【課題】射出成形加工時に表面を粗面化することなく表面を全体的又は選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能なように改質された成形品を提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂からなる成形品であって、前記成形品の表面近傍には、金属元素が析出していることを特徴とする成形品を提供する。 （もっと読む）

【課題】 安価な材料を用いてケイ素系重合体の表面をメタライズ処理するための表面処理方法を提供することである。また同様に任意の材料からなる基体表面をメタライズあるいは配線などの金属層のパターンを形成する方法を提供することである。
【解決手段】 ケイ素系重合体を遷移金属塩溶液あるいは遷移金属塩の懸濁液と接触させ、その後、該ケイ素系重合体を還元剤に接触させることにより、該ケイ素重合体上あるいはケイ素重合体中に遷移金属の微粒子を形成させることを特徴とするケイ素系重合体の表面処理方法である。 （もっと読む）

均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのＡｌ電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
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【課題】酸性領域で用いることができ、且つ安定性に優れている非シアン無電解金めっき液及びこの非シアン無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化４で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
【化４】
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金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】 無電解Ｃｕメッキ膜の厚さバラツキを低減することにより、歩留まり向上ならびに製品間の電気特性の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬを収容したメッキ槽５３の中に、配線基板ワーク１００を、無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬが流通可能な隙間を介して鉛直に複数枚立てて並べる一方、それら複数枚の配線基板ワーク１００の設置面積を包含する広さの気泡発生器５７を、メッキ槽５３の底と配線基板ワーク１００との間に配置し、一つ一つの配線基板ワーク１００の両面を伝って気泡が立ち昇っていくように、気泡発生器５７から気泡を噴出させながら、各配線基板ワーク１００に無電解Ｃｕメッキ膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、基板の表面に選択的にめっき触媒を付着させることができ、所望パターンで付着しためっき触媒によって所望パターンの配線を形成することができる技術を実現する。
【解決手段】 本発明の方法は、基板の上に選択的に導体をめっきすることによって配線を形成する方法であって、自己組織化単分子膜を基板の表面に形成する成膜工程と、前記自己組織化単分子膜に選択的に光を照射する露光工程と、前記自己組織化単分子膜の露光部を除去する洗浄工程と、前記基板の上にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、前記基板の上に導体を無電解めっきする無電解めっき工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は選択的にめっきすることによって配線を形成しながら、基板と配線の間で高い密着性を得ることができるめっき配線形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、樹脂基板の上に選択的に導体をめっきすることによって配線を形成する方法であって、基板の表面にオゾン水を接触させるオゾン水処理工程と、基板の表面に選択的に光を照射する露光工程と、基板の表面にアルカリ処理液を接触させるアルカリ処理工程と、基板の表面にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、基板の表面に導体を無電解めっきする無電解めっき工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ホーロー掛け前処理をせず、ＮｉやＣｏを含有する高価な釉薬を用いずともホーロー密着性が良好なホーロー用鋼板を提供する。
【解決手段】 質量％でＣ：０．０７０％以下、Ｓｉ：０．５０％以下、Ｍｎ：０．０１０〜０．９５％、Ｐ：０．２０％以下、Ｓ：０．０８０％以下、Ａｌ：０．２０％以下、Ｎ：０．０７０％以下、Ｏ：０．０７０％以下を含有し、さらにＣｕ：０．０５１〜８．０％、Ｎｉ：０．０５１〜８．０％、Ｃｏ：０．０５１〜８．０％、Ｍｏ：０．０５１〜８．０％の一種以上を含有し、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、さらに鋼板の製造工程における熱履歴を制御することにより、鋼板表面に形成したＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏの濃化部に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏの１種以上を含み付着量が０．００１〜５．０ｇ／ｍ²のメッキが施されたホーロー用メッキ鋼板。 （もっと読む）

レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
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本発明は、第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 （もっと読む）

【課題】 高分子成形材とメッキ膜間の密着性が照射領域で位置によらず所望の値以上になる高分子成形材のメッキ形成方法を提供することである。
【解決手段】 高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形材に照射するレーザの下限のフルーエンスを、メッキ形成に必要な最低フルーエンス以上で高分子成形材の表面粗さが増加傾向にある範囲で決定し、レーザの上限のフルーエンスを、高分子材料のアブレーションしきい値もしくは充填した無機フィラーのアブレーションしきい値のうち低い方で決定し、フルーエンスを、下限のフルーエンスと上限のフルーエンスとの間の一定範囲内に収めるようにした。 （もっと読む）