【課題】 溶射法、化学的方法、電子ビーム溶解法などのコストが高い方法を利用することなく、使用済みのＭｏ合金ターゲット材から、Ｍｏ合金粉末を容易にかつ安価に安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】 ４Ａ族元素（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、５Ａ族元素（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）から選ばれる元素を含有する使用済みのＭｏ合金からなるスパッタリングターゲット材を水素雰囲気中で熱処理を施した後、粉砕処理を施して微粉末とし、次いで１００Ｐａ以下の減圧雰囲気中もしくは不活性ガス中で熱処理を施すＭｏ合金粉末の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】従来無かった高密度で、実質的にタングステンからなる汎用性の高いボルトおよびナットなどネジ部を持った焼結体を提供することにある。
【解決手段】粉末冶金法によって高圧、高温での熱間静水圧加工処理をほどこした高密度なタングステン焼結体を得て、焼結体を機械加工することにより課題を解決した。ネジ加工部を有するタングステンは、耐熱性、耐プラズマ製などが優れ、高温使用用途でも用いることができる。また、他のタングステン部材と熱膨張係数が同じであるために高温時での部材の変形を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】スプレイフォーミング法によるアルミニウム基合金プリフォームの密度のバラツキを低減し、プリフォームを歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明のアルミニウム基合金プリフォームは、相対密度の平均が５０〜６５％で、相対密度の最大値を示す部分と相対密度の最小値を示す部分の差が３０％以下である。上記プリフォームの製造方法は、アルミニウム基合金を（液相温度＋１００℃）〜（液相温度＋４００℃）の範囲内で溶解し、アルミニウム基合金の溶湯を得る工程と、アルミニウム基合金の溶湯をガス／メタル比が４Ｎｍ^３／ｋｇ以上で、対抗するガスアトマイズノズル中心軸のなす角度を２αとしたときαを１〜１０°の条件でガスアトマイズし微細化する工程と、微細化したアルミニウム基合金をスプレイ距離が７００〜１２００ｍｍ、コレクター角度が２０〜４５°の条件でコレクターに堆積しプリフォームを得る工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 最終形状に近い複数の焼結体が得られる加圧焼結ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 ホットプレスのモールド内に、高融点金属元素を主体とする原料粉末と、周辺部より窪んだ平面を中央部に有する板状のスペーサーとを、加圧軸方向に対して交互に重ねて充填し、次いで加圧焼結した後、前記スペーサーを分離して複数の焼結体を得る加圧焼結ターゲット材の製造方法である。また、スペーサーが炭化珪素からなる前記の加圧焼結ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を示す記録層を直流スパッタリングで形成するのに適したスパッタリ
ングターゲットとその製造方法、並びに、該スパッタリングターゲットを用いた高密度光
記録媒体とその製造方法の提供。
【解決手段】（１）Ｂｉ、Ｆｅを含み、比抵抗が１０Ωｃｍ以下であることを特徴とする
スパッタリングターゲット。
（２）Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含み、更に導電性を付与する物質を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
（３）Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含み、化学量論組成よりも酸素が少ない化合物を含む（１）から（２）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、Ｃｏ系磁性相および酸化物非磁性相からなる磁性膜を有する磁気記録媒体における磁性膜を生成するための高密度スパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 Ｃｏ系金属磁性相と酸化物非磁性相よりなり、相対密度９７％以上のスパッタリングターゲット材において、成形温度１０００℃以上、成形圧力５００ＭＰａ以上で成形し、抗折強度が３００ＭＰａ以上であることを特徴とする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。また、上記成形温度を１０００〜１３５０℃とする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。さらに、上記成形圧力を５００〜１０００ＭＰａとする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｇｅ：２０．２〜２４．２％、Ｓｂ：２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有するガスアトマイズ粉末を真空または不活性ガス雰囲気中、温度：３００〜６３０℃で熱処理して熱処理ガスアトマイズ粉末を作製し、この熱処理ガスアトマイズ粉末を４５０℃以上６３０℃未満の温度で加圧焼結することを特徴とするパーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングの際に要求される、高い成膜速度を実現すると同時に、形成される薄膜の膜厚分布をも均質に形成することができるＲｕスパッタリング用ターゲット材を提供することを課題とする。
【解決手段】 金属組織が等軸晶からなり、かつスパッタ面が（００２）面配向であるＲｕスパッタリング用ターゲット材である。また、好ましくは、酸素含有量が５０重量ｐｐｍ以下である上記のＲｕスパッタリング用ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｏの粉末焼結体を使用して効率的に大型のＭｏターゲット材を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｏ原料粉末を加圧焼結して酸素含有量５００ｐｐｍ以下、相対密度９９．０％以上の焼結体とした後、該焼結体を２００〜８００℃で塑性加工をするＭｏターゲット材の製造方法である。また、抗折力が１２００Ｎ／ｍｍ^２以上で、かつ吸収エネルギーが１０００Ｎ・ｍｍ以上のＭｏターゲット材である。また、好ましくは、スパッタ面のＸ線回折における主ピーク４点で規格化した（１１０）面の相対強度比Ｒ_{（１１０）}が４０％以上であるＭｏターゲット材である。 （もっと読む）

