少なくとも片方の端面の蓋を２ｍｍ以下に切削し、その後、蓋を２ｍｍ以下に切削した側の端から、１５ｍｍ以下の厚さにワイヤーカットにてスライスする工程を有する粉末固化成形体の機械加工方法。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結する比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の成長を抑制し、低透磁率かつ高密度とすることにより、成膜効率化および膜特性の向上が実現できる磁気記録膜用スパッタリングターゲット、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＣｏおよびＰｔを含むマトリックス相と、金属酸化物相とからなるスパッタリングターゲットであって、透磁率が６〜１５、相対密度が９０％以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

コバルト、スズ、及び炭素を含有する活性材料を含む電極組成物を、同組成物の作製及び使用方法と共に提供する。また、提供する電極組成物を含む電極、提供する電極を含む電気化学電池、及び提供する電気化学電池を少なくとも１つ含むバッテリパックをも提供する。実施例によっては、組成物は鉄をも含む。
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導電性金属マトリックス、好ましくは銅、と、タンタル、クロム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、白金、レニウム、ニオブ、ハフニウム、およびそれらの混合物から成る群から選択される耐熱ドーパント成分とから実質的に成る金属材料であって、好ましくは、当該耐熱ドーパント成分が、当該金属材料に対して約０．１〜６質量％の量である金属材料、そのような材料の合金、それを含有するスパッタリングターゲット、そのようなターゲットを製造する方法、薄膜形成におけるそれらの使用、並びにそのような薄膜を含有する電子部品。
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【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：１〜２０％，Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体における下地膜として用いる下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】ａｔ％で、Ｍｎ：５〜３５％、Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体における下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法。また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＣｒ−Ｍｎ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】低ガスであり、かつ、結晶粒の微細化が図られ、安定供給可能な焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｎ，Ｂ，ＢｉまたはＧｅの単体金属と、Ｘ，Ｙを含む合金または焼結体（Ｘ：Ｍｎ，Ｂ，Ｂｉ，Ｃｏ，ＮｉおよびＦｅのうちのいずれか１種。Ｙ：Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｄｙ，Ｈｆ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｌａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｐｒ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｅ，Ｔｉ，Ｒｈ，Ｚｎ，Ｚｒ，ＶおよびＷのうちのいずれか１種以上の金属または合金。）とをそれぞれ溶融し、粉砕法または高速急冷法により粉末を作製する工程、脱ガス・混合し、成形・焼結させる工程、切削・研磨加工を施す工程とを経て、平均粒径０．１〜３００μｍの結晶粒を５０％以上含み、含有ガス量６００ｐｐｍ以下のターゲット材を得る。 （もっと読む）

【課題】膜面方向（膜面内）における成分の均一性に優れた薄膜を安定して形成することができるＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｔａを０．６〜１０．５原子％、Ｃｕを２〜１３原子％含有するＡｇ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットのスパッタリング面を画像解析したとき、（１）Ｔａ粒の全面積に対する、円相当直径１０〜５０μｍのＴａ粒の合計面積は６０面積％以上であり、且つ、Ｔａ粒の平均重心間距離は１０〜５０μｍであり、（２）Ｃｕ粒の全面積に対する、円相当直径１０〜５０μｍのＣｕ粒の合計面積は７０面積％以上であり、且つ、Ｃｕ粒の平均重心間距離は６０〜１２０μｍである。 （もっと読む）

【課題】プリスパッタ時間の短縮されたＡｇ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉよりなる群から選択される少なくとも１種を、合計で１〜１５質量％含むＡｇ基合金スパッタリングターゲットであって、
該スパッタリングターゲットのスパッタリング面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２μｍ以上であり、かつ最大高さ（Ｒｚ）が２０μｍ以上であることを特徴とするＡｇ基合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を保持しつつ、銅配線部を無電解めっきすることが可能であるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット、及び十分な密度の焼結体とすることができる同スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルとパラジウムとからなる半導体素子配線部の銅拡散防止バリア膜形成用スパッタリングターゲットであって、パラジウムが15原子％以上、70原子％以下であり、残部がタンタル及び不可避不純物からなるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット。タンタルとパラジウムからなる焼結体の製造方法であって、タンタルとパラジウムとの金属間化合物を予め作製し、該金属間化合物を混合して焼結することを特徴とするタンタルパラジウムスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における（１／４）ｔ（ｔは厚み）〜（３／４）ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】均質で耐食性に優れた被膜特性が得られ、成膜効率および再現性に優れ、かつ長寿命のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒを４５原子％以上含有し、Ａｌを１〜５０原子％の範囲で含有し、かつＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｂから選択される少なくとも１種類の元素を１〜５０原子％の範囲で含有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットの、２００μｍ四方の組織領域をＸ線マイクロアナライザーにより加速電圧１５ｋＶでＣｒ元素のマッピングを実施したときに、カウント数が６００以上であるＣｒの偏析部の直径が５０μｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】ボンディング時に、ロウ材のＩｎとＢａＡｌ：Ｅｕ合金板の成分とが相互に拡散することを防止し、ロウ材のＩｎ層を変質させずに、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合させる。
【解決手段】Ｂａ含有合金スパッタリングターゲットである金属層１１の一方の表面に、Ｂａと合金を形成しない、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏなどの金属からなるバリア層１２を形成し、該バリア層１２の上に、Ｎｉ、Ｃｕなどからなる濡れ性改善層１３をさらに形成し、その後、該一方の表面を、Ｉｎからなるロウ材３を介して、ボンディングによりバッキングプレート２に接合する。 （もっと読む）

高融点金属プレートが提供される。前記プレートは、中心、板厚、端部、上面および裏面を有し、前記プレートにわたって実質的に均一な結晶組織（１００／／ＮＤ組織成分および１１１／／ＮＤ組織成分のそれぞれについて、板厚方向勾配、帯形成度およびプレート内変動によって特徴付けられる）を有する。
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【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：５〜２０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したＮｉ−Ｗ系合金粉末を原料粉末とし、これを９００〜１１５０℃の温度で固化成形したことを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。また、上記固化成形温度を９００〜１０５０℃とすることを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハードディスク等に使用されるＲｕ薄膜を形成するために用いるＲｕターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 タップ密度が１０〜３０％、酸素含有量が０．５％以下であるＲｕ粉末を、カーボン型に充填し、不活性ガス雰囲気中で、ホットプレスにより固化成形するＲｕターゲット材の製造方法。上記ホットプレス後に１１００℃以上に加熱し、５０ＭＰａ以上で３秒以上加圧を行い、密度９８％以上とするＲｕターゲット材の製造方法およびＲｕターゲット材。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットにであって、このスパッタリングターゲットの組織は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ三元系合金相と、Ｐｔ相および非磁性酸化物相からなる混合相とからなり、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ三元系合金相は、前記Ｐｔ相および非磁性酸化物相からなる混合相により包囲されている組織を有する。 （もっと読む）