【課題】単軸加圧焼結によって製造されたＲｕターゲット材において、粉末充填空間を構成する炭素製部材に付着している微細な浮遊粒子の混入や、炭素の拡散による焼結体の汚染を解消でき、さらに酸素を低減できるＲｕターゲット材製造方法の提供。
【解決手段】単軸加圧焼結によるＲｕターゲット材の製造方法において、粉末充填空間の一部または全部が炭素製部材１，２，３で構成されており、該炭素製部材１，２，３と焼結されるＲｕ原料粉末４との境界面の一部もしくは全体にＲｕよりも酸化活性の高いＮｂ，Ｔｉ，Ｔａなどの金属箔７を載置するＲｕターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２０．２〜２４．２％、Ｓｂ：２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化膜形成用スパッタリングターゲットであって、その曲げ強度が１１０ＭＰａ以上あるパーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法であって、このターゲットは合金インゴットを粉砕することにより得れられた合金粉砕粉末を不活性ガスのプラズマ中に曝して合金粉末の表面を活性化し、この表面を活性化した合金粉末を使用して加圧焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶組織が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを提供する。
【解決手段】非晶質又は平均結晶子サイズが５０ｎｍ以下の組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に３元系以上の合金からなり、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、希土類金属から選択した少なくとも１元素を主成分とする焼結体パッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における１／４ｔ（ｔは厚み）〜３／４ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、ＬａおよびＣｕを主体とするＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】ルテニウムターゲットを代替することができ、かつ、安価なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＰｄとＷを主要成分として含有するＰｄ−Ｗ系スパッタリングターゲットとし、該ターゲットの構造を、Ｗを１〜２２ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ−Ｗ合金マトリックス中に、平均粒径５〜４０μｍのＷ粒子が分散した構造とし、ターゲット全体に対するＷの含有量が１５〜５０ａｔ％となるようにする。 （もっと読む）

複合スパッタリングターゲットは、同一又は異なる材料の使用済みスパッタリングターゲットでできる又は、表面に窪みが形成された異なる材料からなるバックプレートの中に金属又は金属含有パウダーを加熱加圧することによって製造される。窪みは同じ幾何学を有するターゲットのエロージョンパターンに相当する。窪みは、例えば機械加工によって形成できる。バックプレートは、グラファイト金型内に装着され、アセンブリを形成するためにスパッタリング材料で覆われる。詰め込み具が加えられたアセンブリは、緻密にされたスパッタリング材料のスパッタリングゾーンを有する複合スパッタリングターゲットを形成するために、真空下で適正な加圧と加温による加熱加圧を行う。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物が形成する粒子をより微細化することにより、成膜性の向上を実現できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法は、コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と、少なくとも酸化クロムを含む２種以上の金属酸化物からなる酸化物相とを含有し、かつ該酸化物相が粒子を形成してなるスパッタリングターゲット材の製造方法であって、原料粉末全量１００ｍｏｌ％中、該酸化クロムを１．０ｍｏｌ％以上の量で配合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ系合金の軟磁性膜を成膜するための強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}−Ｍ_Ｙ、２０≦Ｘ≦７０、４≦Ｙ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／またはＴａであるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＦｅを主体とする合金相とからなる焼結組織を有し、前記Ｆｅを主体とする合金相中にＦｅ_２Ｍの非磁性ラーベス相金属間化合物が存在するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】ターゲット割れの発生を抑制することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】金属間化合物域の鋳塊を粉砕して得たＩｎを主成分とする主粉末と、前記主粉末とは異なる成分組成の副粉末を混合、焼結して所定の成分組成となるようにして製造されるスパッタリングターゲットであり、その含有成分中の不可避的不純物であるＳｉ、Ａｌ、Ｆｅの合計含有量が、３００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする。また、金属間化合物はＩｎと、ＣｏとＮｉから選ばれる１種以上を含む。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＺｒ_Ｙ、５≦Ｘ≦９５、３≦Ｙ≦１０で表されるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材であって、該ターゲット材の断面ミクロ組織においてＺｒ化合物相の存在しない領域に描ける最大内接円の直径が５μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】相変化光ディスクの記録層と保護層との間中間層として、リアクティブスパッタリングによって成膜されるＧｅＣｒＮ系層の成膜速度及び膜組成のばらつきを抑制し、製品歩留まりを上げることができるＧｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ５〜５０ａｔ％を含有するＧｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットにおいて、相対密度が９５％以上であることを特徴とするＧｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲット及び平ふるい下７５μｍ以下のＣｒ粉と、ふるい下２５０μｍ以下でありかつＢＥＴ比表面積０．４ｍ^２／ｇ以下であるＧｅ粉を均一に分散混合させた後、焼結することを特徴とするＧｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、さらにＣａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】飽和磁束密度の大きいＦｅ−Ｃｏ系合金にＡｌまたはＣｒを０．２〜５ａｔ％添加した耐候性を向上させた軟磁性ターゲット材を提供する。
【解決手段】厚さ５ｍｍ以上とするスパッタ性に優れたＦｅ−Ｃｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１００：０〜３０：７０とし、Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

本発明の一態様に従った複合金属粉末の製造方法は、以下を含むことができる：モリブデン金属粉末の供給物を提供し；ナトリウム化合物の供給物を提供し；該モリブデン金属粉末と該ナトリウム化合物を液体と組み合わせてスラリーを形成し；該スラリーを高温ガス流中に供給し；そして、複合金属粉末を回収する。 （もっと読む）

【課題】本願発明の目的は、ターゲットの機械的強度を改善し、成膜中に発生するドロップレットの量を抑制したターゲットを提供することである。
【解決手段】周期律表４ａ、５ａ、６ａ族元素から選択される１種以上のＭ成分元素とホウ素を有するターゲットにおいて、該ターゲットのホウ素は窒化ホウ素として含有し、窒化ホウ素の含有量はモル％で、５％以上、３０％以下であることを特徴とする窒化物含有ターゲットで、該窒化ホウ素の含有量はモル％で、５％以上、３０％以下であることを特徴とする窒化物含有ターゲットである。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部がＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にＣを第１の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子％の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、飽和磁束密度の大きいＦｅ−Ｎｉ系合金にＡｌまたはＣｒを０．２〜５ａｔ％添加した耐候性を向上させた軟磁性ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｎｉ系合金において、Ｆｅ：Ｎｉのａｔ比が１００：０〜２０：８０とし、Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相１の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相２により包囲されている複合相３がＢを含むＰｔ合金相素地４中に均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはＣｏ−Ｃｒ二元系合金相１の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相２により包囲されている複合相３がＰｔ相素地４中に均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するときに使用するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ：４０〜６０質量％、Ｇａ：１〜４５質量％を含有し、残部がＣｕからなる成分組成を有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットの素地中に分散しているＩｎ含有合金相の最大粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）