モリブデンチタンスパッタターゲットが提供される。一態様において、該ターゲットは実質的にβ（Ｔｉ、Ｍｏ）合金相を含まない。もう一つの態様において、該ターゲットは実質的に単一の相β（Ｔｉ、Ｍｏ）合金からなる。両方の態様において、スパッタリング中の粒子放出が減少される。ターゲットを製造する方法、大面積スパッタターゲットを作製するためにターゲットをいっしょに結合する方法、および該ターゲットによって作製された膜も提供される。
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本発明は、少なくとも１つの相が結晶粒構造を有する、少なくとも２相又は少なくとも２成分を有する材料からなるスパッタターゲットにおいて、少なくとも１つの相の前記結晶粒構造は、最大直径対前記最大直径に対して垂直方向の直径の直径比が２より大で、かつ理論密度の少なくとも９８％の密度を有することを特徴とする、スパッタターゲットに関する。さらに、本発明はスパッタターゲットの製造方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、５０μｇ／ｇ未満の酸素含量と、理論密度で９９％を上回る密度と、１００μｍ未満の平均粒径とを有するＭｏ又はＭｏ合金を含み、支持管に接続される管状ターゲットを製造する方法に関し、フィッシャー法で測定して０．５〜１０μｍの平均粒径を有するＭｏ又はＭｏ合金からなる金属粉末の製造、１００ＭＰａ＜ｐ＜５００ＭＰａの圧力ｐで、コアを使って可撓性の型で金属粉末を冷間等方加圧することによる管素材の形での圧粉体の製造、減圧又は真空中で、１６００℃＜Ｔ＜２５００℃の温度Ｔで前記圧粉体を焼結することによる管素材の製造、前記管素材を、ＤＢＴＴ＜Ｔ＜（Ｔｓ−８００℃）の成形温度Ｔで加熱し且つ心棒上での押出しによる管の製造、前記支持管への前記管の接合および機械加工の各工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、付加的に少なくともＴｉＯ_xを含有する、主成分としてコバルト系合金を有する材料混合物に関する。 （もっと読む）

【課題】ダストの発生などが抑制された状態で、より早い速度でスパッタ法によりＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜形成を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット１０１は、ビスマス（Ｂｉ）が金属結合したＢｉ微粒子１０２とチタン（Ｔｉ）が金属結合したＴｉ微粒子１０３とより構成された焼結体である。ターゲット１０１は、例えば、粒径１０〜５０μｍ程度のＢｉ微粒子からなる粉体と粒径１０〜５０μｍ程度のＴｉ微粒子からなる粉体とを、ほぼ「Ｂｉ₄Ｔｉ₃」の組成となるように混合し、これらを所定の容器に充填して所定の形状に成型し、Ｂｉが溶解しない程度の温度（２７０℃以下）と適当な圧力とを加えて焼成することで形成可能である。 （もっと読む）

