【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットにであって、このスパッタリングターゲットの組織は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ三元系合金相と、Ｐｔ相および非磁性酸化物相からなる混合相とからなり、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ三元系合金相は、前記Ｐｔ相および非磁性酸化物相からなる混合相により包囲されている組織を有する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、さらに必要に応じてＢ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ二元系合金相が均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜時のスプラッシュの発生を格段に低減させるＭｏＮｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｎｂを０．５〜５０原子％含有し残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏＮｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法であって、Ｍｏ原料粉末を焼結したＭｏ一次焼結体を作製する工程と、該Ｍｏ一次焼結体を粉砕してＭｏ二次粉末を作製する工程と、該Ｍｏ二次粉末を還元性雰囲気中で熱処理して還元処理Ｍｏ粉末を作製する工程と、該還元処理Ｍｏ粉末とＮｂ原料粉末とを混合した混合粉末を加圧焼結してＭｏＮｂ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＮｂ系焼結スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 硬度とヤング率の著しい低下を引き起こすＣｏを主要元素として添加せずに、高硬度、高ヤング率特性、耐酸化性、耐摩耗性、耐溶着性等を有するＷ−Ｔｉ−Ｃ系複合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＷＣ相及び又はＷ_２Ｃ相とＴｉＣ相及び又は（Ｔｉ、Ｗ）Ｃ相を備えていることを特徴とするＷ−Ｔｉ−Ｃ系複合体及びＷ、ＷＣ、Ｗ_２Ｃから選択した１種類以上の粉末とＴｉ、ＴｉＣ、（Ｔｉ、Ｗ）Ｃから選択した１種類以上の粉末とを混合して焼結することを特徴とするＷ−Ｔｉ−Ｃ系複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式がＣｏ_{１００−(Ｘ＋Ｙ)}−Ｚｒ_Ｘ−Ｍ_Ｙ、１≦Ｘ≦１５、０≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ元素がＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織においてＨＣＰ−Ｃｏからなる相と、Ｃｏを主体とする合金相とが微細に分散した金属組織を有し、Ｘ線回折パターンにおけるＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比Ｉ_{ＦＣＣ（２００）}／Ｉ_{ＨＣＰ（１０１）}の値が０．２５以下であるＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）、２０≦Ｘ≦７０で表されるＦｅＣｏ合金に、Ｆｅに対する共晶点以上の（Ｎｂ、Ｔａ）から選ばれる１種または２種の元素Ｍ１を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが３７ＨＳ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光、特に４０５ｎｍ近傍の波長のレーザ光で良好な記録再生特性を示し、高密度記録可能で、記録感度が従来品に比べて高い記録層を有する追記型光記録媒体、及び該記録層を形成するためのスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】（１）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物と、記録再生レーザ光に対する光吸収機能を増強する１種以上の元素Ｍ（但し、Ｂｉ、Ｃ、Ｎを除く）の単体とを主成分として含有する記録層を有し、青色波長領域のレーザ光で記録再生可能である追記型光記録媒体。
（２）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物と、記録再生レーザ光に対する光吸収機能を増強する１種以上の元素Ｍ（但し、Ｂｉ、Ｃ、Ｎを除く）の単体と、該元素Ｍの酸化物とを主成分として含有する記録層を有し、青色波長領域のレーザ光で記録再生可能である追記型光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜の際に、スプラッシュやパ−ティクルの発生を格段に低減させるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを１０〜７０原子％含有し残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材において、スパッタ面の断面ミクロ組織がＭｏ相およびＴｉ相とその相間にＭｏＴｉ固溶体相が存在する金属組織からなり、前記Ｔｉ相を構成するα-Ｔｉの主ピーク強度面（１０１）のＸ線回折ピーク強度をα（１０１）、β-Ｔｉの主ピーク強度面（１１０）のＸ線回折ピーク強度をβ（１１０）とした時、Ｘ線回折ピーク強度比β（１１０）／α（１０１）が１０．０以上であるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が５０以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＣｏを主体とする合金相とＦｅを主体とする合金相とからなる焼結組織を有し、前記Ｆｅを主体とする合金相中にＦｅ_２Ｍの非磁性ラーベス相金属間化合物が存在するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】均一な組織を持ち、酸素を低減できるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを安定してかつ低コストで製造できるようにするとともに、パーティクルの発生を防止又は抑制し、成膜の製品歩留りを上げることにより、ハードディスク用の膜形成に好適なＡｌＲｕスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】原料となるＡｌとＲｕを高周波溶解し、Ａｌ１３Ｒｕ４金属間化合物を主成分とする粉末とし、Ｒｕ粉を混合した後焼結する。また、９５ｖｏｌ．％以上のＡｌＲｕ金属間化合物からなる焼結体であるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜を得るためのチタンシリサイドスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。 （もっと読む）

