【課題】酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成するために用いられる化合物の生成を抑制したＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを３５〜６５原子％含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物かなるＣｒＴｉ系合金において、Ｃｒ（１１０）のＸ線回折強度［Ｉ（Ｃｒ）］とＣｒ₂ Ｔｉ（３１１）のＸ線回折強度［Ｉ（Ｃｒ₂ Ｔｉ）］の強度比が［Ｉ（Ｃｒ₂ Ｔｉ）／Ｉ（Ｃｒ）］が０．５０以下であるＣｒＴｉ系合金およびＣｒＴｉ系スパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有しており、前記磁性相１２および前記複数の非磁性相１４、１６からなる各相は、お互いに前記酸化物相１８により仕切られている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングの際に安定した成膜が可能なＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｇａを１０〜９５質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材であって、組織が平均粒径３００μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金相からなり、ターゲット材中の各部位のＧａ含有量のターゲット材全体のＧａ含有量の平均値に対する変動量が±３％以内の範囲にあり、ターゲット材の各部位の相対密度のターゲット材全体の相対密度の平均値に対する変動量が±２％以内の範囲にあり、ターゲット材全体の相対密度の平均値が１００％以上であり、ターゲット材の各部位の酸素含有量のターゲット材全体の酸素含有量の平均値に対する変動量が±２０％以内の範囲にあり、且つ、ターゲット材全体の酸素含有量の平均値が３００質量ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】 密度が高く且つ空隙等の欠陥の少ないＦｅ／Ｃｏ−Ｐｔ系合金を焼結法により製造する方法を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ及び／又はＣｏ、Ｐｔ及びＰの合計量を基準にして、原子比で２９.９〜６９.９at ％のＦｅ及び／又はＣｏと３０〜７０at ％のＰｔ粉末と０.１〜１３at ％のＰ源粉末を混合し、その混合物を加熱下に加圧焼結する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングのターゲットとして用いられた場合に、スパッタリング装置内に水分等が含まれるのを抑制することにより、ＤＬＣ膜の諸特性を飛躍的に向上させることができる金属‐炭素複合材料を提供することを目的としている。
【解決手段】 炭素、バインダー、及び、金属又は金属化合物を混練、粉砕した後、粉砕物を成形して成形体を作製し、更に、この成形体を１３００℃以上で熱処理する工程を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】焼結時や加工時に割れの発生しないＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅを含有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末であって、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系化合物および／またはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物を、合計で６０質量％以上含有することを特徴とする粉末である。本発明の粉末は、Ｉｎ−Ｓｅ系化合物を２０質量％以下および／またはＣｕ−Ｉｎ系化合物を２０質量％以下含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制及びパーティクルや異常放電現象が生じないスパッタリングターゲット等に有効であるコバルト粉末とその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓが１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｃａがそれぞれ２０ｐｐｍ以下、Ｏが５０００ｐｐｍ以下、Ｃが１００ｐｐｍ以下であるコバルト粉末。コバルト塩水溶液に、シュウ酸を反応させてシュウ酸コバルトを沈殿させ、これを分取及び還元してコバルト粉末とする。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）

【課題】安全に製造することが可能なＩｎ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｓｅ合金焼結体、Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明のＩｎ−Ｓｅ合金粉末の製造方法は、Ｉｎ粉末とＳｅ粉末を混合してＩｎ及びＳｅ混合粉末を作製する。Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、Ｉｎ及びＳｅの融点以上に加熱された加熱部に逐次的に投入される。
Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、加熱部に逐次的に投入されるため、その部分に含まれるＩｎとＳｅの合金化反応により発生した熱は次のＩｎ及びＳｅ混合粉末が投入されるまでに放熱される。したがって、ＩｎとＳｅの合金化反応に伴なう熱が爆発的に発生することが防止され、安全にＩｎ−Ｓｅ合金粉末を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時にパーティクル発生を抑制可能なＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材を提供することである。
【解決手段】 Ｔｉを４０〜６０原子％含有し、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材であって、スパッタ面のＸ線回折におけるＣｒ相の（１１０）面の回折ピーク強度をＡ、ＴｉＣｌ_２化合物相の（３１１）面の回折ピーク強度をＢとするとき、相対強度比Ｂ／Ａが１０％以下であるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金材、スパッタリングターゲット、及びＣｕ−Ｇａ合金材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣｕ−Ｇａ合金材は、平均組成が３２重量％以上５３重量％以下のガリウム（Ｇａ）と、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物とからなるＣｕ−Ｇａ合金材であって、４７重量％未満の銅と不可避的空隙とを含む領域の体積のＣｕ−Ｇａ合金材全体の体積に占める割合が２％以下である。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高い接合強度で長尺の一体型のターゲットを実現可能な円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｏ粉末とＭｏ以外の高融点金属粉末とからなる複数の円筒型成形体を端面で接合する円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法であって、一方の円筒型成形体の接合端面を５〜８５度のテーパー状に形成し、他方の円筒型成形体の接合端面を前記テーパー状の端面に対して補角となるすり鉢状に形成し、前記円筒型成形体を、前記接合端面同士が当接するように中空の円筒型充填空間を有する金属カプセルに挿入した後、減圧封止し、その後、熱間静水圧プレスを施し、一体型の焼結体を得る円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。
【解決手段】 鋳造法や粉末冶金法によるスパッタリングターゲット材で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの１つ以上から、または８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒの元素群から選択した少なくとも１つの元素から、成るターゲット材で、これら組成の鋳造後に、またはこれら粉末の熱間成形した冷却後に、機械加工でターゲット材寸法に加工し、このターゲット材を室温から５００〜９００℃に加熱し、次いで後冷却速度２１６０〜５４００００℃／ｈｒで室温に冷却して熱処理し、透磁率を低減してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、
さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 ＰＴＦを改善することができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、ＣｏとＣｒとＰｔとを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒相４と、ＰｔとＣｏとＣｒと非磁性酸化物とを含む結合相であるマトリックス相３との複合組織からなり、マトリックス相３のＣｏ濃度が、２５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 組織のさらなる微細化が可能であると共にコンタミネーションが少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなるターゲットの製造方法であって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末１と一次焼結体粉末２とを混合および粉砕後、焼結させる二次焼結工程と、を有し、二次混合粉末１の平均粒径が０．０５〜３０μｍであり、一次焼結体粉末２の最大粒径が２００μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ_２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式：（Ｆｅ_ｘＰｔ_{（１００−ｘ）}）_{（１００−ｙ）}（ＳｉＯ_２）_ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ_２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ_２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。 （もっと読む）