ニオブ合金を製造する方法であって、Ａ）ニオブ粉末、並びにイットリウム、アルミニウム、ハフニウム、チタン、ジルコニウム、トリウム、ランタン及びセリウムからなる群から選択される金属の粉末を含有する配合物を形成し、かつ該配合物を圧縮して、圧縮配合物を形成すること、Ｂ）圧縮配合物を、ニオブを含有する電極に結合すること、Ｃ）電極及び圧縮配合物を真空アーク再溶解条件下で溶融させ、かかる該配合物と溶融された電極とを混合すること、Ｄ）溶融された電極を冷却して、合金鋳塊を形成すること、かつＥ）その合金鋳塊に熱−機械的加工工程を適用して、展伸材を形成することを含む、ニオブ合金を製造する方法。本方法は、より微細なＡＳＴＭ５である粒度を有する完全に再結晶化されたニオブ展伸材を提供し、深絞りカップ及びスパッタリングターゲットを製造するために使用されうる。 （もっと読む）

【課題】無傷のビレット材を製造することにより、改善されたＰＴＦを有し、欠陥のない化学的に均質なスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】合金系に対応する組成となるよう純元素又は母合金からなる複数の原料を調製し(Ｓ４０２)、複数の原料を真空雰囲気或いは低圧のアルゴン(Ａｒ)雰囲気中で液状態まで加熱して合金系に対応する溶融合金を形成し(Ｓ４０４)、溶融合金を凝固させてインゴットを形成し(Ｓ４０５)、インゴットを液状態まで再加熱して拡散溶融合金を形成し(Ｓ４０６)、拡散溶融合金を急速凝固して均質合金粉末材料とし(Ｓ４０７)、均質合金粉末材料を圧粉して高密度均質材料とし(Ｓ４０８)、高密度均質材料を熱間圧延し(Ｓ４０９)、高密度均質材料を冷間圧延し(Ｓ４１０)、高密度均質材料を機械加工してスパッタターゲットを形成する(Ｓ４１１)。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｏ系磁性相と金属酸化物系非磁性相からなる磁性膜を有する磁気記録体における磁性膜を生成するための低融点金属酸化物を含むＣｏ系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｏ系金属磁性相と金属酸化物非磁性相よりなるスパッタリングターゲット材において、該非磁性相が融点１４００℃以下の金属酸化物からなり、かつ、相対密度が９７％以上であることを特徴とする低融点金属酸化物を含むＣｏ系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材またはその製造方法。 （もっと読む）

ガス流を、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ジルコニウム、これらの２種以上の混合物及び少なくとも２種のこれらの相互の又は他の金属との合金からなるグループから選択される材料の、０．５〜１５０μｍの粒子サイズを有する粉末と共に、ガス／粉末混合物を形成させ、その際、超音速を前記ガス流に付与し、かつ超音速のジェットを、再処理又は製造すべき対象物の表面に向ける、スパッタターゲット又はＸ線アノードを再処理又は製造する方法が開示されている。 （もっと読む）

工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。さらにその製造方法。
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【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ基合金の非晶質もしくは微結晶軟磁性膜を成膜するためのＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 元素Ｍ１が、４ａ族、５ａ族および４ｂ族から選ばれる元素であり、原子比における組成式が（（Ｆｅ_ＸＣｏ_{（１００−Ｘ）}）_{１００−Ｙ}Ｍ１_Ｙ）、５５≦Ｘ≦７５、３≦Ｙ≦２５で表されるＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材である。また、元素Ｍ２が、６ａ族、７ａ族および８族（ＦｅおよびＣｏを除く）から選ばれる１種以上の元素であり、原子比における組成式が（（Ｆｅ_ＸＣｏ_{（１００−Ｘ）}）_{１００−Ｚ}Ｍ２_Ｚ）_{１００−Ｙ}Ｍ１_Ｙ、５５≦Ｘ≦７５、３≦Ｙ≦２５、０＜Ｚ≦２０で表されるＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材である。 （もっと読む）