本発明は、圧延／焼結方法による、高密度の、耐熱性金属生成物の製造方法に関する。本発明は、スパッタリングターゲットの製造方法、及びこのように製造されたスパッタリングターゲットにも関する。 （もっと読む）

【課題】スピッティングを生じないようにした非金属を含む複数の物質から成るスパッタターゲット及びそのようなスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又は鉄（Ｆｅ）から成る第１の物質と、炭素（Ｃ）、炭素（Ｃ）含有物質、炭化物、窒素（Ｎ）含有物質、窒化物、珪素（Ｓｉ）含有物質又は珪化物、酸素（Ｏ）含有物質、酸化物、ホウ素（Ｂ）、ホウ素（Ｂ）含有物質又はホウ化物から成る第２の物質とを少なくとも含む複数の物質から成り、第２の物質は５０ミクロン以下の平均サイズを有する相を構成し、第１の物質を１５原子パーセント以上含有する。前記スパッタターゲットを、物質混合工程、混合物の容器詰め工程及びＨＩＰ圧密化工程を経て製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ターゲット材の大面積化も容易にでき、その材質も板厚方向、幅方向、長手方向に均一であって、さらには、圧延後の焼鈍も不要となるタ−ゲット用金属部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 高融点金属粉末を金属製容器に嵩密度ρ_sで充填する工程、該容器の内部を真空状態にした後密閉する工程、該容器を600℃以上1200℃以下の温度で圧延率Rsまで圧延する工程、からなる方法であって、該高融点金属の密度がρ₀である場合、圧延率RsをR_s={1-α×(ρ_s/ρ₀)}×100(%)で規定し、αを0.50以上0.90以下にすることを特徴とする金属部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】空隙、ミクロ割れ等がなく、機械強度及び機械加工性に優れた、真密度化された高密度のコバルト−タングステン・スパッタリングを製造する。
【解決手段】同じ粒度分布を持つＣｏ粉末とＷ粉末を選択して混合し（ステップ７０１）、混合粉末を容器に詰め、脱ガスし（ステップ７０２）、混合粉末を熱間静水圧圧縮成形で固形物を形成し（ステップ７０３）、最終ターゲット寸法に機械加工する（ステップ７０４）。製造されたコバルト−タングステン・スパッタターゲットは、元素Ｃｏ相及び／又は元素Ｗ相と、ＣｏがＷの原子パーセントより多いＣｏ−Ｗ金属間化合物相と、ＷがＣｏの原子パーセントより多いＷ−Ｃｏ金属間化合物相と、を含み、２０〜８０ａｔ．％のＣｏを含有し、且つ、密度がその理論的最大密度の９９％より高い。 （もっと読む）

【課題】 加圧容器への原料粉末の充填密度を向上させ焼結体の変形を低減させたＭｏターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径２０μｍ以下のＭｏ原料粉末を圧縮成形した圧密体を、粉砕し該原料粉末の平均粒径以上でかつ平均粒径１０ｍｍ以下の二次粉末を作製した後、該二次粉末を加圧容器に充填し、次いで加圧焼結を施し焼結体を得るＭｏターゲット材の製造方法である。また、前記原料粉末は冷間静水圧プレスで圧縮成形するＭｏターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が著しく抑制される、品質の高い皮膜を形成するために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＳｉとＭ成分及びＳｉの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）